OptoDiode濾光片光電二極管的有效面積是100mm²,，檢測(cè)范圍是1-80nm,。集成薄膜濾光片的光電二極管采用薄膜沉積工藝，用于檢測(cè)太陽(yáng)EUV輻射、軟X射線輻射測(cè)量、X射線和EUV光刻,、X射線顯微鏡和XUV光譜。
OptoDiode濾光片光電二極管
AXUV100TF030光敏二極管,，薄膜沉積工藝
集成薄膜濾光片的光電二極管存儲(chǔ)和工作溫度在環(huán)境下是-10°C~40°C，在氮?dú)饣蛘婵帐?span style=";padding: 0px">-20°C至80°C,，引線焊接溫度是260°C,。
OptoDiode生產(chǎn)集成薄膜濾光片，用于檢測(cè)太陽(yáng)EUV輻射,、軟X射線輻射測(cè)量,、X射線和EUV光刻、X射線顯微鏡和XUV光譜,。美國(guó)OptoDiode還生產(chǎn)光學(xué)濾光片窗口、日光濾光片和多波長(zhǎng)封裝組件,。
OptoDiode集成薄膜濾光片光敏二極管檢測(cè)范圍是1-80nm,，有效面積是100mm2，發(fā)貨時(shí)帶有保護(hù)罩,，可以避免元件受損,。美國(guó)集成薄膜濾光片的光電二極管用于電子檢測(cè)，電壓直流反向最大值10伏,，靈敏度0.09-0.15A/W,，波長(zhǎng)范圍是3-40nm。OptoDiode濾光片光電二極管采用薄膜沉積工藝,。
AXUV100TF400光敏二極管的特點(diǎn)
- 100平方毫米的有效面積
- 波長(zhǎng)40納米靈敏度為0.15 A/W
- 檢測(cè)范圍：18納米至80納米
- 發(fā)貨時(shí)帶有保護(hù)罩
AXUV100TF400光敏二極管10mmx10mm測(cè)試條件下,，有效面積的典型值是100mm2。在40nm波長(zhǎng)下靈敏度典型值是0.15A/W,。當(dāng)VR為±10mV時(shí),，分流電阻最小值為20歐姆,，當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時(shí)，反向擊穿電壓最小值是5V,，典型值是10V,。VR=0V時(shí)，電容的典型值是10nF,最大值是44nF,。
AXUV100TF030光敏二極管的特點(diǎn)
- 100平方毫米的有效面積
- 3納米處的靈敏度為0.16 A/W
- 檢測(cè)范圍：1納米至12納米
- 發(fā)貨時(shí)帶有保護(hù)罩
AXUV100TF030光敏二極管在25°C時(shí)的電光特性如下,。 在10mmx10mm測(cè)試條件下，有效面積的典型值是100mm2,。在3nm波長(zhǎng)下靈敏度典型值是0.16A/W,。當(dāng)VR為±10mV時(shí)，分流電阻最小值為20歐姆,，當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時(shí),，反向擊穿電壓最小值是5V，典型值是10V,。VR=0V時(shí),，電容的典型值是10nF,最大值是44nF。
從典型的靈敏度圖可以看到從波長(zhǎng)5nm開(kāi)始靈敏度隨著波長(zhǎng)的增加而減小,。
SXUV100TF135光敏二極管的特點(diǎn)
- 100平方毫米的有效面積
- 在13.5納米處?kù)`敏度為0.09 A/W
- 探測(cè)范圍12納米至18納米
- 發(fā)貨時(shí)帶有保護(hù)罩
SXUV100TF135光敏二極管在10mmx10mm測(cè)試條件下,，有效面積的典型值是100mm2。在13.5nm波長(zhǎng)下靈敏度最小值是0.08A/W,，典型值是0.09A/W,，最大值0.1A/W。當(dāng)VR=15V時(shí),，暗電流典型值是8nA,，最大值是25nA。當(dāng)IR=1µA時(shí),，反向擊穿電壓最小值是25V,。VR=0V時(shí)，電容的最小值是0.8nF,，典型值是1nF,，最大值是1.2nF。VR=12V時(shí),，電容的最小值是220pF,，典型值是260pF，最大值是350pF,。當(dāng)RL=50Ω, VR=12V時(shí),，上升時(shí)間的典型值是30納秒。從波長(zhǎng)與靈敏度的關(guān)系圖中可以看到在集成濾光片在13.5nm波長(zhǎng)后靈敏度的值是下降的,。
OptoDiode濾光片光電二極管
