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硒化銦晶體(99.995) In2Se3

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所  在  地泰州市

更新時間:2024-06-03 12:30:19瀏覽次數(shù):1594次

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供貨周期 現(xiàn)貨 應用領域 環(huán)保,化工,能源,綜合
硒化銦晶體 In2Se3(Indium Selenide)
晶體尺寸:8-10毫米
電學性能:半導體
晶體結構:六邊形
晶胞參數(shù):a = b = 0.398 nm, c = 18.89 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%

硒化銦晶體 In2Se3(Indium Selenide)
晶體尺寸:8-10毫米
電學性能:半導體
晶體結構:六邊形
晶胞參數(shù):a = b = 0.398 nm, c = 18.89 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%


X-ray diffraction on a 2H-In2Se3 (Indium Selenide) single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 8 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 4, 6, 8, 10, 12, 14, 16, 18


Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal In2Se3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.


Stoichiometric analysis of a single crystal In2Se3 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).


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