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Multilayer h-BN (Boron Nitride) film is grown onto 50 um thick copper foils. h-B...
This product contains h-BN mono- and few-layer flakes solution in ethanol. The h...
尺寸:5*10cm厚度:1.6mm銅基六方氮化硼薄膜采用化學氣相沉積法(CVD),,在高純銅箔上沉積單層和多層h-BN薄膜,。
尺寸:10*10cm厚度:1.6mm銅基六方氮化硼薄膜采用化學氣相沉積法(CVD),,在高純銅箔上沉積單層和多層h-BN薄膜,。
單層,、少層,、多層等需求定制,;尺寸:10*5cm基底:銅
單層,、雙層,、多層等需求定制;尺寸:1*1cm基底:石英基底/PET基底/藍寶石基底/Sio2/Si
碲化鉍晶體 Bi2Te3(Bismuth Telluride) 晶體結(jié)構(gòu):六邊形晶體尺寸:~10毫米電氣性能:拓撲絕緣體的晶體結(jié)構(gòu):六邊形晶胞參數(shù):a = b ...
二碲化鉿晶體 HfTe2(Hafnium Telluride)晶體尺寸:~10毫米電學性能:半金屬晶體結(jié)構(gòu):六邊形晶胞參數(shù):a = b = 0.395 nm, ...
二碲化鉬晶體 1T-MoTe2(Molybdenum Ditelluride)晶體尺寸:~10毫米電學特性:金屬晶體結(jié)構(gòu):單斜晶系晶胞參數(shù):a = 0.621 ...
二碲化鈮晶體 NbTe2(Niobium Selenide) 晶體尺寸:~8毫米電學性能:金屬,,半導體(TC ~ 0.7k)晶體結(jié)構(gòu):單斜晶系,,C晶胞參數(shù):a=...
二碲化鈦晶體 TiTe2(Titanium Ditelluride)晶體尺寸:~8毫米電學性能:半金屬晶體結(jié)構(gòu):六邊形晶胞參數(shù):a = b = 0.377 nm...
二碲化鎢晶體 WTe2(Tungsten Ditelluride) 晶體尺寸:10毫米電學性能:半金屬,,type II Weyl semimetal (WSM)...
晶體尺寸:10毫米電學性能:半導體,拓撲絕緣體,,熱電材料晶體結(jié)構(gòu):單斜晶結(jié)構(gòu)晶胞參數(shù):a = 1.430nm,,B = 0.403nm,C = 0.986nm,,α...
晶體尺寸:10毫米電學性能:金屬,,電荷密度波(CDW)(TCDW ~ 170K)晶體結(jié)構(gòu):單斜晶晶胞參數(shù):a = 1.479nm,B = 0.364nm,,C =...
Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal Sb2Te3. X-ray diffraction was...
電學性能:半金屬,,電荷密度波(CDW,~ 63K),,超導體(TC ~ 2K)晶體結(jié)構(gòu):單斜磷晶胞參數(shù):a = 0.5864nm,,B = 0.3918nm,C =...
二碲化鉬晶體 2H-MoTe2(Molybdenum Ditelluride)晶體尺寸:~10毫米電學性能:N型半導體晶體結(jié)構(gòu):六邊形晶胞參數(shù):a = b = ...
二碲化鉬晶體 2H-MoTe2(Molybdenum Ditelluride)晶體尺寸:~10毫米電學性能:N型半導體晶體結(jié)構(gòu):六邊形晶胞參數(shù):a = b = ...
二碲化鈀晶體 PdTe2 (Palladium Ditelluride)晶體尺寸:2-3毫米電學性能:金屬,,半導體(Tc ~ 1.7K)晶體結(jié)構(gòu):六邊形晶胞參數(shù)...
二碲化鈀晶體 PdTe2 (Palladium Ditelluride)晶體尺寸:2-3毫米電學性能:金屬,,半導體(Tc ~ 1.7K)晶體結(jié)構(gòu):六邊形晶胞參數(shù)...
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