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當(dāng)前位置:> 供求商機(jī)> BALLUFF接近開(kāi)關(guān)BES 5166-300S

BALLUFF接近開(kāi)關(guān)BES 5166-300S
  • BALLUFF接近開(kāi)關(guān)BES 5166-300S

貨物所在地:廣東東莞市

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BALLUFF接近開(kāi)關(guān)BES 5166-300S接近開(kāi)關(guān)是傳感器家族中眾多種類中的一個(gè),它是利用電磁工作原理,,用良好的工藝制成的,,是一種位置傳感器。它能通過(guò)傳感器與物體之間的位置關(guān)系變化,,將非電量或電磁量轉(zhuǎn)化為所希望的電信號(hào),,從而達(dá)到控制或測(cè)量的目的。

BALLUFF接近開(kāi)關(guān)BES 5166-300S
接近開(kāi)關(guān)是傳感器家族中眾多種類中的一個(gè),,它是利用電磁工作原理,,用良好的工藝制成的,是一種位置傳感器,。它能通過(guò)傳感器與物體之間的位置關(guān)系變化,,將非電量或電磁量轉(zhuǎn)化為所希望的電信號(hào),從而達(dá)到控制或測(cè)量的目的,。接近傳感器目前所采用的原理有電感式,、磁式、光學(xué)式,、超聲式和電容式等,。本文介紹了幾種常用的接近開(kāi)關(guān),,并對(duì)它們的原理與應(yīng)用進(jìn)行了說(shuō)明
1.電容式接近開(kāi)關(guān)
電容式接近開(kāi)關(guān)的敏感元件由導(dǎo)電極板系統(tǒng)組成,可被視為一個(gè)或一組電容,,附近出現(xiàn)或經(jīng)過(guò)的導(dǎo)電體和介電體改變極板系統(tǒng)中的靜電場(chǎng)分布,,從而改變敏感元件的電容。信號(hào)處理電路檢測(cè)出這種變化,,就可以檢測(cè)出目標(biāo)物體的接近,。相比之下,電容式傳感器的結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單,、工作阻抗高,,因而功耗較低,此外通過(guò)鎖頻或頻譜擴(kuò)展載波調(diào)制技術(shù),,可以使之不受寄生或有意的干擾影響,。其他方案則很難達(dá)到設(shè)計(jì)者的要求。例如
機(jī)械開(kāi)關(guān)的穩(wěn)定性和可靠性較差磁敏感方式功耗過(guò)大,,也容易受外磁場(chǎng)的影響,;光學(xué)式和超聲式傳感器的結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜,容易受外界干擾,。
2.電感式接近開(kāi)關(guān)
原理:電感式接近開(kāi)關(guān)(GDKG)屬于一種有開(kāi)關(guān)量輸出的位置傳感器,,它由
LC 高頻振蕩器、信號(hào)觸發(fā)器和開(kāi)關(guān)放大器組成,。振蕩電路的線圈產(chǎn)生高頻交流磁場(chǎng),,該磁場(chǎng)經(jīng)由傳感器的感應(yīng)面釋放出來(lái)。當(dāng)有金屬物體接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),,就會(huì)使該金屬物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流,,這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān),使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減,,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,,當(dāng)信號(hào)觸發(fā)器探測(cè)到這一衰減現(xiàn)象時(shí),便把它轉(zhuǎn)換成開(kāi)關(guān)電信號(hào),。由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近開(kāi)關(guān),,進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。
這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體,。
霍爾式接近開(kāi)關(guān)
3.1 原理當(dāng)一塊通有電流的金屬或半導(dǎo)體薄片垂直地放在磁場(chǎng)中時(shí),,薄片的兩端就會(huì)產(chǎn)生電位差,這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應(yīng),。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢(shì)U,,其表達(dá)式為:   U=K·I·B/d,其中 K 為霍爾系數(shù),,I 為薄片中通過(guò)的電流,,B 為外加磁場(chǎng)(洛倫慈力 Lorrentz)的磁感應(yīng)強(qiáng)度,,d 是薄片的厚度。由此可見(jiàn),,霍爾效應(yīng)的靈敏度高低與外加磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度成正比,。霍爾接近開(kāi)關(guān)就屬于這種有源磁/電轉(zhuǎn)換器件,,它是在霍爾效應(yīng)原理的基礎(chǔ)上,,利用良好的集成封裝和組裝工藝制作而成,它可方便地把磁輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換成實(shí)際應(yīng)用中的電信號(hào),,同時(shí)又具備工業(yè)場(chǎng)合實(shí)際應(yīng)用易操作和可靠性的要求,。    霍爾接近開(kāi)關(guān)的輸入端是以磁感應(yīng)強(qiáng)度 B 來(lái)表征的,當(dāng) B 值達(dá)到一定的程度(如 B1)時(shí),,開(kāi)關(guān)內(nèi)部的觸發(fā)器翻轉(zhuǎn),,霍爾接近開(kāi)關(guān)的輸出電平狀態(tài)也隨之翻轉(zhuǎn)。輸出端一般采用晶體管輸出,,和電感式接近開(kāi)關(guān)類似的有:NPN,、PNP、常開(kāi)型,、常閉型,、鎖存型(雙極性)、雙信號(hào)輸出幾種類型,。
霍爾接近開(kāi)關(guān)是磁性接近開(kāi)關(guān)中的一種,具有無(wú)觸電,、低功耗,、長(zhǎng)使用壽命、響應(yīng)頻率高等特點(diǎn),,內(nèi)部采用環(huán)氧樹(shù)脂封灌制作成一體化結(jié)構(gòu),,所以能在各類惡劣環(huán)境下可靠地工作。它可應(yīng)用于接近開(kāi)關(guān),、壓力開(kāi)關(guān),、里程表等,它是一種新型的電器配件,。圖 1是它的內(nèi)部原理及轉(zhuǎn)移特性圖,。霍爾式開(kāi)關(guān)比電感式開(kāi)關(guān)響應(yīng)頻率高,,它用磁鋼觸發(fā),,電感式用導(dǎo)磁金屬觸發(fā),霍爾式開(kāi)關(guān)感應(yīng)距離除了與傳感器本身性能有關(guān)外,,還與所選磁鋼磁場(chǎng)強(qiáng)度有關(guān)3.2 霍爾接近開(kāi)關(guān)術(shù)語(yǔ)解釋
① 磁感應(yīng)強(qiáng)度:霍爾接近開(kāi)關(guān)在工作時(shí),,它所要求磁鋼具有的磁場(chǎng)強(qiáng)度的大小,。一般磁感應(yīng)強(qiáng)度值B 為 0.02~0.05 特斯拉。
② 響應(yīng)頻率:按規(guī)定在 1 秒的時(shí)間間隔內(nèi),,允許霍爾開(kāi)關(guān)動(dòng)作循環(huán)的次數(shù),。
③ 輸出狀態(tài):分為常開(kāi)、常閉,、鎖存等幾種類型,。例如,當(dāng)無(wú)被檢測(cè)物體時(shí),,常開(kāi)型的霍爾開(kāi)關(guān)所接通的負(fù)載,,由于霍爾接近開(kāi)關(guān)內(nèi)部的輸出晶體管的截止而不工作;當(dāng)檢測(cè)到物體時(shí),,晶體管導(dǎo)通,,負(fù)載得電工作。
④ 輸出形式:分為 NPN,、PNP,、常開(kāi)、常閉,、多功能等幾種常用的形式輸出,。
⑤ 動(dòng)作距離:動(dòng)作距離是指被檢測(cè)物體按一定方式移動(dòng)時(shí),從基準(zhǔn)位置(霍爾開(kāi)關(guān)的感應(yīng)表面)到開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)測(cè)得的基準(zhǔn)位置到檢測(cè)面的空間距離,。額定動(dòng)作距離指霍爾開(kāi)關(guān)動(dòng)作距離的標(biāo)稱值,。
⑥ 回差距離:動(dòng)作距離與復(fù)位距離之間的值。
3.3 應(yīng)用實(shí)例
BALLUFF接近開(kāi)關(guān)BES 5166-300S是由霍爾接近開(kāi)關(guān)與其它芯片組成的智能型磁敏轉(zhuǎn)速測(cè)試儀的工作原理圖,。由于轉(zhuǎn)速信號(hào)是以脈沖形式出現(xiàn)的,,當(dāng)被測(cè)磁性物體磁場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到 25 毫特斯拉以上時(shí),其輸出是標(biāo)準(zhǔn)的TTL電平,。利用計(jì)算機(jī)的智能型控制,、運(yùn)算功能,組成的轉(zhuǎn)速表既簡(jiǎn)單又精確,。如用 3020 型霍爾式接近開(kāi)關(guān),,單片機(jī)用 8031(它的晶振為 6MHz,經(jīng) 12 分頻后為 0.5MHz),,則其測(cè)量的zui大轉(zhuǎn)速為 0.5MHz,,而zui小測(cè)量轉(zhuǎn)速可無(wú)限低。 3.4 注意事項(xiàng)
①  直流型霍爾接近開(kāi)關(guān)產(chǎn)品所使用的直流電壓為 3~28V,,其典型的應(yīng)用范圍一般采用 5~24V,,過(guò)高的電壓會(huì)引起其內(nèi)部霍爾元器件參數(shù)隨電壓升高而變化的不穩(wěn)定性,而過(guò)低的電壓容易讓外界的溫度變化影響磁場(chǎng)強(qiáng)度特性,,從而引起電路誤動(dòng)作,。
② 當(dāng)使用霍爾接近開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí),,請(qǐng)?jiān)谪?fù)載兩端并接入續(xù)流型二極管,否則會(huì)因感性負(fù)載長(zhǎng)期動(dòng)作時(shí)的瞬態(tài)高壓脈沖影響霍爾開(kāi)關(guān)的使用壽命,。
③ 一般霍爾接近開(kāi)關(guān)產(chǎn)品用 SMD 工藝生產(chǎn)制造而成,,并經(jīng)嚴(yán)格的測(cè)試合格后才出廠。在一般情況下使用是不會(huì)出現(xiàn)損壞現(xiàn)象的,,但為了防止意外性事件發(fā)生,,用戶在接通電源前應(yīng)檢查接線是否正確,并核定其電壓是否為額定值,。
BALLUFF接近開(kāi)關(guān)BES 5166-300S部分產(chǎn)品:
BNS 819-B03-K12-61-12-10 BNS 819-D04-R12-100-10-FD-S90
BNS 813-B02-D16-61-D-12-02 BNS 819-B03-L12-61-12-10
BGL 80A-001-S 49 BNS 813-B02-E12-61-A-10-01
BNS 819-B03-L12-61-12-10-S80 BNS 813-B02-E12-61-A-20-01
BNS 819-B03-L12-61-12-3B BNS 813-B02-E12-61-A-22-02
BNS 819-B03-L16-61-16-10 BNS 813-B02-K12-61-A-10-01
BNS 819-B03-R08-40-10 BNS 819-D04-R12-62-10-FE
BNS 813-B02-K12-61-A-12-02 BNS 813-X524-D06-K12-100-22-06
BNS 819-B03-R08-40-11 BNS 819-D04-R16-100-10
BNS 813-B02-K12-61-A-22-02 BNS 819-B03-R08-40-12
BNS 813-B02-K16-61-D-22-02 BNS 819-B03-R08-40-13
BNS 819-D05-D12-100-10 BIS L-6027-039-050-06-ST19
BNS 813-B02-L12-61-A-10-01 BNS 819-B03-R08-40-13-S 80
BNS 819-D05-D12-100-10-FD BNS 813-B02-L12-61-A-12-02
BNS 816-B02-KHG-12-610-11 BNS 819-B03-R08-46-11
BNS 819-D05-D12-100-10-FE BNS 813-B02-L12-61-A-20-01
BNS 819-B03-R08-46-13 BNS 813-B02-L12-61-A-22-02
BNS 819-B03-R10-46-10 BNS 813-B02-L12-61-A-22-02-FC
BNS 816-B02-PA-12-602-11 BNS 819-B03-R10-46-11
BNS 819-D05-D16-100-10 BNS 813-B02-L16-61-B-10-01
BNS 816-B02-PA-12-610-11 BNS 819-B03-R10-46-13
BNS 819-D05-D16-100-10-FD BNS 813-B02-L16-61-B-22-02
BNS 816-B02-PA-16-602-11 BNS 819-B03-R12-61-12-10
BNS 813-B02-R12-61-A-10-01 BNS 816-B02-PA-16-611-11
BNS 819-B03-R12-61-12-10-FD BNS 819-D05-E12-100-10-FD
BNS 813-B02-R12-61-A-12-02 BNS 816-B02-THA-16-602-11
BNS 819-B03-R12-61-12-10-S80 BNS 813-B02-R12-61-A-20-01
BNS 816-B02-THA-16-611-11 BNS 819-D05-K16-100-10-FE
BNS 813-B02-R12-61-A-20-01-FC BNS 816-B02-TNB-08-650-11
BNS 819-B03-R12-61-24-10 BNS 819-D05-L12-100-10
BNS 813-B02-R12-61-A-22-02 BNS 816-B02-TOB-08-603-11
BNS 819-B03-R12-72-10 BNS 819-D05-L12-100-10-FD
BNS 813-B02-R12-61-D-10-01-FC BNS 816-B02-TOB-08-650-11
BNS 819-B03-R16-61-16-10 BNS 813-B02-R12-61-D-22-02
BNS 816-B02-TOB-10-603-11 BNS 819-B04-D08-40-10
BNS 819-D05-R12-100-10 BNS 816-B02-WS-12-610-11
BNS 819-B04-D08-40-11 BNS 819-D05-R12-100-10-FD
BNS 813-B02-R16-61-B-12-02 BNS 813-B02-R16-61-B-22-02
BNS 816-B03-KHG-12-610-11 BNS 819-B04-D08-40-12
BNS 819-D05-R16-100-10 BNS 813-B03-D08-40-49-03
BNS 816-B03-NA-12-602-11 BNS 819-B04-D08-40-13
BNS 819-D05-R16-100-10-FE BNS 813-B03-D12-61-A-10-0091
BNS 819-B04-D08-40-13-S 80 BNS 813-B03-D12-61-A-10-01
BNS 816-B03-PA-12-602-11 BNS 819-B04-D08-46-10
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BNS 819-B04-D08-46-11 BNS 819-D06-D12-100-10
BNS 813-B03-D12-61-A-10-0517 BNS 819-B04-D08-46-13
BNS 819-D06-D12-100-10-FD BNS 813-B03-D12-61-A-12-03
BNS 819-D06-D12-100-10-FD-S90L BNS 813-B03-D12-61-A-20-02
BNS 816-B03-PA-12-610-11 BNS 819-B04-D08-46-3B
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BNS 819-B04-D10-46-10 BNS 819-D06-D12-100-10-FE
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BNS 819-D06-E12-100-10-FD BNS 813-B03-L12-61-A-10-01
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BNS 819-B04-E08-40-11 BNS 819-D06-L12-100-10-FD
BNS 813-B03-L12-61-A-10-1038 BNS 816-B04-KHG-12-610-11

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