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美國(guó)KRI RFICP 220型離子源參數(shù)介紹
點(diǎn)擊次數(shù)：117 發(fā)布時(shí)間：2025-3-11
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設(shè)計(jì)原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領(lǐng)域,,。
美國(guó)KRI RFICP 220型離子源參數(shù)介紹如下：
陽(yáng)極
電感耦合等離子體
2kW & 2 MHz
射頻自動(dòng)匹配
最大陽(yáng)極功率
>1kW
最大離子束流
> 1000mA
電壓范圍
100-1200V
離子束動(dòng)能
100-1200eV
氣體
Ar, O2, N2, 其他
流量
5-50 sccm
壓力
< 0.5mTorr
離子光學(xué), 自對(duì)準(zhǔn)
OptiBeamTM
離子束柵極
22cm Φ
柵極材質(zhì)
鉬
離子束流形狀
平行,聚焦,散射
中和器
LFN 2000 or RFN
高度
30 cm
直徑
41 cm
鎖緊安裝法蘭
10"CF
適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實(shí)現(xiàn)更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 標(biāo)準(zhǔn)配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 1000 mA.
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