（1）氧化層的成長速率不是一直維持恒定的趨勢,，制程時間與成長厚度之重復性是較為重要之考量。

（2）后長的氧化層會穿透先前長的氧化層而堆積于上,；換言之,，氧化所需之氧或水汽，勢必也要穿透先前成長的氧化層到硅質(zhì)層,。故要生長更厚的氧化層,，遇到的阻礙也越大,。 

（3）干氧層主要用于制作金氧半（MOS）晶體管的載子信道（channel）；而濕氧層則用于其它較不嚴格講究的電性阻絕或制程罩幕（masking）,。前者厚度遠小于后者,，1000~1500埃已然足夠。

（4）對不同晶面走向的晶圓而言,，氧化速率有異：通常在相同成長溫度,、條件、及時間下,，{111}厚度≧{110}厚度＞{100}厚度,。

（5）導電性佳的硅晶氧化速率較快。

（6）適度加入氯化氫（HCl）氧化層質(zhì)地較佳,；但因容易腐蝕管路,，已漸少用。

（7）氧化層厚度的量測,，可分破壞性與非破壞性兩類,。前者是在光阻定義阻絕下，泡入緩沖過的BOE,，BufferedOxideEtch,，系HF與NH4F以1：6的比例混合而成的腐蝕劑）將顯露出來的氧化層去除，露出不沾水的硅晶表面,，然后去掉光阻,，利用表面深淺量測儀（surfaceprofileroralphastep），得到有無氧化層之高度差,，即其厚度,。