圓片在基區(qū)擴(kuò)散后,，發(fā)射區(qū)擴(kuò)散前都要做先行片,，由先行片的實(shí)驗(yàn)工藝條件來指導(dǎo)批量生產(chǎn)，在測試前需要進(jìn)行特性光刻開特性孔,，特性光刻后進(jìn)行前處理：在加熱到（75±5）℃的2號液中煮一段時間,，然后再進(jìn)行H₂處理，后利用四探針測試儀測試晶體管的特性,。

H₂處理的工藝溫度為500℃,，進(jìn)行H₂處理的目的是為了改善硅片表面的表面態(tài)密度，由于硅片特性光刻后在表面形成很多硅的懸掛鍵,，即存在很多表面態(tài),，通過H₂處理可以將硅懸掛鍵和氫鍵結(jié)合從而減少界面態(tài)，如果不進(jìn)行H₂處理,，特性測試不出來,。

對于三極管（小功率和大功率）來說，主要是雙結(jié)測試,，主要測試參數(shù)有BVCBO,、BVCEO、BVEBO,、HFE,，如果HFE偏小，則需要追加擴(kuò)散，一般擴(kuò)散時間越長,，HFE越大,，當(dāng)然HFE均勻性也很重要，不能太離散,。對于大功率晶體管還需要在基區(qū)擴(kuò)散后進(jìn)行單結(jié),，主要測試BVCBO。