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,、三極管的電流放大原理 

晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管,。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式,，但使用多的是硅NPN和PNP兩種三極管,，兩者除了電源極性不同外,，其工作原理都是相同的,，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理,。 

圖一是NPN管的結構圖，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成,，從圖可見發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結稱為發(fā)射結,而集電區(qū)與基區(qū)形成的PN結稱為集電結,三條引線分別稱為發(fā)射極e,、基極b和集電極。
 
圖1,、晶體三極管（NPN）的結構

當b點電位高于e點電位零點幾伏時,，發(fā)射結處于正偏狀態(tài)，而C點電位高于b點電位幾伏時,，集電結處于反偏狀態(tài),，集電極電源Ec要高于基極電源Ebo。 

在制造三極管時,，有意識地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的,，同時基區(qū)做得很薄，而且,，要嚴格控制雜質含量,，這樣，一旦接通電源后,，由于發(fā)射結正確,，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子（電子）極基區(qū)的多數(shù)載流子（控穴）很容易地截越過發(fā)射結構互相向反方各擴散,，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發(fā)射結的電流基本上是電子流,，這股電子流稱為發(fā)射極電流Ie,。 

由于基區(qū)很薄,加上集電結的反偏，注入基區(qū)的電子大部分越過集電結進入集電區(qū)而形成集電集電流Ic,，只剩下很少（1-10%）的電子在基區(qū)的空穴進行復合,，被復合掉的基區(qū)空穴由基極電源Eb重新補紀念給，從而形成了基極電流Ibo根據(jù)電流連續(xù)性原理得： 

Ie=Ib+Ic 

這就是說,，在基極補充一個很小的Ib,，就可以在集電極上得到一個較大的Ic，這就是所謂電流放大作用,，Ic與Ib是維持一定的比例關系,，即： 

β1=Ic/Ib 

式中：β--稱為直流放大倍數(shù)， 

集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為： 

β= △Ic/△Ib 

式中β--稱為交流電流放大倍數(shù),，由于低頻時β1和β的數(shù)值相差不大,，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區(qū)分,，β值約為幾十至一百多,。 

三極管是一種電流放大器件，但在實際使用中常常利用三極管的電流放大作用,，通過電阻轉變?yōu)殡妷悍糯笞饔谩?nbsp;

二,、三極管的特性曲線 

1、輸入特性 

圖2 （b)是三極管的輸入特性曲線,，它表示Ib隨Ube的變化關系,，其特點是：1）當Uce在0-2伏范圍內，曲線位置和形狀與Uce 有關,，但當Uce高于2伏后,，曲線Uce基本無關通常輸入特性由兩條曲線（Ⅰ和Ⅱ）表示即可。