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絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）簡介
閱讀：752 發(fā)布時間：2018-9-11
IGBT（Insulated Gate Bipolor Transistor）叫做絕緣柵極雙極晶體管。這種器件具有MOS門極的高速開關(guān)性能和雙極動作的高耐壓、大電流容量的兩種特點,。其開關(guān)速度可達1mS,，額定電流密度100A/cm2，電壓驅(qū)動,，自身損耗小,。其符號和波形圖如下圖所示。
IGBT可以耐高壓,、大電流,，常以一個單元,、二個單元、六個單元裝在一個芯片上,，下圖給出一,、二、六單元在一個硅片上的等效電路,。