測(cè)試絕緣電阻是檢驗(yàn)電力設(shè)備絕緣狀態(tài)zui簡(jiǎn)單zui基本的方法,。一般采用2500V或5000V兆歐表進(jìn)行測(cè)試,，根據(jù)所加直流電壓和通過絕緣介質(zhì)的電流，即可計(jì)算出絕緣電阻。但是為什么測(cè)量時(shí)阻值會(huì)逐漸增大,，為什么要取60s時(shí)的阻值作為絕緣電阻值,，什么時(shí)候要測(cè)吸收比和極化指數(shù)，測(cè)量絕緣電阻有什么局限,，下面為您一一講解,。

電力設(shè)備的絕緣材料（電介質(zhì)）不是的不導(dǎo)電。在直流電壓的作用下,，電介質(zhì)中有微弱的電流流過,。根絕電介質(zhì)材料的性質(zhì)、構(gòu)成及結(jié)構(gòu)的不同,，此電流由三部分組成,，分別是充電電流i1、吸收電流i2和泄露電流i3,。原理圖如下：

充電電流i1：直流電壓作用在絕緣材料上,，加壓的瞬間相當(dāng)于給電容充電，等效負(fù)荷用電容C1表示,。充電電流隨加壓時(shí)間衰減很快,。

吸收電流i2：吸收電流由緩慢極化和夾層極化產(chǎn)生，等效負(fù)荷用電容C2和電阻r串聯(lián)表示,。吸收電流隨加壓時(shí)間衰減較慢,。

泄露電流i3：由介質(zhì)的電導(dǎo)引起，是zui終要測(cè)的電流,，等效負(fù)荷用電阻R表示,。泄露電流基本保持不變。

理論上的絕緣電阻即為R=U/i3,，實(shí)際為U/(i1+i2+i3),。剛開始加壓時(shí)，i1,、i2值較大,，測(cè)得的阻值比實(shí)際絕緣電阻小，隨后i1,、i2逐漸減小,，所以測(cè)得的絕緣電阻會(huì)逐漸增大。一般到60s之后i1,、i2減小到可允許的范圍,，測(cè)得的絕緣電阻趨于穩(wěn)定，接近于理論值,，所以一般取60s時(shí)測(cè)得的阻值為絕緣電阻值,。

對(duì)于大容量和吸收過程較長(zhǎng)的設(shè)備，如變壓器、發(fā)電機(jī),、電纜等,，還應(yīng)測(cè)試吸收比和極化指數(shù)。一般吸收比在常溫下不低于1.3,；吸收比偏低時(shí)可測(cè)量極化指數(shù),，應(yīng)不低于1.5；

吸收比K=R_60s/R_15s,，即60s絕緣電阻值與15s絕緣電阻值之比,。

極化指數(shù)PI=R_10min/R_1min，即10min絕緣電阻值與1min絕緣電阻值之比,。
    絕緣電阻合格并不能確保電力設(shè)備絕緣良好,，因?yàn)?/span>只有當(dāng)絕緣缺陷貫通于兩極之間，測(cè)得其絕緣電阻時(shí)才會(huì)有明顯的變化,。若設(shè)備絕緣只是局部缺陷,，而兩極之間仍保持有部分良好絕緣時(shí)。絕緣電阻降低很少,，甚至不發(fā)生變化,。所以一般測(cè)試絕緣電阻后還要進(jìn)行耐壓、介質(zhì)損失角或局部放電等試驗(yàn)來進(jìn)一步判斷絕緣的好壞,。