作為本次活動(dòng)主持,，會(huì)議伊始,，她表示，材料聯(lián)合體保持著國(guó)際開(kāi)放合作的態(tài)度,，希望能與梅特勒托利多等國(guó)際企業(yè)一道積極推動(dòng)國(guó)際國(guó)內(nèi)材料,、設(shè)備及零部件等企業(yè)友好進(jìn)行產(chǎn)業(yè)與技術(shù)交流。

半導(dǎo)體材料是下游應(yīng)用的基石,，其性能表現(xiàn)直接關(guān)系到下游的發(fā)展質(zhì)量,。因此,，先進(jìn)的表征與分析檢測(cè)技術(shù)對(duì)產(chǎn)品良率至關(guān)重要,。

鄧桂鳳女士在會(huì)上致辭，她表示，本次活動(dòng)搭載集成電路材料創(chuàng)新聯(lián)合體,，與行業(yè)人員共同探討集成電路材料檢測(cè)技術(shù),。梅特勒托利多將帶來(lái)半導(dǎo)體材料生產(chǎn)、研發(fā)的系列技術(shù)解決方案,。

劉超先生在報(bào)告環(huán)節(jié)為我們帶來(lái)了主題演講分享——“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈智能稱(chēng)重應(yīng)用”,。劉總指出， 生產(chǎn)計(jì)量稱(chēng)重對(duì)半導(dǎo)體材料制作進(jìn)行精準(zhǔn)控制,，是實(shí)現(xiàn)材料產(chǎn)品良率最大化的重要工具,。例如濕電子化學(xué)品工藝過(guò)程中，精餾和過(guò)濾工藝,，原料存儲(chǔ)計(jì)量,、過(guò)程料位計(jì)量、包裝計(jì)量及復(fù)核,、貿(mào)易結(jié)算以及后期的混配工藝和配料管理應(yīng)用中都需要稱(chēng)重工具支撐,，確保最終產(chǎn)品的質(zhì)量和工藝表現(xiàn)穩(wěn)定性。

鄒閱超博士分享了上海集材院在光刻膠及濕電子化學(xué)品檢測(cè)技術(shù)能力,。上海集材院擁有ICPMS,、GPC、NMR,、FTIR,、陰離子IC等多臺(tái)材料表征設(shè)備,，并且擁有十級(jí),、百級(jí),、萬(wàn)級(jí)潔凈室,，可針對(duì)各類(lèi)光刻膠,、濕電子化學(xué)品等多種材料作較為系統(tǒng)的理化性能分析,，包括元素分析,、構(gòu)造解析,、色譜分析,、熱分析等,。在高純材料方面，針對(duì)金雜,、顆粒,、陰離子等高度關(guān)注項(xiàng)，集材院正探索出一套更低檢出限,、更高靈敏度,、更穩(wěn)定可靠的檢測(cè)方法，并嚴(yán)格規(guī)范操作標(biāo)準(zhǔn),、材料使用,。

汪正教授帶來(lái)關(guān)于“等離子體質(zhì)譜應(yīng)用于高純半導(dǎo)體材料分析”的主題演講,。汪教授指出半導(dǎo)體制程中50%的廢棄硅片由于所用試劑及材料中的痕量污染，半導(dǎo)體行業(yè)關(guān)注的元素中,，堿金屬,、堿土金屬可能引起元器件漏電，過(guò)度元素和重金屬會(huì)縮短元器件壽命,，滲透元素影響電子和空穴的數(shù)量,。ICP-MS幫助材料廠(chǎng)商有效檢測(cè)高純材料金屬雜質(zhì)含量。最后,，他還介紹了LA-ICP-MS雜質(zhì)元素原位定量分析方法研究在碳化硅等材料的應(yīng)用,。

馬珺瑛女士發(fā)表“在線(xiàn)檢測(cè)技術(shù)在半導(dǎo)體材料生產(chǎn)的新應(yīng)用”的主題演講。馬老師指出,，隨著半導(dǎo)體進(jìn)程的發(fā)展,，IC制造對(duì)濕電子化學(xué)品污染控制提出了更高的要求，梅特勒托利多6000TOCi總有機(jī)碳分析儀,，打斷了非離子有機(jī)物（不導(dǎo)電）的化學(xué)鍵,，將其氧化成為可導(dǎo)電的物質(zhì)，從而能夠進(jìn)行快速而連續(xù)地測(cè)量,，有效在線(xiàn)監(jiān)測(cè)有機(jī)物污染情況,，相比其他方法，具有更低的檢測(cè)限,。

潘濤先生帶來(lái)” 原子力顯微鏡在半導(dǎo)體FA領(lǐng)域應(yīng)用”的主題演講,。潘總表示，原子力顯微鏡（AFM）可以在非真空態(tài)實(shí)現(xiàn)亞納米級(jí)的分辨率,，也可用于測(cè)量非導(dǎo)電樣品,。AFM在半導(dǎo)體器件失效分析中具有重要應(yīng)用，它可以提供高分辨率的表面形貌和物理特性信息,，例如粗糙度,，關(guān)鍵尺寸、晶圓表面缺陷,、測(cè)量 STI（淺溝槽隔離）的深度,、器件的電學(xué)失效分析、互連線(xiàn)的剖面輪廓和光掩膜版修復(fù)等幫助確定失效的原因和位置,。