相控陣檢測(cè)內(nèi)壁腐蝕試驗(yàn)
導(dǎo)語(yǔ):
本文是以前做過(guò)的一個(gè)試驗(yàn),,現(xiàn)場(chǎng)有一 處容器需要測(cè)定腐蝕情況,,測(cè)腐蝕我們傳統(tǒng)的方式是采用測(cè)厚儀,,在現(xiàn)場(chǎng)工件上畫格子線進(jìn)行單點(diǎn)測(cè)厚,,本次業(yè)主要求測(cè)厚需要采用可記錄的方式,,何為可記錄方式?理解可記錄至少檢測(cè)結(jié)果可存儲(chǔ),、檢測(cè)位置可追溯,。小編想采用相控陣檢測(cè)會(huì)是什么效果,于是采用相控陣進(jìn)行試驗(yàn),,下面是試驗(yàn)結(jié)果。
一,、試驗(yàn)準(zhǔn)備:
1,、檢測(cè)系統(tǒng)
設(shè)備:OLYMPUS OmniScan MX2;
探頭:5L16-A10;
楔塊:0L-A10;
編碼器:mini編碼器
2,、采用試塊
階梯平底孔試塊(φ8mm平底孔),,結(jié)構(gòu)形式見圖1:
圖1.階梯試塊結(jié)構(gòu)形式
二、試驗(yàn)過(guò)程及檢測(cè)結(jié)果
1,、首先對(duì)設(shè)備探頭進(jìn)行及楔塊進(jìn)行選擇(相控陣設(shè)備內(nèi)置一些探頭及楔塊的參數(shù),,需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的型號(hào)選擇,確保定位,、定量的準(zhǔn)確性,。如設(shè)備中無(wú)內(nèi)置信息需要自定義進(jìn)行設(shè)置)。
2,、本文未對(duì)TCG(時(shí)間增益修正)進(jìn)行校準(zhǔn),,只是針對(duì)不同的聚焦法則下進(jìn)行比對(duì)檢測(cè)。
3,、聚焦法則的設(shè)置:采用0度線掃描,,激發(fā)孔徑為4晶片,激發(fā)起始晶片為1,,終止晶片為16,,連接mini掃查器,檢測(cè)由厚至薄,,探頭聲束通過(guò)底片平底孔,,檢測(cè)效果見圖2.
圖2.激發(fā)四晶片線掃描檢測(cè)結(jié)果
3、聚焦法則的設(shè)置:
采用0度線掃描,,激發(fā)孔徑為4晶片,,激發(fā)起始晶片為1,,終止晶片為16,連接mini掃查器,,檢測(cè)由厚至薄,,探頭聲束通過(guò)底片平底孔,檢測(cè)效果見圖3.
圖3.激發(fā)八晶片線掃描檢測(cè)結(jié)果
4,、結(jié)論:
采用OmniScan MX2檢測(cè)腐蝕,,線掃描可用,B掃描檢測(cè)結(jié)果直觀(板厚變化明顯,,平底孔顯示清晰)定量準(zhǔn)確,,C掃描檢測(cè)結(jié)果直觀易見,無(wú)法對(duì)面積定量,,索引軸為未校正標(biāo)尺,,無(wú)法對(duì)面積進(jìn)行定量??刹捎肨OMview,,進(jìn)行體積融合。