1、可測量太陽能,，多晶硅塊,、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面%拋光,，直接對切割面或研磨面進(jìn)行測量,。同時可測量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路、整流器,、晶體管,，硅單晶的少子壽命。
2,、可測量太陽能,，單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命，表面%拋光,、鈍化,。
3、配備,，軟件的數(shù)字示波器,，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時顯示動態(tài)光電導(dǎo)衰退波形,，并可聯(lián)用打印機(jī)及計算機(jī),。
4,、配置兩種波長的紅外光源：
a、紅外光源,，光穿透硅晶體深度較深≥500μm,，有利于準(zhǔn)確測量晶體少數(shù)載流子體壽命。
b,、短波長紅外脈沖激光器,，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強(qiáng)較強(qiáng),，有利于測量低阻太陽能,，硅晶體。
5,、測量范圍寬廣
    測試儀可直接測量：
a,、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω?㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命,，切割片的少子相對壽命,。
b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω?㎝范圍內(nèi)的硅單晶,、鍺單晶拋光片,。
   壽命可測范圍      0.25μS—10ms