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       今天小編給大家講講如何用高溫馬弗爐測定游離二氧化硅的含量，如下：

       首先稱取礦石試樣0.1g置于50mL錐形瓶中,，加入15mL焦磷酸,，用玻璃棒至全部樣品粉末被酸浸濕，內(nèi)插入一溫度計并放在電熱恒溫加熱板上,，加熱至250℃,，在加熱過程中，時刻用玻棒攪拌,，并保持245~250℃溫度下15min,，取下冷卻至100~150℃，移入冷卻槽中繼續(xù)冷50~60℃,，取出,，將內(nèi)溶物逐滴倒入盛有100mL蒸餾水之250mL燒杯中，然后用水洗滌錐形瓶,，此時體積為150~200mL,，煮沸，趁熱用致密濾紙過濾,，先用0.1mol/L的鹽酸洗滌3~次,，然后用蒸餾水洗滌至無氯離子反應(yīng)為止。

       然后將濾紙及沉淀物放入已知恒量的瓷坩堝中灰化,，灼燒冷卻稱量,。如果要準(zhǔn)確的測定，則用熱水洗滌至無磷酸根離子為止(一般20次或用鉬酸銨與抗壞皿酸等溶液檢驗之),。將沉淀物放入清潔已知恒量鉑坩堝中,，先在電熱恒溫加熱板上灰化,，然后在800~850℃高溫馬弗爐中灼燒30min，冷卻,，稱量,，再在鉑坩堝中滴入硫酸(1+1),，使二氧化硅全部為硫酸所浸濕,，再加入5~10mL氫弗酸，放于水浴鍋上加熱,，直至蒸發(fā)不冒白煙為止,，再于800~850℃的馬弗爐中灼燒20min，冷卻稱量,，二次重量差即為游離二氧化硅的含量,。