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      今天小編給大家講講如何用箱式電阻爐測定游離二氧化硅的含量,，如下：
      首先稱取礦石試樣0.1g置于50mL錐形瓶中，加入15mL焦磷酸,，用玻璃棒至全部樣品粉末被酸浸濕,，內(nèi)插入一溫度計(jì)并放在電熱恒溫加熱板上，加熱至250℃,，在加熱過程中,，時(shí)刻用玻棒攪拌，并保持245~250℃溫度下15min,，取下冷卻至100~150℃,，移入冷卻槽中繼續(xù)冷50~60℃，取出,，將內(nèi)溶物逐滴倒入盛有100mL蒸餾水之250mL燒杯中,，然后用水洗滌錐形瓶，此時(shí)體積為150~200mL,，煮沸,，趁熱用致密濾紙過濾,，先用0.1mol/L的鹽酸洗滌3~次,，然后用蒸餾水洗滌至無氯離子反應(yīng)為止。
      然后將濾紙及沉淀物放入已知恒量的瓷坩堝中灰化,，灼燒冷卻稱量,。如果要準(zhǔn)確的測定，則用熱水洗滌至無磷酸根離子為止(一般20次或用鉬酸銨與抗壞皿酸等溶液檢驗(yàn)之),。將沉淀物放入清潔已知恒量鉑坩堝中,，先在電熱恒溫加熱板上灰化，然后在800~850℃箱式電阻爐中灼燒30min,，冷卻,，稱量,，再在鉑坩堝中滴入硫酸(1+1)，使二氧化硅全部為硫酸所浸濕,，再加入5~10mL氫弗酸,，放于水浴鍋上加熱，直至蒸發(fā)不冒白煙為止,，再于800~850℃的箱式電阻爐中灼燒20min,，冷卻稱量，二次重量差即為游離二氧化硅的含量,。