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光刻過程簡介
閱讀：3374 發(fā)布時(shí)間：2016-12-24
光刻：
通過光刻將光刻版上的圖形印刷到Wafer上，首先要在Wafer上涂上一層感光膠,，在需要開口的地方進(jìn)行高強(qiáng)平行光線曝光（紫外線）,，讓光線通過，然后在經(jīng)過顯影,，將開口處的膠去掉,，這樣就可以得到我們所需要的CD開口。所謂的CD（Critical-Dimensions）【臨界尺寸】也即光刻的開口,。
光刻工序中的曝光和顯影類似照相的工藝原理,。
曝光方式有三種
- 接觸式曝光:解晰度好,但掩膜版易被污染
- 接近式曝光:解晰度降低,但掩膜版不易被污染
- 投影式曝光:解晰度好,并且掩膜版不易被污染
在Bumping生產(chǎn)中,一般采用接近式曝光和投影式曝光兩種方式.
正膠版與光刻膠的關(guān)系：
光刻版出現(xiàn)的白區(qū)，透過光照后,，與膠發(fā)生光學(xué)反應(yīng),，再通過感光膠的反應(yīng)（顯影液），得到所需要的CD開口區(qū),。
負(fù)膠版與光刻膠的關(guān)系：
光刻版出現(xiàn)的黑區(qū)與正膠版相反,，透過光的區(qū)域不會(huì)被顯影掉,，未透光的區(qū)域與膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)（顯影液），將需要的光刻膠留在Wafer表面,，
負(fù)膠的作用：一般用來對芯片起表面保護(hù)作用,、壓點(diǎn)轉(zhuǎn)移、重新布線開口,。
針對Bump與Bump之間間距很小或開口尺寸要求放大或縮小時(shí)
