一,、InGaAs光電探測器原理

是一種新型的半導(dǎo)體材料,，帶隙能量約在0.7~1.7eV之間,，適用于近紅外光范圍的探測,。基于外部光照射后的物理效應(yīng),，將光信號轉(zhuǎn)換為電信號輸出。當(dāng)外部光照射到探測器的PN結(jié)上時(shí),，光子將被吸收并轉(zhuǎn)化為電子-空穴對,，電子和空穴將被分別吸引到PN結(jié)兩側(cè)，在外部電場的作用下形成電流輸出,。

二,、InGaAs光電探測器制備工藝

制備工藝包括外延生長,、芯片制備,、器件封裝等環(huán)節(jié)。其中外延生長采用分子束外延(MBE)或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)等技術(shù),，按照成分比例將In,、Ga、As材料在襯底上進(jìn)行原子層沉積,，生長出InGaAs晶體外延層,。芯片制備過程主要是將外延層進(jìn)行切割、退火,、拋光等處理后得到單個InGaAs芯片,。最后將芯片進(jìn)行封裝,，連接電線等操作后即可得到完整的InGaAs光電探測器。

三,、InGaAs光電探測器性能

具有高靈敏度,、高速度、高分辨率等優(yōu)點(diǎn),，能夠探測到0.95~1.7μm波長范圍內(nèi)的信號,。其響應(yīng)速度可達(dá)到GHz級別，讀出噪聲低于10nA/√Hz,，線性動態(tài)范圍高達(dá)100dB以上,。對于大部分應(yīng)用場景而言，InGaAs光電探測器的量子效率已經(jīng)達(dá)到了70%以上,，且隨著技術(shù)的不斷提升,。

四、InGaAs光電探測器應(yīng)用

具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,，在通信,、顯微鏡、醫(yī)學(xué)成像,、衛(wèi)星遙感等方面都有著非常重要的地位,。在通信領(lǐng)域，主要用于光通信中的光源檢測,、光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)測等方面;在顯微鏡,、醫(yī)學(xué)成像領(lǐng)域，可以幫助科學(xué)家們通過可見光和近紅外光來對樣本進(jìn)行更加精確的探測;在衛(wèi)星遙感領(lǐng)域,，可以與其它器件組合使用,，進(jìn)行大氣成分探測、地球表面覆蓋等方面的研究,。

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