逆共析轉變是高溫下進行的擴散性相變，轉變的全過程可以分為四個階段,，即：奧氏體形核,，奧氏體晶核長大，剩余滲碳體溶解,，奧氏體成分相對均勻化,。各種鋼的奧氏體形核形成過程有一些區(qū)別，亞共析鋼,、過共析鋼,、合金鋼的奧氏體化過程中除了奧氏體形成的基本過程外，還有先共析相的溶解,、合金碳化物的溶解等過程,。
奧氏體形成的熱力學條件：必須存在過冷度或過熱度?T。
1. 奧氏體形核
奧氏體的形核位置通常在鐵素體和滲碳體兩相界面上,，此外,，珠光體領域的邊界，鐵素體嵌鑲塊邊界都可以成為奧氏體的形核地點,。奧氏體的形成是不均勻形核,，復合固態(tài)相變的一般規(guī)律。
一般認為奧氏體在鐵素體和滲碳體交界面上形核,。這是由于鐵素體碳含量極低(0.02%以下),，而滲碳體的碳含量又很高(6.67%)，奧氏體的碳含量介于兩者之間,。在相界面上碳原子有吸附,，含量較高，界面擴散速度又較快,，容易形成較大的濃度漲落,，使相界面某一區(qū)域達到形成奧氏體晶核所需的碳含量；此外在界面上能量也較高,，容易造成能量漲落,，以便滿足形核功的要求；在兩相界面處原子排列不規(guī)則,，容易滿足結構漲落的要求,。所有漲落在相界面處的優(yōu)勢，造成奧氏體晶核最容易在此處形成,。
奧氏體的形核是擴散型相變,，可在鐵素體與滲碳體上形核，也可在珠光體領域的交界面上形核,，還可以在原奧氏體晶核上形核,。這些界面易于滿足形核的能量,、結構和濃度3個漲落條件。
2. 奧氏體晶核的長大
加熱到奧氏體相區(qū),，在高溫下,，碳原子擴散速度很快，鐵原子和替換原子均能夠充分擴散,，既能夠進行界面擴散,，也能夠進行體擴散，因此奧氏體的形成是擴散型相變,。
3. 剩余碳化物溶解
鐵素體消失后,，在t1溫度下繼續(xù)保持或繼續(xù)加熱時，隨著碳在奧氏體中繼續(xù)擴散,，剩余滲碳體不斷向奧氏體中溶解,。
4. 奧氏體成分均勻化
當滲碳體剛剛全部融入奧氏體后，奧氏體內(nèi)碳濃度仍是不均勻的,，只有經(jīng)歷長時間的保溫或繼續(xù)加熱,，讓碳原子急性充分的擴散才能獲得成分均勻的奧氏體。
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