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[供應(yīng)]介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)定儀（介電性能測(cè)試儀）
產(chǎn)地：北京市房山區(qū)開(kāi)發(fā)區(qū)顧八路1區(qū)1號(hào)
更新時(shí)間：2024-12-31 10:08:06
有效期：2024年12月31日 -- 2025年4月1日
已獲點(diǎn)擊：337
一、符合標(biāo)準(zhǔn)：
GB/T1409測(cè)量電氣絕緣材料在工頻,、音頻,、高頻(包括米波波長(zhǎng)存內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法;
GB/T 5654-2007液體絕緣材料相對(duì)電容率,、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測(cè)量;
二,、產(chǎn)品概述：
ZJD-87介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)定儀（介電性能測(cè)試儀）是一款專(zhuān)為實(shí)驗(yàn)室研制的高精度高壓電橋，突破了傳統(tǒng)的電橋測(cè)量方式,，采用變頻電源技術(shù),，利用單片機(jī)和現(xiàn)代化電子技術(shù)進(jìn)行自動(dòng)頻率變換、模/數(shù)轉(zhuǎn)換和數(shù)據(jù)運(yùn)算,；達(dá)到抗干擾能力強(qiáng),、測(cè)試速度快、精度高,、全自動(dòng)數(shù)字化,、操作簡(jiǎn)便；廣泛適用于電力行業(yè)中變壓器,、互感器,、套管、電容器,、避雷器等設(shè)備及相關(guān)絕緣材料的介損和介電常數(shù)的測(cè)量,。
三、技術(shù)指標(biāo)：
準(zhǔn)確度：Cx:±（讀數(shù)×0.5%+0.5pF）,；
tgδ:±（讀數(shù)×0.5%+0.00005）,；ε：0.5%；
抗干擾指標(biāo)：變頻抗干擾（40-70Hz）,，最大輸入電流5A,；
內(nèi)置最高10KV測(cè)試電壓輸出，可調(diào)分辨率1V；
電容量范圍：內(nèi)施高壓：3pF～60000pF/10kV,；60pF～1μF/0.5kV,；
外施高壓：3pF～1.5μF/10kV；60pF～30μF/0.5kV,；
外接量程擴(kuò)展器時(shí)可以測(cè)試幾千安培下高壓電器的介損值,；
分辨率：最高0.001pF，4位有效數(shù)字,；
計(jì)算機(jī)接口：標(biāo)準(zhǔn)RS232接口,；
外形尺寸：8U標(biāo)準(zhǔn)機(jī)箱；
儀器重量：25kg,；
離子位移極化—— Ionic Polarization
電介質(zhì)中的正負(fù)離子在電場(chǎng)作用下發(fā)生可逆的彈性位移,。 正離子沿電場(chǎng)方向 移動(dòng),，負(fù)離子沿反電場(chǎng)方向移動(dòng)。由此形成的極化稱(chēng)為 離子位移極化,。
離子在電場(chǎng)作用下偏移平衡位置的移動(dòng)相當(dāng)于形成一個(gè)感生偶極矩,。
離子位移極化所需時(shí)間大約為10-12～10-13秒 。不以熱的形式耗散能量,，不導(dǎo)致介電損耗,。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)定儀（介電性能測(cè)試儀）
•損耗的形式
•介質(zhì)損耗的表示方法
•介質(zhì)損耗和頻率,、溫度的關(guān)系
•無(wú)機(jī)介質(zhì)的損耗
介質(zhì)損耗定義：
電介質(zhì)在單位時(shí)間內(nèi)消耗的能量稱(chēng)為電介質(zhì)損耗功率，簡(jiǎn)稱(chēng)電介質(zhì)損耗,?；颍弘妶?chǎng)作用下的能量損耗，由電能轉(zhuǎn)變?yōu)槠渌问降哪?，如熱能,、光能等，統(tǒng)稱(chēng)為介質(zhì)損耗,。它是導(dǎo)致電介質(zhì)發(fā)生熱擊穿的根源,。
損耗的形式：
電導(dǎo)損耗：在電場(chǎng)作用下，介質(zhì)中會(huì)有泄漏電流流過(guò),，引起電導(dǎo)損耗,。 實(shí)質(zhì)是相當(dāng)于交流、直流電流流過(guò)電阻做功,，故在這兩種 條件下都有電導(dǎo)損耗,。絕緣好時(shí),，液、固電介質(zhì)在工作電 壓下的電導(dǎo)損耗是很小的,，
極化損耗：只有緩慢極化過(guò)程才會(huì)引起能量損耗,，如偶極子 的極化損耗。
游離損耗：氣體間隙中的電暈損耗和液,、固絕緣體中局部放 電引起的功率損耗稱(chēng)為游離損耗,。
介質(zhì)損耗的表示：
當(dāng)容量為C0=?0S/d的平板電容器上 加一交變電壓U=U0eiwt。則：
1,、電容器極板間為真空介質(zhì)時(shí),， 電容上的電流為：
2、電容器極板間為非極性絕緣材料時(shí),，電容上的電流為：
3,、電容器極板間為弱導(dǎo)電性或極性，電容上的電流為：
G是由自由電荷產(chǎn)生的純電導(dǎo),，G=?S/d,， C=?S/d
如果電荷的運(yùn)動(dòng)是自由的， 則G實(shí)際上與外電壓額率無(wú)關(guān),；如果這些電荷是被 符號(hào)相反的電荷所束縛,， 如振動(dòng)偶極子的情況，G 為頻率的函數(shù),。
介質(zhì)弛豫和德拜方程：
1）介質(zhì)弛豫：在外電場(chǎng)施加或移去后,，系統(tǒng)逐漸達(dá)到平衡狀 態(tài)的過(guò)程叫介質(zhì)弛豫,。 介質(zhì)在交變電場(chǎng)中通常發(fā)生弛豫現(xiàn)象,，極化的弛豫。在介質(zhì)上加一電場(chǎng),，由于極化過(guò)程不是瞬時(shí)的,，極化包括兩項(xiàng)：
P(t) = P0 + P1(t)
P0代表瞬時(shí)建立的極化(位移極化)， P1代表松弛極化P1(t)漸漸達(dá)到一穩(wěn)定值,。這一滯后 通常是由偶極子極化和空間電荷極 化所致,。 當(dāng)時(shí)間足夠長(zhǎng)時(shí)， P1(t)→ P 1 ∞ ,， 而總極化P(t) → P∞ ,。
2）德拜(Debye)方程：
頻率對(duì)在電介質(zhì)中不同的馳豫現(xiàn)象有關(guān)鍵性的影響。 設(shè)低頻或靜態(tài)時(shí)的相對(duì)介電常數(shù)為ε(0),，稱(chēng)為靜態(tài)相對(duì)介電常數(shù),；當(dāng)頻率ω→∞時(shí)，相對(duì)介電常數(shù)εr’ →ε∞（ ε∞代表光頻 相對(duì)介電常數(shù)）,。則復(fù)介電常數(shù)為：
影響介質(zhì)損耗的因素：
1,、頻率的影響
ω→0時(shí),，此時(shí)不存在極化損 耗,主要由電導(dǎo)損耗引起。 tgδ=δ/ωε,，則當(dāng)ω→0時(shí),， tgδ→∞。隨著ω升高,，tgδ↓,。
隨ω↑，松弛極化在某一頻率開(kāi)始跟不上外電場(chǎng)的變化,， 松弛極化對(duì)介電常數(shù)的貢獻(xiàn) 逐漸減小,，因而εr隨ω↑而↓。 在這一頻率范圍內(nèi),，由于ωτ <<1,，故tgδ隨ω↑而↑。
當(dāng)ω很高時(shí),，εr→ε∞,，介電常數(shù)僅 由位移極化決定，εr趨于最小值,。 由于ωτ >>1,，此時(shí)tgδ隨ω↑而↓。 ω→∞時(shí),，tgδ→0,。
tgδ達(dá)最大值時(shí)ωm的值由下式求出:
tgδ的最大值主要由松弛過(guò)程決定。如果介質(zhì)電導(dǎo)顯著變大,，則tgδ的最大值變得平坦,， 最后在很大的電導(dǎo)下，tgδ無(wú)最大值,，主要表現(xiàn)為電導(dǎo)損耗特征：tgδ與ω成反,。
2、溫度的影響
當(dāng)溫度很低時(shí),τ較大,，由德拜關(guān)系式可知,，εr較小，tgδ也較小,。此時(shí),，由于ω2τ2>>1,由德拜可得：
隨溫度↑，τ↓,，所以εr,、tgδ↑
當(dāng)溫度較高時(shí)，τ較小,，此時(shí)ω2τ2<<1
隨溫度↑,，τ↓,，所以tgδ ↓。這時(shí)電導(dǎo)上升并不明顯,，主要決定于極化過(guò)程：
當(dāng)溫度繼續(xù)升高,，達(dá)到很大值時(shí)， 離子熱運(yùn)動(dòng)能量很大,，離子在電場(chǎng)作用下的定向遷移受到熱運(yùn)動(dòng)的阻礙,，因而極化減弱，εr↓,。此時(shí)電導(dǎo)損耗劇烈↑,，tgδ也隨溫度 ↑而急劇上升↑。
3.濕度的影響
• 介質(zhì)吸潮后,，介電常數(shù)會(huì)增加,，但比電導(dǎo)的增加要慢，由于電導(dǎo)損耗增大以及松馳極化損耗增加,，而使tgδ增大,。
• 對(duì)于極性電介質(zhì)或多孔材料來(lái)說(shuō)，這種影響特別突出,，如,，紙內(nèi)水分含量從4％增加到10％時(shí)，其tgδ可增加100倍,。
降低材料的介質(zhì)損耗的方法
（1）選擇合適的主晶相：盡量選擇結(jié)構(gòu)緊密的晶體作為主晶相,。
（2）改善主晶相性能時(shí)，盡量避免產(chǎn)生缺位固溶體或填隙固溶體,，最好形成連續(xù)固溶體,。這樣弱聯(lián)系離子少，可避免損耗顯著增大,。
(3)盡量減少玻璃相,。有較多玻璃相時(shí),，應(yīng)采用“中和效應(yīng)"和“壓抑效應(yīng)",，以降低玻璃相的損耗。 (4）防止產(chǎn)生多晶轉(zhuǎn)變,，多晶轉(zhuǎn)變時(shí)晶格缺陷多,，電性能下降，損耗增加,。
(5）注意焙燒氣氛,。含鈦陶瓷不宜在還原氣氛中焙燒。燒成過(guò)程中升溫速度要合適,，防止產(chǎn)品急冷急熱,。
(6)控制好最終燒結(jié)溫度,，使產(chǎn)品“正燒"，防止“生燒"和“過(guò)燒"以減少氣孔率,。此外,，在工藝過(guò)程中應(yīng)防止雜質(zhì)的混入，坯體要致密,。
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