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[供應]介電常數(shù)介質損耗測定儀(介電性能測試儀)

貨物所在地:北京北京市
產(chǎn)地:北京市房山區(qū)開發(fā)區(qū)顧八路1區(qū)1號
更新時間:2025-04-08 15:10:52
有效期:2025年4月8日 -- 2025年7月8日
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產(chǎn)品簡介
介電常數(shù)介質損耗測定儀(介電性能測試儀)電介質在單位時間內(nèi)消耗的能量稱為電介質損耗功率,,簡稱電介質損耗?;颍弘妶鲎饔孟碌哪芰繐p耗,,由電能轉變?yōu)槠渌问降哪埽鐭崮?、光能等,,統(tǒng)稱為介質損耗。它是導致電介質發(fā)生熱擊穿的根源,。
詳細介紹

一,、符合標準:

GB/T1409測量電氣絕緣材料在工頻、音頻,、高頻(包括米波波長存內(nèi))下電容率和介質損耗因數(shù)的推薦方法;

GB/T 5654-2007液體絕緣材料相對電容率,、介質損耗因數(shù)和直流電阻率的測量;

二,、產(chǎn)品概述:

ZJD-87介電常數(shù)介質損耗測定儀(介電性能測試儀)是一款專為實驗室研制的高精度高壓電橋,,突破了傳統(tǒng)的電橋測量方式,采用變頻電源技術,,利用單片機和現(xiàn)代化電子技術進行自動頻率變換,、模/數(shù)轉換和數(shù)據(jù)運算,;達到抗干擾能力強、測試速度快,、精度高,、全自動數(shù)字化、操作簡便,;廣泛適用于電力行業(yè)中變壓器,、互感器、套管,、電容器,、避雷器等設備及相關絕緣材料的介損和介電常數(shù)的測量。

三,、技術指標:

準確度:Cx:±(讀數(shù)×0.5%+0.5pF),;

tgδ:±(讀數(shù)×0.5%+0.00005);ε:0.5%,;

抗干擾指標:變頻抗干擾(40-70Hz),,最大輸入電流5A;

           內(nèi)置最高10KV測試電壓輸出,,可調(diào)分辨率1V,;

電容量范圍:內(nèi)施高壓:3pF~60000pF/10kV;60pF~1μF/0.5kV,;

外施高壓:3pF~1.5μF/10kV,;60pF~30μF/0.5kV;

外接量程擴展器時可以測試幾千安培下高壓電器的介損值,;

分辨率:最高0.001pF,,4位有效數(shù)字;

計算機接口:標準RS232接口,;

外形尺寸:8U標準機箱,;

儀器重量:25kg;

離子位移極化—— Ionic Polarization

電介質中的正負離子在電場作用下發(fā)生可逆的彈性位移,。 正離子沿電場方向 移動,,負離子沿反電場方向移動。由此形成的極化稱為 離子位移極化,。

image.png

離子在電場作用下偏移平衡位置的移動相當于形成一個感生偶極矩,。

image.png

離子位移極化所需時間大約為10-12~10-13秒 ,。不以熱的形式耗散能量,不導致介電損耗,。

介電常數(shù)介質損耗測定儀(介電性能測試儀)

•損耗的形式

•介質損耗的表示方法

•介質損耗和頻率,、溫度的關系

•無機介質的損耗

介質損耗定義:

電介質在單位時間內(nèi)消耗的能量稱為電介質損耗功率,簡稱電介質損耗,?;颍弘妶鲎饔孟碌哪芰繐p耗,由電能轉變?yōu)槠渌问降哪?,如熱能,、光能等,統(tǒng)稱為介質損耗,。它是導致電介質發(fā)生熱擊穿的根源,。

損耗的形式:

電導損耗:在電場作用下,介質中會有泄漏電流流過,,引起電導損耗,。 實質是相當于交流、直流電流流過電阻做功,,故在這兩種 條件下都有電導損耗,。絕緣好時,液,、固電介質在工作電 壓下的電導損耗是很小的,,

極化損耗:只有緩慢極化過程才會引起能量損耗,如偶極子 的極化損耗,。

游離損耗:氣體間隙中的電暈損耗和液,、固絕緣體中局部放 電引起的功率損耗稱為游離損耗。

介質損耗的表示:

當容量為C0=?0S/d的平板電容器上 加一交變電壓U=U0eiwt,。則:

image.png

1,、電容器極板間為真空介質時, 電容上的電流為:

image.png

2,、電容器極板間為非極性絕緣材料時,,電容上的電流為:

image.png

3、電容器極板間為弱導電性或極性,,電容上的電流為:

image.png

G是由自由電荷產(chǎn)生的純電導,,G=?S/d, C=?S/d

如果電荷的運動是自由的,, 則G實際上與外電壓額率無關,;如果這些電荷是被 符號相反的電荷所束縛, 如振動偶極子的情況,G 為頻率的函數(shù),。

image.png

介質弛豫和德拜方程:

1)介質弛豫:在外電場施加或移去后,,系統(tǒng)逐漸達到平衡狀 態(tài)的過程叫介質弛豫。 介質在交變電場中通常發(fā)生弛豫現(xiàn)象,,極化的弛豫,。在介質上加一電場,,由于極化過程不是瞬時的,,極化包括兩項:

P(t) = P0 + P1(t)

P0代表瞬時建立的極化(位移極化), P1代表松弛極化P1(t)漸漸達到一穩(wěn)定值,。這一滯后 通常是由偶極子極化和空間電荷極 化所致,。 當時間足夠長時, P1(t)→ P 1 ∞ ,, 而總極化P(t) → P∞ ,。image.png

2)德拜(Debye)方程:

頻率對在電介質中不同的馳豫現(xiàn)象有關鍵性的影響。 設低頻或靜態(tài)時的相對介電常數(shù)為ε(0),,稱為靜態(tài)相對介電常數(shù),;當頻率ω→∞時,相對介電常數(shù)εr’ →ε∞( ε∞代表光頻 相對介電常數(shù)),。則復介電常數(shù)為:

影響介質損耗的因素:

1,、頻率的影響

ω→0時,此時不存在極化損 耗,主要由電導損耗引起,。 tgδ=δ/ωε,,則當ω→0時, tgδ→∞,。隨著ω升高,,tgδ↓。

image.png

隨ω↑,,松弛極化在某一頻率開始跟不上外電場的變化,, 松弛極化對介電常數(shù)的貢獻 逐漸減小,因而εr隨ω↑而↓,。 在這一頻率范圍內(nèi),,由于ωτ <<1,故tgδ隨ω↑而↑,。

當ω很高時,,εr→ε∞,介電常數(shù)僅 由位移極化決定,,εr趨于最小值,。 由于ωτ >>1,此時tgδ隨ω↑而↓。 ω→∞時,,tgδ→0,。

image.png

tgδ達最大值時ωm的值由下式求出:

image.png

tgδ的最大值主要由松弛過程決定。如果介質電導顯著變大,,則tgδ的最大值變得平坦,, 最后在很大的電導下,tgδ無最大值,,主要表現(xiàn)為電導損耗特征:tgδ與ω成反,。

image.png

2、溫度的影響

當溫度很低時,τ較大,,由德拜關系式可知,,εr較小,tgδ也較小,。此時,,由于ω2τ2>>1,由德拜可得:

image.pngimage.png

隨溫度↑,τ↓,,所以εr,、tgδ↑

當溫度較高時,τ較小,,此時ω2τ2<<1

image.png

隨溫度↑,,τ↓,所以tgδ ↓,。這時電導上升并不明顯,,主要決定于極化過程:

image.png

當溫度繼續(xù)升高,達到很大值時,, 離子熱運動能量很大,,離子在電場作用下的定向遷移受到熱運動的阻礙,因而極化減弱,,εr↓,。此時電導損耗劇烈↑,tgδ也隨溫度 ↑而急劇上升↑,。

image.png

3.濕度的影響

• 介質吸潮后,,介電常數(shù)會增加,但比電導的增加要慢,,由于電導損耗增大以及松馳極化損耗增加,,而使tgδ增大。

• 對于極性電介質或多孔材料來說,,這種影響特別突出,,如,,紙內(nèi)水分含量從4%增加到10%時,其tgδ可增加100倍,。

降低材料的介質損耗的方法

(1)選擇合適的主晶相:盡量選擇結構緊密的晶體作為主晶相,。

(2)改善主晶相性能時,盡量避免產(chǎn)生缺位固溶體或填隙固溶體,,最好形成連續(xù)固溶體,。這樣弱聯(lián)系離子少,可避免損耗顯著增大,。

(3)盡量減少玻璃相,。有較多玻璃相時,應采用“中和效應"和“壓抑效應",,以降低玻璃相的損耗,。 (4)防止產(chǎn)生多晶轉變,,多晶轉變時晶格缺陷多,,電性能下降,損耗增加,。

(5)注意焙燒氣氛,。含鈦陶瓷不宜在還原氣氛中焙燒。燒成過程中升溫速度要合適,,防止產(chǎn)品急冷急熱,。

(6)控制好最終燒結溫度,使產(chǎn)品“正燒",,防止“生燒"和“過燒"以減少氣孔率,。此外,在工藝過程中應防止雜質的混入,,坯體要致密,。



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