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固體電介質(zhì)的電擊穿與擊穿場強(qiáng)

閱讀:2093發(fā)布時(shí)間:2024-7-18

固體電介質(zhì)的擊穿

ZJC-100KV (2).png


當(dāng)施加于電介質(zhì)的電場增加到相當(dāng)強(qiáng)時(shí),電介質(zhì)的電導(dǎo)就不服從歐姆定律了,,實(shí)驗(yàn)表明,電介質(zhì)在強(qiáng)電場下的電流密度按指數(shù)規(guī)律隨電場強(qiáng)度增加而增加,,當(dāng)電場進(jìn)一步增強(qiáng)到某個(gè)臨界值時(shí),,電介質(zhì)的電導(dǎo)突然劇增,電介質(zhì)便由絕緣狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)電狀態(tài),,這一躍變現(xiàn)象稱為電介質(zhì)的擊穿,,介質(zhì)發(fā)生擊穿時(shí),通過介質(zhì)的電流劇烈地增加,,通常以介質(zhì)伏安特性斜率趨向 (dl/dU=)作為穿發(fā)生的標(biāo)志(見圖2-20),。發(fā)生擊穿時(shí)的臨界電壓稱為電介質(zhì)的擊穿電壓,相應(yīng)的電場強(qiáng)度稱為介質(zhì)的擊穿場強(qiáng),。

img1 

電介質(zhì)的擊穿場強(qiáng)是電介質(zhì)的基本電性能之一,,它決定了電介質(zhì)在電場作用下保持絕緣性能的極限能力。在電力系統(tǒng)中常常伏安特性由于某一電氣設(shè)備的絕緣損壞而造成事故,,因而在很多情況下,,電力系統(tǒng)和電氣設(shè)備的可靠性在很大程度上取決于其絕緣介質(zhì)的正常工作。隨著電力系統(tǒng)額定電壓的提高,,對系統(tǒng)供電可靠性的要求也越高,,系統(tǒng)絕緣介質(zhì)在高場強(qiáng)下正常工作變得至關(guān)重要。近年來,,高電壓技術(shù)已不再限于電力工業(yè)的需要,,還擴(kuò)展應(yīng)用到許多科技領(lǐng)域中,并涉及很多高場強(qiáng)絕緣的問題,。由于這些情況的存在,,研究電介質(zhì)擊穿機(jī)理、影響因素,、不同電介質(zhì)的耐電強(qiáng)度等是十分必要的,。

與氣體,、液體電介質(zhì)相比,固體電介質(zhì)的擊穿場強(qiáng)較高,,但固體電介質(zhì)擊穿后材料中留下有不能恢復(fù)的痕跡,,如燒焦或熔化的通道、裂縫等,,即使去掉外施電壓,,也不像氣體、液體介質(zhì)那樣能自行恢復(fù)絕緣性能,。

img2 

固體電介質(zhì)的擊穿中,,常見的有熱擊穿、電擊穿和不均勻介質(zhì)局部放電引起擊穿等形式,。電介質(zhì)擊穿場強(qiáng)與電壓作用時(shí)間的關(guān)系及不同擊穿形式的范圍如圖2-21所示,。

1.擊穿

擊穿是由于電介質(zhì)內(nèi)部熱不穩(wěn)定過程所造成的。當(dāng)固體電介質(zhì)加上電場時(shí),,電介質(zhì)中發(fā)生的損耗將引起發(fā)熱,,使介質(zhì)溫度升高。

電介質(zhì)的熱擊穿不僅與材料的性能有關(guān),,還在很大程度上與絕緣結(jié)構(gòu)(電極的配置與散熱條)電壓種類,、環(huán)境溫度等有關(guān),因此熱擊穿強(qiáng)度不能看作是電介質(zhì)材料的本征特性參數(shù),。

2.擊穿

擊穿是在較低溫度下,,采用了消除邊緣效應(yīng)的電極裝置等嚴(yán)格控制的條件下,進(jìn)行擊穿試驗(yàn)時(shí)所觀察到的一種擊穿現(xiàn)象,。電擊穿的主要特征是:擊穿場強(qiáng)高(515MV/cm),,實(shí)際絕緣系統(tǒng)是不可能達(dá)到的;在一定溫度范圍內(nèi),,擊穿場強(qiáng)隨溫度升高而增大,,或變化不大。

均勻電場中電擊穿場強(qiáng)反映了固體介質(zhì)耐受電場作用能力的最大限度,,它僅與材料的化學(xué)組成及性質(zhì)有關(guān),,是材料的特性參數(shù)之一,所以通常稱之為耐電強(qiáng)度電氣強(qiáng)度,。

3.不均勻電介質(zhì)的擊穿

不均勻電介質(zhì)擊穿是指包括固體,、液體或氣體組合構(gòu)成的絕緣結(jié)構(gòu)中的一種擊穿形式。與單一均勻材料的擊穿不同,,擊穿往往是從耐電強(qiáng)度低的氣體開始,,表現(xiàn)為局部放電,然后或快或慢地隨時(shí)間發(fā)展至固體介質(zhì)劣化,損傷逐步擴(kuò)大,,致使介質(zhì)擊穿,。

由于實(shí)際固體介質(zhì)擊穿還伴隨有機(jī)械、熱,、化學(xué)等復(fù)雜過程,,因而至今還沒有建立起可以滿意地解釋所有擊穿現(xiàn)象的理論,但是已經(jīng)有了一些能夠較好說明部分現(xiàn)象的理論,,以下將分別加以討論,。

2.3.1固體電介質(zhì)的熱擊穿

擊穿是由于電介質(zhì)內(nèi)部熱不穩(wěn)定過程所造成的。當(dāng)固體電介質(zhì)加上電場時(shí),,電介質(zhì)中發(fā)生的損耗將引起發(fā)熱,,使介質(zhì)溫度升高。而電介質(zhì)電導(dǎo)具有正的溫度系數(shù),,溫度升高電導(dǎo)增大,,損耗發(fā)熱也隨之增大。在電介質(zhì)不斷升溫的同時(shí),,也存在一個(gè)通過電極及其他介質(zhì)向外不斷散熱的過程,。如果同一時(shí)間內(nèi)發(fā)熱量等于散熱量,即達(dá)到熱平衡,,則介質(zhì)溫度不再上升而是穩(wěn)定于某一數(shù)值,這時(shí)將不致引起介質(zhì)絕緣強(qiáng)度的破壞,。如果散熱條件不好或電壓達(dá)到某一臨界值,,使發(fā)熱量超過散熱量,則介質(zhì)的溫度會不斷上升,,以致引起電介質(zhì)分解,、炭化或燒焦,最終擊穿,。

img3 

為簡單起見,,以圖2-22中的平板狀固體介質(zhì)為例,對熱平衡問題進(jìn)行探討,。設(shè)平板電極和介質(zhì)的面積都足夠大,,介質(zhì)以及介質(zhì)中的電場都是均勻的(E= U/2h),于是介質(zhì)發(fā)熱均勻,;介質(zhì)損耗所產(chǎn)生的熱量主要沿垂直于電極的方向(x軸方)流向介質(zhì)表面和平板電極,。在這種條件下,固體介質(zhì)沿厚度2h的雙向散熱可看作是沿厚度h的單向散熱,。

電介質(zhì)的損耗率(單位體積的功率損) 

img4 

式中γ電介質(zhì)的電導(dǎo)(S/cm),; 

E電介質(zhì)中的電場強(qiáng)度(V/cm)

f外加電場的頻(Hz)

因此,,在1cm3的介質(zhì)中單位時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生的熱Q0[J/(s·cm3)]可以直接由上式求得,。于x軸方向厚h、橫截面積1cm2的一條狀介質(zhì)中,,單位時(shí)間產(chǎn)生的熱(J/s)

                 img5

介質(zhì)中所產(chǎn)生的熱量靠介質(zhì)表面所接觸的電極逸散到周圍的媒質(zhì)中去,。在單位時(shí)間內(nèi)電極上1cm2所逸出的熱(J/s)

img6 

介質(zhì)的發(fā)熱和散熱與其溫度的關(guān)系可用圖2-23來表示。由于固體介質(zhì)的tan 隨溫度按指數(shù)規(guī)律上升,,故P0,、Q0Q1也隨溫度按指數(shù)規(guī)律上升,于是,,在3個(gè)不同大小的電壓U1,、U2U3(U1>U2>U3)作用下,,有相應(yīng)的發(fā)熱曲1,、23,直4為散熱曲線,。

img7 

只有當(dāng)發(fā)熱和散熱處于熱平衡狀態(tài)時(shí),,即Q1=Q2時(shí),介質(zhì)才會具有某一穩(wěn)定的工作溫度,,不會發(fā)生熱擊穿,。

由曲線1(電壓U1時(shí))高于曲4,固體介質(zhì)內(nèi)發(fā)熱量Q1總是大于散熱Q2,,在任何溫度下都不會達(dá)到熱平衡,,電介質(zhì)的溫度將不斷地升高,最后導(dǎo)致介質(zhì)熱擊穿,。曲線2(電壓U2時(shí))與曲4相切,,切點(diǎn)c是一個(gè)不穩(wěn)定的熱平衡點(diǎn)。因?yàn)楫?dāng)導(dǎo)電通道溫t<tc時(shí),,電介質(zhì)發(fā)熱量大于散熱量,,溫度將上升tc;而當(dāng)t>tc時(shí),,發(fā)熱量也大于散熱量,,導(dǎo)電通道的溫度將不斷上升,導(dǎo)致熱擊穿,。曲3(電壓U3時(shí))與曲4a,、b兩個(gè)交點(diǎn)。由于發(fā)熱量等于散熱量,,此兩點(diǎn)稱為熱平衡點(diǎn),,a點(diǎn)是穩(wěn)定的熱平衡點(diǎn)b點(diǎn)是不穩(wěn)定的熱平衡點(diǎn)。因而,,電介質(zhì)被加熱到通道溫度ta,。就停留在熱穩(wěn)定狀態(tài)。

以上只是近似的討論,,因?yàn)榻橘|(zhì)各點(diǎn)的溫度不會是均勻的,,中心處溫度最高,靠近電極處溫度低,;此外介質(zhì)中部的熱量要經(jīng)過介質(zhì)本身才能傳導(dǎo)到電極上,,這就有一個(gè)導(dǎo)熱系數(shù)和傳導(dǎo)距離的問題。雖然如此,,仍可得出以下結(jié)論,。

1)擊穿電壓會隨周圍媒質(zhì)溫t0的上升而下降,這時(shí)直4會向右移動,。

2)擊穿電壓并不隨介質(zhì)厚度成正比增加,,因?yàn)楹穸仍酱螅橘|(zhì)中心附近的熱量逸出困難,,所以固體介質(zhì)的擊穿場強(qiáng)h的增大而降低,。

3)如果介質(zhì)的導(dǎo)熱系數(shù)大,散熱系數(shù)也大,,則熱擊穿電壓上升,。

4)(2-32)可知,ftanδ增大時(shí)都會造Q1增加,,使曲1,、23向上移動,。曲2上移表示臨界擊穿電壓下降。

2.3.2固體電介質(zhì)的電擊穿

希伯爾(Hippel)和弗羅利(Frohlich)在固體物理的基礎(chǔ)上以量子力學(xué)為工具逐步發(fā)展建立了固體電介質(zhì)電擊穿的碰撞電離理論,。這一理論可以簡述如下:

在強(qiáng)電場下,,固體導(dǎo)帶中可能囚場致發(fā)射或熱發(fā)射而存在一些導(dǎo)電電子,這些電子在外電場作用下被加速獲得動能,,同時(shí)在其運(yùn)動中又與晶格相互作用而激發(fā)晶格振動,,把電場的能量傳遞給晶格。當(dāng)這兩個(gè)過程在一定的溫度和場強(qiáng)下平衡時(shí),,固體介質(zhì)有穩(wěn)定的電導(dǎo),;當(dāng)電子從電場中得到的能量大于晶格振動損失的能量時(shí),電子的動能就越來越大,,電子能量大到一定值后,,電子與晶格的相互作用便導(dǎo)致電離產(chǎn)生新電子,自由電子數(shù)迅速增加,電導(dǎo)進(jìn)入不穩(wěn)定階段,,發(fā)生擊穿,。

擊穿發(fā)生的判定條件的不同,電擊穿理論可分為兩大類:

1)以碰撞電離開始作為擊穿判據(jù),。稱這類理論為碰撞電離理論,,或稱本征電擊穿理論。

2)以碰撞電離開始后,,電子數(shù)倍增到一定數(shù)值,,足以破壞電介質(zhì)結(jié)構(gòu)作為擊穿判據(jù)。稱這類理論為雪崩擊穿理論,。以下簡要介紹這兩類擊穿理論,。

1.本征電擊穿理論

在電場E的作用下,電子被加速,,因此,,電子單位時(shí)間從電場獲得的能量可表示為

img8 

 u電子能量。

電子在其運(yùn)動中與晶格相互作用而發(fā)生能量的交換,、由于晶格振動與溫度有關(guān),,所以B可寫為

img9 

式中T0——晶格溫度。

平衡時(shí)

img10 

當(dāng)場強(qiáng)增加到使平衡破壞時(shí),,碰撞電離過程便立即發(fā)生,。所以使式(2-35)成立的最大場強(qiáng)就是碰撞電離開始發(fā)生的起始場強(qiáng),把這一場強(qiáng)作為電介質(zhì)的臨界擊穿場強(qiáng),。

2. 雪崩擊穿理論

根據(jù)雪崩機(jī)理的不同,,雪崩擊穿分為兩種類型;場致發(fā)射擊穿和碰撞電離雪崩擊穿,。

1)場致發(fā)射擊穿,。如在強(qiáng)場電導(dǎo)中所述,由于量子力學(xué)隧道效應(yīng),,從價(jià)帶向?qū)鲋掳l(fā)射電子,,引起電子雪崩?;谶@種觀點(diǎn)的理論認(rèn)為,,由于隧道電流的增長,對晶格能量的注入使其溫度上升,,在晶格溫度到達(dá)臨界溫度時(shí),,便導(dǎo)致擊穿發(fā)生,稱這種擊穿為場致發(fā)射擊穿,。

2)碰撞電離雪崩擊穿,。這種擊穿理論是:導(dǎo)帶中的電子被外施電場加速到具有足夠的動能后,,發(fā)生碰撞電離,這一過程在電場下不斷地由陰極向陽極發(fā)展,,形成電子雪崩,。當(dāng)這種電子雪崩區(qū)域達(dá)到某一界限,晶格結(jié)構(gòu)被破壞,,固體發(fā)生擊穿,。

2.3.3 不均勻電介質(zhì)的擊穿

前述固體電介質(zhì)擊穿理論適用于宏觀均勻的單一電介質(zhì)的擊穿現(xiàn)象,在實(shí)際應(yīng)用中,,經(jīng)常遇到的是宏觀不均勻復(fù)合電介質(zhì),。從凝聚狀態(tài)來分析,一般總是氣體與液體或固體,、液體與固體或固體與固體的組合,,即使是單一電介質(zhì)的絕緣結(jié)構(gòu),由于材料的不均勻性,、含有雜質(zhì)或氣隙等也不能看作是單一均勻電介質(zhì),,因此研究不均勻介質(zhì)的擊穿具有重要的實(shí)用意義。在這里先討論簡單的雙層復(fù)合電介質(zhì)的擊穿,,然后討論以老化現(xiàn)象為主的局部放電和樹枝化擊穿,。

1.復(fù)合電介質(zhì)的擊穿

(1)雙層復(fù)合電介質(zhì)的擊穿

設(shè)一雙層復(fù)合電介質(zhì)模型及其等效電路如圖2-24所示。雙層介質(zhì)的厚度,、電導(dǎo)率及介電常數(shù)分別為d1,、d2γ1,、γ2ε1,、ε2,外施U及兩層介質(zhì)中場強(qiáng)分E1,、E2,。

img11 

設(shè)U為外施恒定電壓U作用下達(dá)到穩(wěn)態(tài)時(shí),,若引入復(fù)合電介質(zhì)的宏觀平均場強(qiáng)為

img12 

則有

img13 

img14 

其中,,img15

從式(2-39)可見,,各層介質(zhì)電場強(qiáng)度與電導(dǎo)率成反比,。如果γ1=γ2,,E=E1+E2,;如果γ1γ2相差很大,其中一層電介質(zhì)的場強(qiáng)大E,,例如,,E1E,,則當(dāng)E1達(dá)到第一層電介質(zhì)的擊穿強(qiáng)E1b時(shí),引起該層介質(zhì)擊穿,。第一層擊穿后,,全部電壓加在第二層上,使E2發(fā)生畸變,,通常導(dǎo)致第二層電介質(zhì)隨之擊穿,,即引起全部電介質(zhì)擊穿

(2)邊緣效應(yīng)及其消除方法

在不同電場均勻度下研究固體電介質(zhì)擊穿時(shí)發(fā)現(xiàn),,電場不均勻度越高,,擊穿電壓隨電介質(zhì)厚度的增長越慢,即平均擊穿場強(qiáng)越低,,而且分散性也越大,,只有在均勻電場下才具有擊穿電壓與厚度的正比關(guān)系,可以得到材料的最大擊穿強(qiáng)度,。為了研究固體電介質(zhì)本征擊穿的物理常數(shù)耐電強(qiáng)度,,必須采用消除邊緣的方法,使固體電介質(zhì)能在足夠均勻的電場下發(fā)生電擊穿,。

需要指出,,在復(fù)合電介質(zhì)中,電場分布不均勻的情況下,,當(dāng)未采用任何措施改善電極邊緣處的電場分布時(shí),,由于周圍媒質(zhì)的擊穿強(qiáng)度常比固體電介質(zhì)要小,往往在固體電介質(zhì)擊穿之前先在電場集中的電極邊緣處發(fā)生放電,,放電火花可視為電極針狀般的延伸,,于是電極邊緣處的電場分布發(fā)生強(qiáng)烈畸變,若放電開始時(shí)外施電壓高于固體電介質(zhì)一定厚度下的最小擊穿電壓(電介質(zhì)在極不均勻電場作用下的擊穿電壓),,則媒質(zhì)放電后立即引起固體電介質(zhì)的擊穿,。這種因電極邊緣媒質(zhì)放電而引起固體電介質(zhì)在電極邊緣處較低電壓擊穿的現(xiàn)象稱為邊緣效應(yīng)。

為了消除均勻電場的邊緣效應(yīng),,其方法之一就是將電極試樣系統(tǒng)做成一定的尺寸和形狀,,一般采用把試樣制作為凹面狀,如圖2-25所示,。若試樣厚t與下凹部分最小厚度d之比足夠(比值不小5~10),,則擊穿往往發(fā)生在足夠均勻電場的最小厚度處。但并非所有的固體電介質(zhì)都能實(shí)現(xiàn),,例如,,云母、有機(jī)薄膜等介質(zhì),,困難就較大,。對于這類固體電介質(zhì),,通常采用簡單電極試樣系統(tǒng),諸如固體試樣置放在兩平板電極間,、平板與圓球或圓球與圓球電極間的系統(tǒng),,置于液體媒質(zhì)之中。消除邊緣效應(yīng)的方法之二是需用適當(dāng)?shù)拿劫|(zhì),,使在固體電介質(zhì)擊穿之前媒質(zhì)中所分配到的電場強(qiáng)度低于其擊穿值,。

img16 

2.局部放電

在含有氣體(如氣隙或氣)或液(如油)的固體電介質(zhì)中,當(dāng)擊穿強(qiáng)度較低的氣體或液體中的局部電場強(qiáng)度達(dá)到其擊穿場強(qiáng)時(shí),,這部分氣體或液體開始放電,,使電介質(zhì)發(fā)生不貫穿電極的局部擊穿,這就是局部放電現(xiàn)象,。這種放電雖然不立即形成貫穿性通道,,但長期的局部放電,使電介質(zhì)(特別是有機(jī)電介質(zhì))的劣化損傷逐步擴(kuò)大,,導(dǎo)致整個(gè)電介質(zhì)擊穿,。

局部放電引起電介質(zhì)劣化損傷的機(jī)理是多方面的,但主要有如下3個(gè)方面:

1)電的作用,。帶電粒子對電介質(zhì)表面的直接擊作用,,使有機(jī)電介質(zhì)的分子主鏈斷裂。

2)熱的作用,。帶電粒子的轟擊作用引起電介質(zhì)局部的溫度上升,,發(fā)生熱熔解或熱降解。

3)化學(xué)作用,。局部放電產(chǎn)生的受激分子或二次生成物的作用,,使電介質(zhì)受到的侵蝕可能比電、熱作用的危害更大,。

局部放電是電介質(zhì)應(yīng)用中的一種強(qiáng)場效應(yīng),,它在電介質(zhì)介電現(xiàn)象和電氣絕緣領(lǐng)域均具有重要意義。

局部放電圖與放電類型相關(guān),,不同的類型放電位置不同,,圖2-262-27和圖2-28是交流狀態(tài)下局部放電的放電圖,。 

img17 

img18img19 

3.聚合物電介質(zhì)的樹枝化擊穿

樹枝化擊穿是聚合物電介質(zhì)在長時(shí)間強(qiáng)電場作用下發(fā)生的一種老化破壞形式,,在介質(zhì)中形成具有氣化了的、如樹枝狀的痕跡,,樹枝是充滿氣體的直徑為皮米(1pm=10-12m)以下的細(xì)"組成的通道,,如2-29所示。

img20 

引起聚合物電介質(zhì)樹枝化的原因是多方面的,,所產(chǎn)生的樹枝也不同,。樹枝可以因介質(zhì)中間歇性的局部放電而緩慢地?cái)U(kuò)展,更可以在脈沖電壓作用下迅速發(fā)展,,也能在無任何局部放電的情況下,,由于介質(zhì)中局部電場集中而發(fā)生。屬于這些原因引起的樹枝稱為電樹枝(2-29所示有,、無氣隙的樹枝和2-3035kV聚乙烯電纜中的雜質(zhì)電樹),。樹枝化也能因存在水分而緩慢發(fā)生,除在水下運(yùn)行外,,還有因環(huán)境污染或絕緣介質(zhì)中存在雜質(zhì)而引起的電化學(xué)樹枝,,如電纜中由于腐蝕性氣體在線芯處擴(kuò)散,與銅發(fā)生反應(yīng),,就形成電化學(xué)樹枝,。

img21 

樹枝化的位置是隨機(jī)的,即樹枝引發(fā)于介質(zhì)中各個(gè)高場強(qiáng)的點(diǎn),,例如,,粗糙或不規(guī)則的電極表面或介質(zhì)內(nèi)部的間隙、雜質(zhì)等處,。聚合物介質(zhì)樹枝化后,,在其截面可以發(fā)生或不發(fā)生的擊穿,但在固體聚合物介質(zhì)中,,樹枝化擊穿是一個(gè)很重要的擊穿因素,。如美國西海岸敷設(shè)的161根聚乙烯電纜,運(yùn)行1~11年以后,,檢查已損壞和未損壞的電纜截面發(fā)現(xiàn),,樹枝化現(xiàn)象相當(dāng)普遍,運(yùn)5年以上者,,幾乎有一半產(chǎn)生了樹枝化,。雖然樹枝化與壽命之間無明確的關(guān)系式,但是樹枝化無疑降低了電纜的使用壽命,。需要指出,,樹枝化是聚合物介質(zhì)擊穿的先導(dǎo),但擊穿并不因樹枝化而接踵到來,。

 



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