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擊穿場強(qiáng)機(jī)理
閱讀：1867發(fā)布時(shí)間：2023-4-10
擊穿場強(qiáng)也是表征電介質(zhì)材料儲(chǔ)能能力的一個(gè)重要參數(shù)。實(shí)用的電介質(zhì)材料都不是理想的絕緣體材料,，材料內(nèi)部會(huì)存在少量的載流子,，在電場作用下形成微弱電流，電場強(qiáng)度比較弱時(shí),，電介質(zhì)材料內(nèi)的電流隨電壓的升高而加大,，并與電壓呈線性關(guān)系，電場強(qiáng)度增強(qiáng)時(shí),，電流就會(huì)偏離歐姆定律,，隨電壓的增加呈現(xiàn)冪函數(shù)或者指數(shù)上升趨勢，當(dāng)電壓升高到一定程度,，電流陡然增加,，此時(shí)電介質(zhì)材料就會(huì)從絕緣體變成導(dǎo)體，這種現(xiàn)象稱為電介質(zhì)材料的擊穿,，如果電介質(zhì)材料厚度為d,，擊穿臨界電壓為Ub，并且假設(shè)擊穿前瞬間電介質(zhì)材料體內(nèi)電場均勻,，則稱：
為電介質(zhì)材料的擊穿場強(qiáng),。
根據(jù)產(chǎn)生擊穿的機(jī)理，通?？梢詫⒔殡?/span>擊穿分為電子擊穿,、電離擊穿、熱擊穿等幾種類型,，實(shí)際擊穿可以是某種類型占主要,，也可以是幾種原因的疊加。
1)電子擊穿是在高電場作用下,，介質(zhì)材料中的少量自由電子沿著電場的方向運(yùn)動(dòng),，當(dāng)它們獲得足夠的能量后與其他分子碰撞，激發(fā)出新的自由電子,，這些新生的電子又從電場獲得能量,，并繼續(xù)發(fā)生類似碰撞激發(fā)出更多的自由電子，這一過程反復(fù)進(jìn)行,，產(chǎn)生大量作為載流子的自由電子以致電流急劇上升,，最終導(dǎo)致擊穿發(fā)生,。
2)電離擊穿是由于介質(zhì)材料中少量低電離勢雜質(zhì)發(fā)生電離引起的。因?yàn)殡妶鰪?qiáng)度達(dá)到其電離勢以上時(shí)發(fā)生電離產(chǎn)生的大量自由電子只見參加導(dǎo)電,，導(dǎo)致材料擊穿發(fā)生,。電離擊穿主要是氣體電離放電引起的。
電子擊穿和電離擊穿統(tǒng)稱為電擊穿,，電擊穿理論按判定條件不同可分為兩大類,，一是碰撞電離理論，也叫本征電擊穿理論,，以碰撞電離開始作為擊穿判據(jù);一是雪崩擊穿理論,，該理論以電離開始后，電子數(shù)倍增到一定數(shù)值,，足以使電介質(zhì)材料由絕緣體變?yōu)閷?dǎo)體為擊穿判據(jù),。
3)在電場作用下，電介質(zhì)材料內(nèi)部由于介電損耗而產(chǎn)生的一定的熱量,，當(dāng)熱量的產(chǎn)生速度超過熱量的散失速度時(shí),，就會(huì)在電介質(zhì)材料內(nèi)部形成熱量的積累，使材料的溫度上升,，溫度上升會(huì)引起電介質(zhì)材料的電導(dǎo)率呈指數(shù)形式急劇增大,，而電導(dǎo)損耗又會(huì)產(chǎn)生更多的熱量促使溫度進(jìn)一步上升，這樣惡性循環(huán)的結(jié)果,，則導(dǎo)致電介質(zhì)材料的抗擊穿能力大大下降,。
擊穿發(fā)生的原因除了上述幾種外，還有電機(jī)械引起的擊穿以及次級效應(yīng)擊穿,。
電介質(zhì)材料的擊穿過程的進(jìn)展按先后順序可分為3個(gè)階段,，即潛伏期，樹枝化的擴(kuò)展,，崩潰性擊穿,，具體見圖1-2。注入空間電荷的積累階段,，沒有明顯的電樹枝生長現(xiàn)象,，該階段為潛伏期，潛伏期探測不到局部放電現(xiàn)象,，但是可以觀測到老化過程的電致發(fā)光現(xiàn)象;空間電荷積累到一定程度,，會(huì)在材料中不斷的入陷和脫陷，此時(shí)擊穿進(jìn)入樹枝化擴(kuò)展階段,，也有學(xué)者認(rèn)為,，擊穿過程中微小空洞形成時(shí)，熱電子撞擊引起的自由基與氧的鏈?zhǔn)椒磻?yīng)[l3]是樹枝化擴(kuò)展發(fā)生的原因。
圖1一材料擊穿的三個(gè)階段
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