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介質(zhì)損耗的影響因素有哪些,?
閱讀:7195發(fā)布時(shí)間:2022-10-21
介質(zhì)損耗的影響因素有哪些?
1,、頻率的影響:
1)當(dāng)外加電場(chǎng)頻率很低,,即ω→0時(shí),介質(zhì)的各種極化都能跟上外加電場(chǎng)的變化,,此時(shí)不存在極化損耗,,介電常數(shù)達(dá)最大值。
介電損耗主要由電導(dǎo)損耗引起,,PW和頻率無(wú)關(guān),。tgδ=σ/ωε,則當(dāng)ω→0時(shí),,tgδ→∞,。隨著ω的升高,tgδ減小,。
2)當(dāng)外加電場(chǎng)頻率逐漸升高時(shí),,松弛極化在某一頻率開(kāi)始跟不上外電場(chǎng)的變化,,松弛極化對(duì)介電常數(shù)的貢獻(xiàn)逐漸減小,因而εr隨ω升高而減少,。
在這一頻率范圍內(nèi),,由于ωτ<<1,故tgδ隨ω升高而增大,,同時(shí)Pw也增大,。
3)當(dāng)ω很高時(shí),εr→ε∞,,介電常數(shù)僅由位移極化決定,,εr趨于最小值。此時(shí)由于ωτ>>1,,此時(shí)tgδ隨ω升高而減小,。ω→∞時(shí),tgδ→0,。
2.溫度的影響
溫度對(duì)松弛極化產(chǎn)生影響,,因而P,ε和tgδ與溫度關(guān)系很大,。松弛極化隨溫度升高而增加,,離子間易發(fā)生移動(dòng),松弛時(shí)間常數(shù)τ減小,。
(1)當(dāng)溫度很低時(shí),τ較大,由德拜關(guān)系式可知,εr較小,,tgδ也較小
在此溫度范圍內(nèi),隨溫度上升,,τ減小,,εr、tgδ和PW上升,。
(2)當(dāng)溫度較高時(shí),,大于Tm,τ較小,,此時(shí)
在此溫度范圍內(nèi),,隨溫度上升,τ減小,,tgδ減小,。PW主要決定于極化過(guò)程, PW也隨溫度上升而減小,。
(3)當(dāng)溫度繼續(xù)升高,,達(dá)到很大值時(shí),離子熱運(yùn)動(dòng)能量很大,,離子在電場(chǎng)作用下的定向遷移受到熱運(yùn)動(dòng)的阻礙,,因而極化減弱,,εr下降。
電導(dǎo)損耗劇烈上升,,tgδ也隨溫度上升急劇上升,。
3.濕度的影響
介質(zhì)吸潮后,介電常數(shù)會(huì)增加,,但比電導(dǎo)的增加要慢,,由于電導(dǎo)損耗增大以及松馳極化損耗增加,而使tgδ增大,。
對(duì)于極性電介質(zhì)或多孔材料來(lái)說(shuō),,這種影響特別突出,如,,紙內(nèi)水分含量從4%增加到10%時(shí),,其tgδ可增加100倍。
四,、介電損耗的應(yīng)用
當(dāng)絕緣材料用于高電場(chǎng)強(qiáng)度或高頻的場(chǎng)合,應(yīng)盡量采用介質(zhì)損耗因數(shù)(即電介質(zhì)損耗角正切tgδ,,它是電介質(zhì)損耗與該電介質(zhì)無(wú)功功率之比)較低的材料,。
電介質(zhì)損耗用作一種電加熱手段,即利用高頻電場(chǎng)(一般為0.3~300兆赫) 對(duì)電介質(zhì)損耗大的材料(如木材,、紙,、陶瓷等)進(jìn)行加熱。頻率高于 300兆赫時(shí) ,,達(dá)到微波波段 ,,即為微波加熱( 家用微波爐即據(jù)此原理)。
結(jié)論:
總之,,介質(zhì)損耗是介質(zhì)的電導(dǎo)和松弛極化引起的電導(dǎo)和極化過(guò)程中帶電質(zhì)點(diǎn)(弱束縛電子和弱聯(lián)系離子,,并包括空穴和缺位)移動(dòng)時(shí),將它在電場(chǎng)中所吸收的能量部分地傳給周?chē)胺肿?,,使電磁場(chǎng)能量轉(zhuǎn)變?yōu)椤胺肿?的熱振動(dòng),,能量消耗在使電介質(zhì)發(fā)熱效應(yīng)上?!?/p>
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