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介質(zhì)損耗的表征方法

閱讀:2507發(fā)布時(shí)間:2022-10-19

介質(zhì)損耗的表征方法

有關(guān)介質(zhì)的損耗描述方法有多種,哪一種描述方法比較方便,,需根據(jù)用途而定,。

損耗角正切

tg?

介質(zhì)損耗大小

損耗因子

?tg?

作為絕緣材料的選擇依據(jù)

品質(zhì)因素

Q=1/tg?

應(yīng)用于高頻

損耗功率

p

功率的計(jì)算

等效電導(dǎo)率

?=????

電介質(zhì)發(fā)熱

復(fù)介電常數(shù)的復(fù)項(xiàng)

???

研究材料的功率、發(fā)熱

1,、介質(zhì)損耗角δ

在交變電場(chǎng)作用下,,電介質(zhì)內(nèi)流過(guò)的電流相量和電壓相量之間的夾角(功率因數(shù)角Φ)的余角(δ)。 簡(jiǎn)稱介損角

image.png

2,、介質(zhì)損耗正切值tgδ

又稱介質(zhì)損耗因數(shù),,是指介質(zhì)損耗角正切值,,簡(jiǎn)稱介損角正切,。介質(zhì)損耗因數(shù)的定義如下

image.png

image.png

這正是損失角δ=(90°-Φ)的正切值。因此現(xiàn)在的數(shù)字化儀器從本質(zhì)上講,,是通過(guò)測(cè)量δ或者Φ得到介損因數(shù),。

image.png

損耗角正切:

image.png

復(fù)介電常數(shù)

1)復(fù)介電常數(shù)的含義

電極化的基本過(guò)程有三:

①原子核外電子云的畸變極化;

②分子中正,、負(fù)離子的(相對(duì))位移極化,;

③分子固有電矩的轉(zhuǎn)向極化。

在外界電場(chǎng)作用下,,介質(zhì)的介電常數(shù) ε是綜合地反映這三種微觀過(guò)程的宏觀物理量,;它是頻率 ω的函數(shù)ε(ω)。

低頻極化

只當(dāng)頻率為零或頻率很低(例如1千赫)時(shí),三種微觀過(guò)程都參與作用,,這時(shí)的介電常數(shù)ε(0)對(duì)于一定的電介質(zhì)而言是個(gè)常數(shù),,通稱為介電常數(shù),,這也就是靜電介電常數(shù)εs或低頻介電常數(shù)。

image.png

中頻極化

隨著頻率的增加,,分子固有電矩的轉(zhuǎn)向極化逐漸落后于外場(chǎng)的變化,,這時(shí),介電常數(shù)取復(fù)數(shù)形式ε(ω)=ε′(ω)-jε″(ω),,其中虛部ε″(ω)代表介質(zhì)損耗,;它是由于電極化過(guò)程追隨不上外場(chǎng)的變化而引起的。

image.png

實(shí)部隨著·頻率的增加而顯著下降,,虛部出現(xiàn)峰值,。


高頻極化

頻率再增加,實(shí)部ε′(ω)降至新值,,虛部ε″(ω)變?yōu)榱?,這表示分子固有電矩的轉(zhuǎn)向極化已不能響應(yīng)了。

當(dāng)頻率進(jìn)入到紅外區(qū),,分子中正,、負(fù)離子電矩的振動(dòng)頻率與外場(chǎng)發(fā)生共振時(shí),實(shí)部ε′(ω)先突然增加,,隨即陡然下降,ε″(ω)又出現(xiàn)峰值,;

過(guò)此以后,正,、負(fù)離子的位移極化亦不起作用了,。 

image.png

2)漏導(dǎo)復(fù)介電常數(shù):

image.png

復(fù)介電常數(shù):

image.png

損耗角正切

image.png

ε’和ε"是依賴于頻率的量

介質(zhì)的損耗由復(fù)介電常數(shù)的虛部???引起,通常電容電流由實(shí)部??引起,,相當(dāng)于實(shí)際測(cè)得介電常數(shù),。

2)極化損耗的復(fù)介電常數(shù)

image.png

交變電場(chǎng)作用下的P(t)為:

image.png

A.極化損耗復(fù)介電常數(shù)

image.png

B.極化損耗復(fù)介電常數(shù)含義:

image.png

D.復(fù)介電常數(shù)的德拜表達(dá)式

image.png

其中: ?(0) -----低或靜態(tài)的相對(duì)介電常數(shù)

             ?? ------ ???時(shí)的相對(duì)介電常數(shù)


4、介質(zhì)損耗功率

1)直流電壓下    PW=IU=GU2             G為介質(zhì)的電導(dǎo),單位為西門子(S),。

定義單位體積的介質(zhì)損耗為介質(zhì)損耗功率p,,

image.png

V為介質(zhì)體積,σ為純自由電荷產(chǎn)生的電導(dǎo)率(S/m),。

在一定的直流電場(chǎng)下,,介質(zhì)損耗率取決于材料的電導(dǎo)率

image.png



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