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關于電擊穿試驗儀設備的特點
閱讀:2164發(fā)布時間:2022-4-15
固體介質(zhì)的擊穿的介紹:
1 概 述
介質(zhì)擊穿
Ub 為擊穿電壓(擊穿電場Eb=Ub/d ,d為介質(zhì)厚度)
• 擊穿的分類
? 本征擊穿(Intrinsic Breakdown):電擊穿
? 非本征擊穿:熱擊穿(Thermal Breakdown)
? 放電擊穿(Discharge Breakdown)
• 介質(zhì)擊穿兩種情況
? 發(fā)生久性變化(或叫不可逆變化):如固體介質(zhì)擊穿,。
? 發(fā)生可恢復性變化:介質(zhì)在電場的作用下被擊穿,,把外電 場撤除后,介質(zhì)又恢復其絕緣性能,,如氣體,。
? “自愈現(xiàn)象"(Self-Healing),如金屬化紙介電容器 ,。
• 固體介質(zhì)擊穿的一般規(guī)律
1. 固體介質(zhì)的擊穿電場大于液體和氣體介質(zhì)
Eb (氣體) =3×106V/m
Eb (液體) =107~108V/m
Eb (固體) =108~109V/m
2. 固體介質(zhì)擊穿是破壞性的
3. 擊穿的發(fā)展過程
? 介電性能的破壞:絕緣變成導體(電擊穿)
? 介質(zhì)本身的破壞:有明顯的擊穿通道(熱擊穿,、機械擊 穿)
4. 擊穿與實驗條件有關:
電極形狀、媒質(zhì),、散熱條件,、電壓類型、加壓時間,、厚度
電擊穿的特點
①擊穿前的強電場 ,,符合玻爾定律: I = I0 eAU 或弗蘭克爾定律: I = I0 eB U
②擊穿場強高,擊穿電場范圍較窄108~109V/m
③在均勻電場中,,電擊穿發(fā)生時的電場強度直到厚度為 0.1u-1u范圍都與厚度無關,。
④擊穿場強與周圍媒質(zhì)溫度無關
⑤擊穿場強與加壓時間無關
電擊穿必須滿足:
電導率γ 小、tgδ小,、散熱條件好,,無氣隙、無邊緣放電
熱擊穿的特點
電擊穿和熱擊穿的判斷
熱擊穿電壓比電擊穿電壓較低
固體介質(zhì)的熱擊穿理論
兩點結論:
?熱擊穿電壓Ub與溫度T密切有關,,和電阻率ρ與溫度 的關系相同,,只是指數(shù)減半,logUb的斜率差不多為 logρ斜率的一半,;
?熱擊穿電壓Ub與溝道長度d成正比,,但實驗未證實。
概念:電擊穿為固體介質(zhì)的本征擊穿,。
產(chǎn)生原因:電子過程——電子碰撞電離
近代關于固體介質(zhì)電擊穿的理論,。
按照擊穿發(fā)生的判定條件,電擊穿理論分為兩大類:
1. 以碰撞電離開始作為擊穿判據(jù),,這類理論為碰撞電 離理論,,或稱本征電擊穿理論;
2. 以電離開始后,,電子倍增到一定數(shù)值,,足以破壞介 質(zhì)絕緣狀態(tài)作為擊穿判據(jù),,這類理論稱為“雪崩"擊穿 理論。
碰撞電離理論
單位時間內(nèi),,電子從電場獲得能量為A,,同時與晶格碰撞 失去能量為B。晶格波能量是量子化?ω的,,電子與晶格波
的交換能應為其整數(shù)倍n?ω,。
平衡狀態(tài):
當電場提高使平衡狀態(tài)破壞時A>B,碰撞電離立即發(fā)生,。 由上式確定碰撞電離開始發(fā)生的起始場強,,并作為介質(zhì)擊 穿場強。
希伯爾低能判據(jù)
A與B在數(shù)值上有三種情形:
?當電場較弱時,,A<B,,電子將損失能量達到其穩(wěn)定值,; ?A=B時,,為平衡狀態(tài),對應電子的最大能量,,臨界能量 ξc ?A>B時,,電子將不斷從電場中獲得能量。
EH為希伯爾場強,,或臨界擊穿場強,。
電場要使具有這樣小能量以上的所有電子加速才能導致
擊穿,故稱為慢電子擊穿理論,。
①當電場E很低時,,A(E1)與B相交于兩點,電子能量ξ1< ξ<ξ2的電子,,由于損耗大于獲得,,將不斷損失其能量 直至降低到ξ1而建立平衡時為止。若ξ<ξ1,,則A>B電 子能量增加,,直至ξ=ξ1達到平衡,電導的穩(wěn)定狀態(tài)不 會破壞,,電強度也不致破壞,。
②當電場E很高時,在任何情形下總是A(E2)>B,,肯定發(fā) 生擊穿,。
③當電場為某一臨界場強EH時,A(EH)曲線與B曲線相切,, 切點對應于B=f2 (ξ)為最大值處,,此時平衡關系成立,,
即A(EH ,ξc ) = B(T0 ,ξc )
弗洛里赫高能判據(jù)
晶體電擊穿是一些高能量的快電子碰撞電離引起,而不需要 所有的慢電子參與,,電場只需加速部分高能量(接近晶格電離能)的電子即可使晶體擊穿,。
有兩種可能情況:
ξ′ > ξ3 > Wi ①如此大能量的電子數(shù)極少,且速度快,、碰撞頻繁,、自由程短,不易積累能量,,電子崩不易形成,。
ξ2 < ξ′ < Wi ②由于A>B,電子在電場作用下被加速而能量增至Wi,,產(chǎn)生 碰撞電離并導致?lián)舸?。處于ξ<Wi狀態(tài)的電子,存在時間 長,,在經(jīng)過較長的自由行程后,,積累足夠大的能量,易形成 電子崩,,使電強度破壞達到擊穿,,因此只要能量ξ稍小于Wi 的電子被加速,就能導致?lián)舸?/span>
碰撞電離理論
堿鹵晶體擊穿場強的計算值與實驗值
?希伯爾電場充分但不必要:欲加速幾乎全部電子,,所需 的電場強度自然偏高,。
?弗洛里赫電場必要但不充分,計算出的電場自然偏低,。
“雪崩"電擊穿理論
(1)碰撞電離雪崩擊穿
Seitz理論:一個電子從陰極出發(fā),,經(jīng)過約40次碰撞 電離,介質(zhì)材料即被破壞,,又稱為“40繁代理論",。
設電場強度E=108V/m,電子遷移率μ≈10-4m2/V · s,, 擴散系數(shù)D≈10-4m2/s,。
在t=1μ s內(nèi),電子運動長度為1cm,,崩頭的擴散半徑
約為
在該圓柱體中原子數(shù)為
πr2 × 10?2 × 1029 ≈ 1017
設破壞晶格原子所需能量約為10eV,,即破壞圓柱體內(nèi)所有 原子所需能量為:1018eV。
每個電子經(jīng)過1cm從電場中獲得的能量約為106eV,,故只要
有1012個電子就破壞介質(zhì)晶格,。碰撞電離過程中電子數(shù)以
2 α增加
2α = 1012
α = 40
隧道擊穿
由于隧道效應使介質(zhì)中電流增 大,介質(zhì)失去絕緣性能的現(xiàn)象稱 為隧道擊穿。
隧道電流為:
A,、B為與電極-介質(zhì)間功函數(shù)有 關的常數(shù),,與溫度關系不大。 這個公式給出,,從電極進入介質(zhì) 導帶的隧道電流的密度與場強的 關系,。
電極至介質(zhì)隧道電流密度:
① 在強電場時隧道電流隨場強的增大而迅速增大,因 而必將導致介質(zhì)失去絕緣性能,。
② 福蘭茲提出用隧道電流導致介質(zhì)溫升達到一定溫度 (臨界溫度Tc)作為介質(zhì)隧道擊穿的判據(jù),。
③ 隧道電流與禁帶寬度有密切關系,禁帶狹窄時,,較 低場強下就有很大的隧道電流,。
機械擊穿
局部放電引起的擊穿
在工程上要制取一種連續(xù)均勻的固體介質(zhì)材料是困難的, 通常固體介質(zhì)中含有氣隙,,以下兩種形式:
(1)電極與介質(zhì)層之間留有氣隙
(2)介質(zhì)內(nèi)部存在氣隙或氣泡
在外施電壓作用下,,當擊穿場強較低的氣體(氣隙或氣泡)中的局部電場強度達到氣體的擊穿場強時,這部分氣 體開始放電,,使介質(zhì)發(fā)生不貫穿電極的局部擊穿,,這種現(xiàn) 象被稱為局部放電擊穿。
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