PECS II精密刻蝕鍍膜儀是一款桌面型寬束氬離子拋光及鍍膜設(shè)備,。一款獨立,、結(jié)構(gòu)緊湊的臺式設(shè)備。采用兩個寬束氬離子源對樣品表面進(jìn)行拋光,， 去除損傷層,，從而得到高質(zhì)量樣品，用于在 SEM,， 光鏡或者掃描探針顯微鏡上進(jìn)行成像,、EDS、EBSD,、CL,、EBIC 或其它分析。
PECS II精密刻蝕鍍膜儀
儀器簡介：
PECS II精密刻蝕鍍膜儀是一款桌面型寬束氬離子拋光及鍍膜設(shè)備,。
對于同一個樣品,，可在同一真空環(huán)境下完成拋光及鍍膜。
一款獨立,、結(jié)構(gòu)緊湊的臺式設(shè)備,。采用兩個寬束氬離子源對樣品表面進(jìn)行拋光， 去除損傷層,，從而得到高質(zhì)量樣品,，用于在 SEM， 光鏡或者掃描探針顯微鏡上進(jìn)行成像,、EDS,、EBSD、CL,、EBIC 或其它分析,。
采用 WhisperLok®技術(shù)，可選 配溫控液氮冷卻臺,。該功能有助于避免拋光過程 中產(chǎn)生的熱量而導(dǎo)致的樣品融化或者結(jié)構(gòu)變化,。
PECS II內(nèi)置了一個 10 英寸的觸摸屏。不管新手還是專家級用戶,，都可提高樣品的加工可控性 及可重復(fù)性,。數(shù)碼變焦顯微鏡配合 DigitalMicrograph® 軟件，可實現(xiàn)對樣品加工過程的實時 監(jiān)控及儲存彩色照片，這便于在SEM中進(jìn)行樣品檢查和分析,。
性能優(yōu)點：
WhisperLok 系統(tǒng)： 無需破壞主樣品室真空即可裝卸樣品。
低能聚焦潘寧離子槍：可加工對表面損傷敏感的樣品,，包括 EBSD和 CL,。
能量從0.1 – 8.0 keV可調(diào): 改進(jìn)低能拋光效果，減少非晶層,；提供更高的能量,，以提高拋光速度。
液氮樣品冷卻： 保護樣品,，避免離子束熱損傷,，去除可能的假象。
10 英寸觸摸屏控制：快速,，簡便地訪問所有的控制參數(shù),；無需電腦。
數(shù)碼變焦顯微鏡： 實時監(jiān)控加工過程,。
DigitalMicrograph 軟件彩照存儲： 將存儲的光學(xué)圖像與其他分析系統(tǒng)的數(shù)據(jù)做關(guān)聯(lián)分析,。
濺射沉積： 濺射靶材至樣品表面，防止樣品在 SEM/FIB 中發(fā)生荷電,。
主要應(yīng)用：
半導(dǎo)體
金屬（氧化物,，合金）
陶瓷
自然資源
技術(shù)規(guī)格：
離子源
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離子槍
| 兩個配有稀土磁鐵的潘寧離子槍
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拋光角度
| 0 到18°，每支離子槍可獨立調(diào)節(jié)
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離子束能量 (kV)
| 0.1 – 8.0
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離子束流密度峰值(mA/cm2)
| 10
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拋光速率 (µm/h)
| 90（對于硅試樣）
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離子束直徑
| 可用氣體流量計或放電電壓來調(diào)節(jié)
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樣品臺
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樣品大小(長 × 寬 ×高, mm)
| 32 × 15
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轉(zhuǎn)速 (rpm)
| 1 – 6
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離子束調(diào)制
| 角度范圍可調(diào)的單向調(diào)制或雙向調(diào)制
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樣品觀察
| 數(shù)碼變焦顯微鏡,，配有 PC 及 DigitalMicrograph 軟件（選配件） |
真空系統(tǒng)
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干泵系統(tǒng)
| 兩級隔膜泵支持 80 L/s的渦輪分子泵
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壓力 (torr)
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基本壓力
| 5 × 10-6
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工作壓力
| 8 × 10-5
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真空規(guī)
| 冷陰極型,，用于主樣品室；固體型,，用 于 前級機械泵
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樣品氣鎖
| WhisperLok技術(shù),，樣品交換時間小于1 分鐘
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用戶界面
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10 英寸彩色觸摸屏
| 操作簡單，且能夠控制所有參數(shù)和配方式操作
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尺寸及使用要求
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外形尺寸 (長 × 寬× 高, mm)
| 575 × 495 × 615
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運輸重量(kg)
| 45
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功耗 (W)
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運行時
| 200
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待機時
| 100
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電源要求
| 通用 100 – 240 VAC,，50/60 Hz（用戶額定電壓和頻率）
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氬氣(psi)
| 25
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訂貨編號：LR-200636
