LED光源就是發(fā)光二極管(LED)為發(fā)光體的光源,。發(fā)光二極管發(fā)明于20世紀(jì)60年代,，在隨后的數(shù)十年中,，其基本用途是作為收錄機(jī)等電子設(shè)備的指示燈,。

　　LED死燈的原因可能過(guò)百種,，僅以L(fǎng)ED光源為例,，從LED光源的芯片的入手，介紹一下芯片導(dǎo)致LED死燈的原因

　　一,、芯片抗靜電能力差

　　LED燈珠的抗靜電指標(biāo)高低取決于LED發(fā)光芯片本身,，與封裝材料預(yù)計(jì)封裝工藝基本無(wú)關(guān)，或者說(shuō)影響因素很小,，很細(xì)微;LED燈更容易遭受靜電損傷,，這與兩個(gè)引腳間距有關(guān)系，LED芯片裸晶的兩個(gè)電極間距非常小,，一般是一百微米以?xún)?nèi)吧,，而LED引腳則是兩毫米左右，當(dāng)靜電電荷要轉(zhuǎn)移時(shí),，間距越大,，越容易形成大的電位差，也就是高的電壓。所以,，封成LED燈后往往更容易出現(xiàn)靜電損傷事故,。

　　二、芯片外延缺陷

　　LED外延片在高溫長(zhǎng)晶過(guò)程中,，襯底,、MOCVD反應(yīng)腔內(nèi)殘留的沉積物、外圍氣體和Mo源都會(huì)引入雜質(zhì),，這些雜質(zhì)會(huì)滲入磊晶層,，阻止氮化鎵晶體成核，形成各種各樣的外延缺陷,，最終在外延層表面形成微小坑洞,，這些也會(huì)嚴(yán)重影響外延片薄膜材料的晶體質(zhì)量和性能。

　　三,、芯片化學(xué)物殘余

　　電極加工是制作LED芯片的關(guān)鍵工序,，包括清洗、蒸鍍,、黃光,、化學(xué)蝕刻,、熔合,、研磨，會(huì)接觸到很多化學(xué)清洗劑,，如果芯片清洗不夠干凈,，會(huì)使有害化學(xué)物殘余。這些有害化學(xué)物會(huì)在LED通電時(shí),，與電極發(fā)生電化學(xué)反應(yīng),，導(dǎo)致死燈、光衰,、暗亮,、發(fā)黑等現(xiàn)象出現(xiàn)。因此,，鑒定芯片化學(xué)物殘留對(duì)LED封裝廠來(lái)說(shuō)至關(guān)重要,。

　　四、芯片的受損

　　LED芯片的受損會(huì)直接導(dǎo)致LED失效,，因此提高LED芯片的可靠性至關(guān)重要,。蒸鍍過(guò)程中有時(shí)需用彈簧夾固定芯片，因此會(huì)產(chǎn)生夾痕,。黃光作業(yè)若顯影不*及光罩有破洞會(huì)使發(fā)光區(qū)有殘余多出的金屬,。晶粒在前段制程中，各項(xiàng)制程如清洗、蒸鍍,、黃光,、化學(xué)蝕刻、熔合,、研磨等作業(yè)都必須使用鑷子及花籃,、載具等，因此會(huì)有晶粒電極刮傷的情況發(fā)生,。

　　芯片電極對(duì)焊點(diǎn)的影響：芯片電極本身蒸鍍不牢靠,，導(dǎo)致焊線(xiàn)后電極脫落或損傷;芯片電極本身可焊性差，會(huì)導(dǎo)致焊球虛焊;芯片存儲(chǔ)不當(dāng)會(huì)導(dǎo)致電極表面氧化,，表面玷污等等,，鍵合表面的輕微污染都可能影響兩者間的金屬原子擴(kuò)散，造成失效或虛焊,。

　　五,、新結(jié)構(gòu)工藝的芯片與光源物料的不兼容

　　新結(jié)構(gòu)的LED芯片電極中有一層鋁，其作用為在電極中形成一層反射鏡以提高芯片出光效率,，其次可在一定程度上減少蒸鍍電極時(shí)黃金的使用量從而降低成本,。但鋁是一種比較活潑的金屬，一旦封裝廠來(lái)料管控不嚴(yán),，使用含氯超標(biāo)的膠水,，金電極中的鋁反射層就會(huì)與膠水中的氯發(fā)生反應(yīng)，從而發(fā)生腐蝕現(xiàn)象,。