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電腦式HMDS涂膠烤箱真空預(yù)處理鍍膜烘箱
用于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝流程,，HMDS預(yù)處理系統(tǒng)通過對烘箱HMDS預(yù)處理過程的工作溫度,、處理時(shí)間、處理時(shí)保持時(shí)間等參數(shù)可以在硅片,、基片表面均勻涂布一層HMDS,，降低了HMDS處理后的硅片接觸角，降低了光刻膠的用量,，提高光刻膠與硅片的黏附性,。
產(chǎn)品簡介
詳細(xì)介紹
電腦式HMDS涂膠烤箱真空預(yù)處理鍍膜烘箱
電腦式HMDS涂膠烤箱真空預(yù)處理鍍膜烘箱
電腦式HMDS涂膠烤箱真空預(yù)處理鍍膜烘箱
HMDS預(yù)處理真空烘箱/HMDS涂膠烤箱
一、預(yù)處理系統(tǒng)的必要性：
在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中,，光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個工藝環(huán)節(jié),，而涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,，涂膠工藝顯得更為必要,，尤其在所刻線條比較細(xì)的時(shí)候，任何一個環(huán)節(jié)出現(xiàn)一點(diǎn)紕漏,，都可能導(dǎo)致光刻的失敗,。在涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,，而晶片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,，如果在晶片表面直接涂膠的話,，會造成光刻膠和晶片的黏合性較差,，甚至造成局部的間隙或氣泡，涂膠厚度和均勻性都受到影響,，進(jìn)而會影響了光刻效果和顯影,，尤其是正膠,，顯影時(shí)顯影液會侵入光刻膠和晶片的連接處,，容易造成漂條、浮膠等,，導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗,，同時(shí)濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕,，所以涂膠工藝中引入一種化學(xué)制劑HMDS(六甲基二硅氮甲烷,，英文全名Hexamethyldisilazane)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到晶片表面后,，經(jīng)烘箱加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物，是一種表面活性劑,，它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?，其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合,，起著偶聯(lián)劑的作用。
二、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)與性能
2.1產(chǎn)品結(jié)構(gòu)：
1．設(shè)備外殼采用SUS304不銹鋼材質(zhì)，內(nèi)膽316L不銹鋼材料制成,；不銹鋼加熱管,均勻分布在內(nèi)膽外壁,，內(nèi)膽內(nèi)無任何電氣配件及易燃易爆裝置,；鋼化,、防彈雙層玻璃觀察窗,便于觀察工作室內(nèi)物品實(shí)驗(yàn)情況,。
2．箱門閉合松緊能調(diào)節(jié),，整體成型的硅橡膠門封圈，確保箱內(nèi)保持高真空度,。
3．溫度微電腦PID控制,系統(tǒng)具有自動控溫,、定時(shí),、超溫報(bào)警等,LCD液晶顯示,觸摸式按鍵,控溫精確可靠。
4．智能化觸摸屏控制系統(tǒng)配套日本三菱PLC模塊可供用戶根據(jù)不同制程條件改變程序,、溫度,、真空度及每一程序時(shí)間。
5．HMDS氣體密閉式自動吸取添加設(shè)計(jì),，使真空箱密封性能*,，確保HMDS氣體無外漏顧慮。
6．無發(fā)塵材料，適用百級光刻間凈化環(huán)境使用,。
2.2產(chǎn)品性能：
1.由于是在經(jīng)過數(shù)次的氮?dú)庵脫Q再進(jìn)行的HMDS處理,，所以不會有塵埃的干擾,，系統(tǒng)是將去水烘烤和HMDS處理放在同一道工藝,，同一個容器中進(jìn)行,，晶片在容器里先經(jīng)過100℃-200℃的去水烘烤，再接著進(jìn)行HMDS處理，不需要從容器里傳出而接觸到大氣，晶片吸收水分子的機(jī)會大大降低，所以有著更好的處理效果,。
2.由于它是以蒸汽的形式涂布到晶片表面上,，所以有液態(tài)涂布不可比擬更好的均勻性,。
3.液態(tài)涂布是單片操作，而本系統(tǒng)一次可以處理多達(dá)4盒的晶片,，效率高。
4.用液態(tài)HMDS涂布單片所用的藥液比用本系統(tǒng)處理4盒晶片所用藥液還多，經(jīng)實(shí)踐證明,，更加節(jié)省藥液。
5. HMDS是有毒化學(xué)藥品,，人吸入后會出現(xiàn)反胃、嘔吐,、腹痛,、刺激呼吸道等,，由于整個過程是在密閉的環(huán)境下完成的，所以不會有人接觸到藥液及其蒸汽,，也就更加安全,，它的尾氣是直接由機(jī)械泵抽到尾氣處理機(jī)，所以也不會對環(huán)境造成污染,，更加環(huán)保和安全。
三、技術(shù)參數(shù)：
型號：PVD-090-HMDS
容積：90L
控溫范圍：RT+10～250℃
溫度分辨率：0.1℃
控溫精度：±0.5℃
隔板數(shù)量：2pcs
真空度：<133Pa（真空度范圍100～100000pa）
真空泵：DM4（外置連接）
電源：AC220/50HZ
額定功率：3.0KW
內(nèi)膽尺寸mm：450x450x450 （W*D*H）
外形尺寸mm：650x640x910 （W*D*H）
木箱包裝mm: 840x750x1100（W*D*H）
連接管：316不銹鋼波紋管,，將真空泵與真空箱*密封無縫連接
四、HMDS預(yù)處理系統(tǒng)的原理：
HMDS預(yù)處理系統(tǒng)通過對烘箱HMDS預(yù)處理過程的工作溫度,、處理時(shí)間,、處理時(shí)保持時(shí)間等參數(shù)可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS,，降低了HMDS處理后的硅片接觸角,，降低了光刻膠的用量，提高光刻膠與硅片的黏附性,。
五,、HMDS預(yù)處理系統(tǒng)的一般工作流程：
首先確定烘箱工作溫度。典型的預(yù)處理程序?yàn)椋捍蜷_真空泵抽真空,，待腔內(nèi)真空度達(dá)到某一高真空度后,，開始充入氮?dú)猓涞侥车驼婵斩群?，再次進(jìn)行抽真空,、充入氮?dú)獾倪^程，到達(dá)設(shè)定的充入氮?dú)獯螖?shù)后,，開始保持一段時(shí)間,，使硅片充分受熱，減少硅片表面的水分,。然后再次開始抽真空,，充入HMDS氣體，在到達(dá)設(shè)定時(shí)間后,，停止充入HMDS藥液,，進(jìn)入保持階段,，使硅片充分與HMDS反應(yīng)。當(dāng)達(dá)到設(shè)定的保持時(shí)間后,，再次開始抽真空,。充入氮?dú)猓瓿烧麄€作業(yè)過程,。HMDS與硅片反應(yīng)機(jī)理如圖：首先加熱到100℃-200℃,，去除硅片表面的水分，然后HMDS與表面的OH一反應(yīng),，在硅片表面生成硅醚,，消除氫鍵作，從而使極性表面變成非極性表面,。整個反應(yīng)持續(xù)到空間位阻(*基硅烷基較大)阻止其進(jìn)一步反應(yīng),。
開箱溫度可以由user自行設(shè)定來降低process時(shí)間，正常工藝在50分鐘-90分鐘(按產(chǎn)品所需而定烘烤時(shí)間),為正常工作周期不含降溫時(shí)間（因降溫時(shí)間為常規(guī)降溫））,。
六,、尾氣排放：
多余的HMDS蒸汽（尾氣）將由真空泵抽出，排放到廢氣收集管道,。在無廢氣收集管道時(shí)需做專門處理,。
七、產(chǎn)品操作控制系統(tǒng)配置:
1. 標(biāo)配DM4直聯(lián)旋片式真空泵（外置）
需要使用干泵可選愛德華或安捷倫（客戶自行購買）
2. LCD液晶顯示溫度控制器,PLC觸摸屏操作模塊
3. 固態(tài)繼電器
4. 加急停裝置
其它選配：
1）波紋管2米或3米（標(biāo)配含1米）
2）富士溫控儀表（溫度與PLC聯(lián)動）
3）三色燈
4）增加HMDS藥液瓶
5）藥液瓶低液位報(bào)警
6）開門報(bào)警
7）下箱柜子（304不銹鋼）
8）壓力記錄儀（曲線）
9）溫度記錄儀（曲線）
備注：選配壓力記錄儀,、溫度記錄儀時(shí),，因工藝需要改變設(shè)備整個外箱結(jié)構(gòu)，請參考實(shí)物圖,。外殼采用SS41粉末靜電噴涂,，內(nèi)膽采用316L不銹鋼，外箱尺寸為（W*D*H）mm：980x655x1600（含下箱柜高700）,，下箱柜空置,。