13
當前位置：上海添時科學儀器有限公司>>CVD氣相沉積>>等離子體增強CVD管爐>> PECVD等離子體增強氣相沉積
PECVD等離子體增強化學氣相沉積是一種利用等離子體來促進氣體反應的CVD技術,。其特點包括：
1、低溫沉積：PECVD可以在較低的基材溫度下進行,，因為等離子體提供的能量能夠促進氣體反應,，降低沉積溫度的需求。
2,、高沉積速率：等離子體增強了氣體反應速率,，從而提高了薄膜沉積速率。
3,、良好的膜質量：PECVD沉積的薄膜通常具有較好的均勻性和較低的缺陷密度,，適用于需要高質量薄膜的應用。
4,、適應性強：可以沉積多種材料,，包括氧化物、氮化物和氟化物等,，廣泛應用于半導體,、光電器件和保護涂層等領域。
5,、控制性好：通過調整等離子體的參數(shù)（如功率,、氣體流量和壓力），可以精確控制薄膜的成分和性質,。
加熱爐參數(shù)
?最高溫度：1200ºC（<30min）,，連續(xù)工作溫度：1100℃；
?兩個PID溫度控制器及30段可編程溫控系統(tǒng),；
?輸入功率：208-240V,，單相，最大功率：2.5KW,；
?高純氧化鋁纖維保溫層可以最大限度降低能耗,；
?回轉爐旋轉速度：2-10rpm；
?爐體開啟式設計,，以達到對樣品快速降溫,，方便更換爐管。
