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PCVD工藝的具體流程
PECVD等離子體增強化學(xué)氣相沉積是一種利用等離子體來促進氣體反應(yīng)的CVD技術(shù),。其特點包括：
1,、低溫沉積：PECVD可以在較低的基材溫度下進行,，因為等離子體提供的能量能夠促進氣體反應(yīng),，降低沉積溫度的需求,。
2,、高沉積速率：等離子體增強了氣體反應(yīng)速率，從而提高了薄膜沉積速率,。
3,、良好的膜質(zhì)量：PECVD沉積的薄膜通常具有較好的均勻性和較低的缺陷密度，適用于需要高質(zhì)量薄膜的應(yīng)用,。
4,、適應(yīng)性強：可以沉積多種材料，包括氧化物,、氮化物和氟化物等,，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電器件和保護涂層等領(lǐng)域,。
5,、控制性好：通過調(diào)整等離子體的參數(shù)（如功率、氣體流量和壓力）,，可以精確控制薄膜的成分和性質(zhì),。
PCVD工藝的流程：
(1)沉積。沉積過程借助低壓等離子體使流進高純度石英玻璃沉積管內(nèi)的氣態(tài)鹵化物和氧氣在1000℃以上的高溫條件下直接沉積成設(shè)計要求的光纖芯中玻璃的組成成分,。
(2)熔縮。沿管子方向往返移動的石墨電阻爐對小斷旋轉(zhuǎn)的管子加熱到大約2200℃,，在表面張力的作用下,，分階段將沉積好的石英管熔縮成一根實心棒(預(yù)制棒)。
(3)套棒。為獲得光纖芯層與包層材料的適當(dāng)比例,，將熔縮后的石英棒套入一根截面積經(jīng)過精心挑選的管子中,，這樣裝配后即可進行拉絲。
(4)拉絲,。套棒被安裝在拉絲塔的頂部,，下端緩緩放入約2100℃的高溫爐中，此端熔化后被拉成所需包層直徑的光纖(通常為125 cm),，并進行雙層涂覆和紫外固化,。
(5)光纖測試。拉出的光纖要經(jīng)過各種試,，以確定光纖的幾何,、光學(xué)和機械性能。