首先,，把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝,，通過石墨加熱器產(chǎn)生的高溫將其熔化；然后,，對熔化的硅液稍做降溫,，使之產(chǎn)生一定的過冷度,，再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體（稱作籽晶）插入熔體表面，待籽晶與熔體熔和后,，慢慢向上拉籽晶,，晶體便會在籽晶下端生長；接著,，控制籽晶生長出一段長為100mm左右,、直徑為3～5mm的*，用于消除高溫溶液對籽晶的強烈熱沖擊而產(chǎn)生的原子排列的位錯,，這個過程就是引晶,；隨后，放大晶體直徑到工藝要求的大小,，一般為75～300mm,，這個過程稱為放肩；接著,，突然提高拉速進行轉(zhuǎn)肩操作,，使肩部近似直角；然后,，進入等徑工藝,，通過控制熱場溫度和晶體提升速度，生長出一定直徑規(guī)格大小的單晶柱體,；最后,，待大部分硅溶液都已經(jīng)完成結(jié)晶時，再將晶體逐漸縮小而形成一個尾形錐體,，稱為收尾工藝,。這樣一個單晶拉制過程就基本完成，進行一定的保溫冷卻后就可以取出,。

直拉法,，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法,，用直拉法生長單晶的設(shè)備和工藝比較簡單,，容易實現(xiàn)自動控制，生產(chǎn)效率高,，易于制備大直徑單晶,，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低電阻率單晶,。據(jù)統(tǒng)計,，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70%～80%是用直拉法生產(chǎn)的。