首先,，把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝，通過石墨加熱器產(chǎn)生的高溫將其熔化,；然后,，對熔化的硅液稍做降溫，使之產(chǎn)生一定的過冷度,，再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體（稱作籽晶）插入熔體表面,，待籽晶與熔體熔和后，慢慢向上拉籽晶,，晶體便會(huì)在籽晶下端生長,；接著，控制籽晶生長出一段長為100mm左右,、直徑為3～5mm的*,，用于消除高溫溶液對籽晶的強(qiáng)烈熱沖擊而產(chǎn)生的原子排列的位錯(cuò)，這個(gè)過程就是引晶,；隨后,，放大晶體直徑到工藝要求的大小，一般為75～300mm，這個(gè)過程稱為放肩,；接著,，突然提高拉速進(jìn)行轉(zhuǎn)肩操作，使肩部近似直角,；然后,，進(jìn)入等徑工藝，通過控制熱場溫度和晶體提升速度,，生長出一定直徑規(guī)格大小的單晶柱體,；最后，待大部分硅溶液都已經(jīng)完成結(jié)晶時(shí),，再將晶體逐漸縮小而形成一個(gè)尾形錐體,，稱為收尾工藝。這樣一個(gè)單晶拉制過程就基本完成,，進(jìn)行一定的保溫冷卻后就可以取出,。

直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法,。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法,，用直拉法生長單晶的設(shè)備和工藝比較簡單，容易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制,，生產(chǎn)效率高,，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度,，可以制備低電阻率單晶,。據(jù)統(tǒng)計(jì)，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70%～80%是用直拉法生產(chǎn)的,。