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PECVD等離子體增強(qiáng)氣相沉積的設(shè)備特點(diǎn)和技術(shù)的基本要求
PECVD等離子體增強(qiáng)氣相沉積是利用氣象中發(fā)生的物理、化學(xué)過程,，改變工件表面成分,，在表面形成具有特殊性能的金屬或者化合物涂層的新技術(shù)。
PECVD等離子體增強(qiáng)氣相沉積的設(shè)備特點(diǎn)：
1,、高真空系統(tǒng)由雙級(jí)旋片真空泵和分子泵組成,；
2、可配合壓強(qiáng)控制儀控制氣體壓力,，實(shí)現(xiàn)負(fù)壓的控制,；
3、數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)是由多路質(zhì)量流量計(jì),，流量顯示儀等組成,，實(shí)現(xiàn)氣體的流量的測(cè)量和控制；
4,、每條氣體管路均配備高壓逆止閥,，保證系統(tǒng)的安全性和連續(xù)均勻性；
5、采用KF快速法蘭密封,，裝卸方便快捷,；
6、管路采用卡套連接,，不漏氣,；
7、超溫,、過壓時(shí),，自動(dòng)切斷加熱電源及流量計(jì)進(jìn)氣；
8,、PECVD借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體,，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng),，更容易發(fā)生反應(yīng)。
PECVD等離子體增強(qiáng)氣相沉積技術(shù)的基本要求：
使用CVD技術(shù)沉積目標(biāo)產(chǎn)物時(shí),，其目標(biāo)產(chǎn)物,、原材料及反應(yīng)類型的選擇通常要遵循以下3項(xiàng)原則：
（1）原材料在較低溫度下應(yīng)具有較高的蒸氣壓且易于揮發(fā)成蒸汽并具有很高的純度,，簡(jiǎn)而言之原材料揮發(fā)成氣態(tài)的溫度不宜過高,。
（2）通過反應(yīng)類型和原材料的選擇盡量避免副產(chǎn)物的生成,，若有副產(chǎn)物的存在,，在反應(yīng)溫度下副產(chǎn)物應(yīng)易揮發(fā)為氣態(tài)，這樣易于排出或分離,。
?。?）盡量選擇沉積溫度低的反應(yīng)沉積目標(biāo)產(chǎn)物，因大多數(shù)基體材料無法承受CVD的高溫,。
?。?）反應(yīng)過程盡量簡(jiǎn)單易于控制。