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檸檬酸對聚合物前驅(qū)體法制備 WO3 薄膜光電性質(zhì)的影響
檸檬酸對聚合物前驅(qū)體法制備 WO3 薄膜光電性質(zhì)的影響
摘要:以偏鎢酸銨為鎢源,,檸檬酸為絡(luò)合劑,聚乙二醇(PEG)為聚合物合成前 驅(qū)體溶膠,,并用浸漬提拉法在 FTO 導電玻璃上制備了 WO3 薄膜,,研究配位劑檸檬 酸對聚合物前驅(qū)體法制備 WO3 薄膜結(jié)構(gòu)和光電性質(zhì)的影響。采用 X 線衍射,、拉曼 光譜和場發(fā)射掃描電鏡等手段研究薄膜的相組成及表面形貌,,借助標準三電極體 系進行了光電化學測試,并進一步討論了檸檬酸對 WO3 薄膜光電性能影響機理,。 結(jié)果表明:CA 和 W 摩爾比為 0,,0.5,1.0 和 2.0 條件下薄膜表面顆粒平均尺寸 分別為 60,,80,,110 和 115nm,500W 氙燈照射 1.2 V(vs Ag/AgCl)偏壓條件下,, 光電流密度分別為 2.4,,3.2,3.4 和 3.5mA/cm2:檸檬酸的加入有效地改變了薄 膜的表面形貌,,較高的表面粗糙度和較大的顆粒使得 WO3 薄膜電極有更好的光電 性能,。
關(guān)鍵詞:檸檬酸;三氧化鎢:納米薄膜,;光電化學
近年來,,多種半導體材料如 TiO2,WO3,,SrTiO3,,CdS 和 ZnO 等被用作光陽 極材料進行光電化學制氫研究[1-6],。三氧化鎢(WO3)是 1 種穩(wěn)定、無毒和價格 低廉的 n 型半導體材料,,具有較小的禁帶寬度和良好的可見光響應等特點,,因此, 在光催化和光電化學領(lǐng)域備受關(guān)注,。目前制備 WO3 薄膜的方法有:真空蒸發(fā)法 [7],、濺射法[8]、溶膠-凝膠法[9-10],、陽極氧化法[11]及電沉積法[12-13]等,。 其中有的技術(shù)方法設(shè)備要求高,制備工藝復雜,,成本昂貴,,且無法制備大面積的 膜。溶膠-凝膠法具有儀器簡單,,成本低,,易大面積成膜等優(yōu)點。典型的溶膠- 凝膠法大致有鎢酸鹽酸化法,、鎢粉過氧化聚鎢酸法,、鎢酸鹽的離子交換法、鎢的 醇鹽水解法和氯化鎢的醇化法等幾種類型,。但是,,其中有的工藝存在反應復雜、 原料昂貴,、溶膠穩(wěn)定時間短等缺點,。聚合物前驅(qū)體法也是溶膠-凝膠法的一種, 其過程是在含水的金屬鹽溶液中加入水溶性聚合物,,如聚乙烯醇,、聚丙烯酸和聚 乙二醇,由于它們都是陽離子配位有機聚合物,,將大大改變原水前驅(qū)液的流變性 能,。然后金屬離子將充當聚合物之間的交聯(lián)劑,聚合鏈中的隨機交聯(lián)把水圍在生 長的三維網(wǎng)絡(luò)中,,使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)槿苣z[14],。由于沒有復雜的反應,環(huán)境污染小,。 工藝簡單和無需復雜的設(shè)備,,該方法廣泛應用于納米粉體及薄膜材料的制備 [15-17],。檸檬酸因具有三羧基結(jié)構(gòu).在前驅(qū)體溶膠合成過程中,,可作為金屬離 子絡(luò)合劑,,對提高前驅(qū)體溶膠穩(wěn)定時間和改變材料形貌具有顯著作用[14]。李文 章等利用聚合物前驅(qū)液法制備 WO3 薄膜,,并研究其光電化學性質(zhì)[l8],。為進一步 提高其光電性能,本文作者依據(jù)前驅(qū)體制備工藝的特點,,選用檸檬酸為絡(luò)合劑,, 以偏鎢酸銨為鎢源,聚乙二醇(PEG)為聚合物合成了前驅(qū)體溶膠,,在 FTO 導電 玻璃基底制備 WO3 薄膜,,研究檸檬酸對前驅(qū)體溶膠及 WO3 薄膜結(jié)構(gòu)和光電性質(zhì)的 影響,并探討其影響機理,。