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Idea-Cu薄膜蒸鍍厚度探索
使用GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si片上蒸鍍Cu，探索設(shè)備蒸鍍膜厚大及小值。
實驗過程：
圖1設(shè)備 圖2蒸發(fā)料
原料：銅段（蒸發(fā)料,，銅導(dǎo)線內(nèi)芯）,，Si基底（酒精超聲清洗30min，后使用去離子水超聲清洗30min,，真空烘箱70℃烘干）,。使用分子泵抽真空，待真空度到達(dá)100時,，利用氮?dú)鈱η皇疫M(jìn)行洗氣三至四次。洗氣結(jié)束,，待分子泵抽真空至10-4Torr,，開始給爐子加熱，升溫曲線0.6℃/s,，升溫至相應(yīng)溫度,，玻璃罩出現(xiàn)金屬色后打開擋板蒸鍍。
實驗結(jié)果如下：
目的 | 組別 | 蒸鍍條件 （溫度,、時間） | 鍍膜前 | 鍍膜后 | 膜厚 |
薄 | 1 | 1250℃,、10s |
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2 | 1200℃、10s |
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3 | 1200℃,、3s |
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厚 | 4 | 1200℃,、60min |
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5 | 1200℃、30min |
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結(jié)論：
1,、GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si基底上鍍Cu,，薄（膜厚儀可檢測）可蒸鍍至14.8nm
2、GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si基底上鍍Cu,，厚（起皮前）可蒸鍍至37.72μm
特別聲明：
1. 以上所有實驗僅為初步探究,，僅供參考。由于我們水平有限,，錯誤疏漏之處歡迎指出,，我們非常期待您的建議。
2. 歡迎您提出其他實驗思路,，我們來驗證,。
3. 以上實驗案例及數(shù)據(jù)只針對科晶設(shè)備，不具有普遍性,。
4. 因為涉及保密問題,，以上數(shù)據(jù)僅為部分?jǐn)?shù)據(jù)，歡迎老師與我們聯(lián)系,，我們非常期待和您共同探討設(shè)備的應(yīng)用技術(shù),。