關(guān)鍵字：測試平臺  吉時利  半導(dǎo)體工藝 

我目前研究的課題是NBTI，目前在使用4200進(jìn)行測試，請問使用使用4200zui快的測試時間可以到達(dá)多快？

A1：如果用4200做測試，它的zui快采樣周期應(yīng)該是大于10個毫秒,，如果用ACS加2600，我們可以做到zui快100個微妙的測試,。

Q2：芯片越來越小,，以后的晶片測試將如何完成？

A2：當(dāng)芯片越來越小,，對測試來說,，會看到兩個趨勢，脈沖和快速的測試,，脈沖主要是應(yīng)對像SOI,，High-K材料這樣新工藝，對于快速測試來說,，我們可能要應(yīng)對NBTI或者是行進(jìn)間的擊穿這樣的現(xiàn)象,。

Q3：請問有否關(guān)于Mosfet 的好的性能檢測方案？

A3：對于Mosfet來說,，您可能需要一些手動參數(shù)的系統(tǒng),，吉時利4200是一個非常流行的好的解決方案，您可以通過4200配置若干個數(shù)字源表單元,，就可以完成您的摩斯管的特定參數(shù)分析,。

Q4：對于半導(dǎo)體器件壽命提前測試現(xiàn)今的主要手段是什么？

A4：目前zui可靠的手段是WLR,，傳統(tǒng)的可靠性測試常常是在,，把一個芯片分裝作成成產(chǎn)品之后再做測試,，在這種情況下，如果您發(fā)現(xiàn)芯片有壽命問題,，在整個過程中,，您花費(fèi)的成本是非常大，我們現(xiàn)在往往會把可靠性測試往前提,，就是說把它提到在芯片制造過程中,，就可以做一些可靠性測試，對于像Mosfet,，現(xiàn)在有一些標(biāo)準(zhǔn)的測試項(xiàng)目，像講義中提到過的NBTI等,，這些都是一些非常標(biāo)準(zhǔn)的WLR測試項(xiàng)目,，然后可以通過對這些項(xiàng)目進(jìn)行檢測，就可以對半導(dǎo)體的壽命進(jìn)行提前預(yù)測,。

Q5：stress 是由加的電流電壓的熱效應(yīng)引起的嗎,？

A5：在可靠性測試中所謂的stress指的是加電壓或者是電流的偏壓，在時間上維持一個周期,。由于stress會引起器件的很多變化,，以HCI為例子，stress會引起器件的特性參數(shù)漂移,，造成器件的損傷,，或者有stress引起的物理或者是化學(xué)的效應(yīng)，熱效應(yīng)其實(shí)不是一個zui主要的原因,。

Q6：ACS 測試系統(tǒng)可以在高5度和低溫-30度的環(huán)境下測試嗎,？測試數(shù)據(jù)準(zhǔn)確度如何？

A6：我看到的測試系統(tǒng),，它能夠支持很高的溫度或者很低的溫度,，通常情況下，我們會將我們的儀器置于溫度箱之外,，就是說我們的測試器件,，控制器，計(jì)算機(jī)都會放在外面,，您可以把器件放在溫度箱里或者探針臺內(nèi),。

Q7：請問在測試精度為uA時，測試的zui少時間為多少,？

A7：如果您要做一個微安測試,，您可以在100微妙內(nèi)完成。

Q8：我目前是4200的用戶,，我對PUISE非常感興趣,，請問4200的PIVzui高能夠輸出多大電壓脈沖,？

A8：吉時利的PIV可以為客戶做到zui高72伏的電壓脈沖輸出