介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀
滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻,、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
一,、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述

GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途,、多量程的阻抗測(cè)試儀器,，測(cè)試頻率上限達(dá)到目前高的160MHz。
GDAT高頻 Q 表采用了多項(xiàng)技術(shù)：

雙掃描技術(shù) - 測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描,、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能,。
雙測(cè)試要素輸入 - 測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過(guò)數(shù)字按鍵輸入。
雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧,，數(shù)碼化電容調(diào)諧,。
自動(dòng)化測(cè)量技術(shù) -對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量,。
全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容,、電感、 Q 值,、信號(hào)源頻率,、諧振指針。
DDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真,，頻率的高精確,、幅度的高穩(wěn)定。
計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路*化 —使測(cè)試回路殘余電感減至zui低,，** Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑,。
gdat高頻Q表的創(chuàng)新設(shè)計(jì),，無(wú)疑為高頻元器件的阻抗測(cè)量提供了*的解決方案，它給從事高頻電子設(shè)計(jì)的工程師,、科研人員,、高校實(shí)驗(yàn)室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測(cè)工具
，測(cè)量值更為精確,，測(cè)量效率更高,。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點(diǎn)調(diào)諧電容值下檢測(cè)器件的品質(zhì),，無(wú)須關(guān)注量程和換算單位,。
一、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷,、裝置瓷,、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),，可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù),；儀器的基本原理是采用高頻諧振法,，并提供了，通用,、多用途,、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,，標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路,，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低,，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便,，測(cè)量值更為精確,。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,，電感器的電感量和分布電容量,，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,，傳輸線的特性阻抗等,。
該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校,、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究,。

主要技術(shù)特性
Q 值測(cè)量范圍 2 ～ 1023 ，量程分檔： 30 ,、 100 ,、 300 ,、 1000 ,，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔
固有誤差 ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
工作誤差 ≤7％ ± 滿度值的2％（ 200kHz ～ 10MHz ）,， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
電感測(cè)量范圍 4.5nH ～ 140mH
電容直接測(cè)量范圍 1 ～ 200pF
主電容調(diào)節(jié)范圍 18 ～ 220pF
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度 100pF 以下 ± 1pF ,； 100pF 以上 ± 1 ％
信號(hào)源頻率覆蓋范圍 100kHz ～ 160MHz
頻率分段（虛擬） 100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ,， 100 ～ 160MHz
頻率指示誤差 3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字

搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用
一 . 概述

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置與本公司生產(chǎn)的各款高頻Q表配套,，可用于測(cè)量絕緣材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗系數(shù)（損耗角正切值）。
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置是BD916914的換代產(chǎn)品,，它采用了數(shù)顯微測(cè)量裝置,，因而讀數(shù)方便，數(shù)據(jù)精確,。
測(cè)試裝置由一個(gè)LCD數(shù)字顯示微測(cè)量裝置和一對(duì)間距可調(diào)的平板電容器極片組成,。
平板電容器極片用于夾持被測(cè)材料樣品，微測(cè)量裝置則顯示被測(cè)材料樣品的厚度,。
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置須配用Q表作為調(diào)諧指示儀器,，通過(guò)被測(cè)材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化，測(cè)得絕緣材料的損耗角正切值,。
從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù),。

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置技術(shù)特性

平板電容器：極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選　　　　　
極片間距可調(diào)范圍：≥15mm
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz）
4．測(cè)微桿分辨率：0.001mm

電感：

線圈號(hào)    測(cè)試頻率    Q值    分布電容p       電感值
9         100KHz      98       9.4           25mH
8         400KHz     138       11.4        4.87mH
7         400KHz    202       16           0.99mH
6           1MHz     196       13          252μH
5           2MHz     198       8.7        49.8μH
4         4.5MHz    231       7             10μH
3          12MHz      193     6.9         2.49μH
2          12MHz      229     6.4        0.508μH

1   25MHz，50MHz   233,，211    0.9       0.125μH

北廣精儀設(shè)備有限公司：李

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