主要技術(shù)特性
Q 值測(cè)量范圍 2 ～ 1023 ,，量程分檔： 30 、 100 ,、 300 ,、 1000 ，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔
固有誤差 ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）,， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
工作誤差 ≤7％ ± 滿度值的2％（ 200kHz ～ 10MHz ）,， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）

電感測(cè)量范圍	4.5nH ～ 140mH
電容直接測(cè)量范圍	1 ～ 200pF
主電容調(diào)節(jié)范圍	18 ～ 220pF
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度	100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％
信號(hào)源頻率覆蓋范圍	100kHz ～ 160MHz
頻率分段（虛擬）	100 ～ 999.999kHz ,， 1 ～ 9.99999MHz, 10 ～ 99.9999MHz ,， 100 ～ 160MHz
頻率指示誤差	3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字

GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途,、多量程的阻抗測(cè)試儀器,，測(cè)試頻率上限達(dá)到目前高的160MHz。

介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷,、電容器等陶瓷,，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε）,，可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法,，并提供了,，通用、多用途,、多量程的阻抗測(cè)試,。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,，標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,，數(shù)值顯示等新技術(shù),，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低,，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測(cè)量值更為精確,。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量,，電容器的電容量和損耗角正切值,，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,，傳輸線的特性阻抗等,。
該儀器用于科研機(jī)關(guān),、學(xué)校,、工廠等單位對(duì)無機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。

搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置與本公司生產(chǎn)的各款高頻Q表配套,，可用于測(cè)量絕緣材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗系數(shù)（損耗角正切值）,。

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置是BD916914的換代產(chǎn)品，它采用了數(shù)顯微測(cè)量裝置,，因而讀數(shù)方便,，數(shù)據(jù)精確,。

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置技術(shù)特性：

平板電容器：	極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選
極片間距可調(diào)范圍：	≥15mm
夾具插頭間距：	25mm±0.01mm
夾具損耗正切值	≤4×10-4 （1MHz）
測(cè)微桿分辨率：	0.001mm

電感：

線圈號(hào) 測(cè)試頻率 Q值分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz，50MHz 233,，211 0.9 0.125μH

本儀器測(cè)試儀方法如下：

儀器的測(cè)試準(zhǔn)備工作
先要詳細(xì)了解配用Q表的使用方法,，操作時(shí)，要避免人體感應(yīng)的影響,。
a. 把配用的Q表主調(diào)諧電容置于較小電容量,。

b. 把本測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端子上。

c. 配上和測(cè)試頻率相適應(yīng)的高Q值電感線圈（本公司 Q表配套使用的LKI-1電感組能滿足要求）,，如：1MHz 時(shí)電感取250uH，15MHz時(shí)電感取1.5uH,。

d. 短按ON/OFF按鍵,，打開液晶顯示屏。

e. 調(diào)節(jié)平板電容器測(cè)微桿,，使平板電容器二極片相接為止,，長(zhǎng)按SET按鍵將初始值設(shè)置為0。

4．介電常數(shù)Σ的測(cè)試

a. 再松開二極片,，把被測(cè)樣品插入二極片之間,，調(diào)節(jié)平板電容器，到二極片夾住樣品止（注意調(diào)節(jié)時(shí)要用測(cè)微桿,，以免夾得過緊或過松）,，這時(shí)能讀取的測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值，既是樣品的厚度D2,。改變Q 表上的主調(diào)電容容量,，使Q 表處于諧振點(diǎn)上。

b. 取出平板電容器中的樣品,，這時(shí)Q 表又失諧,，此時(shí)調(diào)節(jié)平板電容器，使Q 表再回到諧振點(diǎn)上,，讀取測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為D4

c. 計(jì)算被測(cè)樣品的介電常數(shù)：
Σ＝D2 / D4

5．介質(zhì)損耗系數(shù)的測(cè)試

a. 重新把測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端上,。把被測(cè)樣品插入二極片之間，改變Q 表上的主調(diào)電容容量,，使Q 表處于諧振點(diǎn)上,，讀得Q 值，記為Q2,。電容讀數(shù)記為C2,。

b. 取出平板電容器中的樣品，這時(shí)Q 表又失諧,，再改變Q 表上的主調(diào)電容容量,，使Q 表重新處于諧振點(diǎn)上,。讀得Q 值，記為Q1,。電容讀數(shù)記為C1,。

c. 然后取下測(cè)試裝置，再改變Q 表上的主調(diào)電容容量,，重新使之諧振,，電容讀數(shù)記為C3，此時(shí)可計(jì)算得到測(cè)試裝置的電容為CZ = C3 －C1

d. 計(jì)算被測(cè)樣品的介質(zhì)損耗系數(shù)公式如下：

? ?
?
?
? ?
式中：CZ 為測(cè)試裝置的電容（平板電容器二極片間距為樣品的厚度D2）
C0 為測(cè)試電感的分布電容（參考LKI-1 電感組的分布電容值）

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