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[供應(yīng)]介電常數(shù)與介質(zhì)損耗測(cè)試儀
產(chǎn)地:北京市海淀區(qū)建材城西路
更新時(shí)間:2024-12-05 21:00:07
有效期:2024年12月5日 -- 2025年6月5日
已獲點(diǎn)擊:225
介電常數(shù)與介質(zhì)損耗測(cè)試儀電感器:
按測(cè)試頻率要求,需要配置不同量的電感器,。
例如:在1MHz測(cè)試頻率時(shí),,要配250μH電感器,在50MHz測(cè)試頻率時(shí),,要配0.1μH電感器等,。
高頻介質(zhì)樣品(選購件):
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品,。
該樣品由人工藍(lán)寶石,,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,,聚四氟乙烯,,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測(cè)試樣品,。用戶可按需訂購,,以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。
介電常數(shù)與介質(zhì)損耗測(cè)試儀特點(diǎn):
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),,使測(cè)Q分辨率至0.1Q,,使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試,。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,,測(cè)試頻率,,調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制,。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測(cè)試信號(hào),。獨(dú)立信號(hào) 源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源,。
◎ 測(cè)試裝置符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
主要技術(shù)指標(biāo):
2.1 tanδ和ε性能:
2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率200kHz~160MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試,。
2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:
tanδ:0.1~0.00005,,ε:1~50
2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):
tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%
工作頻率范圍:20kHz~70MHz 四位數(shù)顯,,壓控振蕩器
Q值測(cè)量范圍:1~1000三位數(shù)顯,,±1Q分辨率
可調(diào)電容范圍:40~500 pF ΔC±3pF
電容測(cè)量誤差:±1%±1pF
Q表殘余電感值:約20nH
定義
介質(zhì)損耗角dielectric loss angle
由絕緣材料作為介質(zhì)的電容器上所施加的電壓與由此而產(chǎn)生的電流之間的相位差的余角,。
介質(zhì)損耗因數(shù),,,dielectric dissipation factor
tan8損耗角a的正切,。
〔介質(zhì)〕損耗指數(shù)
E,該材料的損耗因數(shù)
tan8與相對(duì)電容率:r的乘積
復(fù)相對(duì)電容率complex relative permittivi
式 中 :
E, 一復(fù)相對(duì)電容率; 損耗指數(shù);
r一相對(duì)電容率;
tan8一介質(zhì)損耗因數(shù)。
注 :有損耗的電容器在任何給定的頻率下能用電容C和電阻R,的串聯(lián)電路表示,,或用電容C,和電阻R,(或電導(dǎo)G, )的 并 聯(lián) 電 路表示
CP— 并聯(lián)電容;
R,— 并聯(lián)電阻,。
雖然以并聯(lián)電路表示一個(gè)具有介質(zhì)損耗的絕緣材料通常是合適的,但在單一頻率下有時(shí)也需要以電容C,和電阻R,的串聯(lián)電路來表示,。
串聯(lián)元件與并聯(lián)元件之間,,成立下列關(guān)系:
試驗(yàn)步驟
7. 1 試樣的制備試樣 應(yīng) 從 固體材料上截取,為了滿足要求,,應(yīng)按相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)方法的要求來制備,。GB/T 1409-2006應(yīng)精 確 地 測(cè)量厚度,使偏差在士(0.2 %士,。.005m m)以內(nèi),,測(cè)量點(diǎn)應(yīng)均勻地分布在試樣表面。必要時(shí),,應(yīng)測(cè)其有效面積,。
7.2 條件處理條 件 處 理應(yīng)按相關(guān)規(guī)范規(guī)定進(jìn)行。
7.3 測(cè)f電氣 測(cè) 量 按本標(biāo)準(zhǔn)或所使用的儀器(電橋)制造商推薦的標(biāo)準(zhǔn)及相應(yīng)的方法進(jìn)行,。在 1 M H z或更高頻率下,,必須減小接線的電感對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。此時(shí),,可采用同軸接線系統(tǒng)(見圖1所示),,當(dāng)用變電抗法測(cè)量時(shí),應(yīng)提供一個(gè)固定微調(diào)電容器,。
8 結(jié)果
8.1 相對(duì)電容率E,
試樣 加 有 保護(hù)電極時(shí)其相對(duì)電容率,。r可按公式(1)計(jì)算,沒有保護(hù)電極時(shí)試樣的被測(cè)電容,Cl 包括
了一個(gè)微小的邊緣電容Ce,,其相對(duì)電容率為:
式 中 :
E,— 相 對(duì)電容率;
,Cl — 沒 有保護(hù)電極時(shí)試樣的電容;
C,— 邊 緣電容;
Co — 法向極間電容;
Co 和 C ,。能從表1計(jì)算得來。
必要 時(shí) 應(yīng) 對(duì)試樣的對(duì)地電容,、開關(guān)觸頭之間的電容及等值串聯(lián)和并聯(lián)電容之間的差值進(jìn)行校正,。微 計(jì) 電 極間或不接觸電極間被測(cè)試樣的相對(duì)電容率可按表2、表3中相應(yīng)的公式計(jì)算得來,。
8.2 介質(zhì)損耗因數(shù)tan8
介質(zhì) 損 耗 因數(shù)tans按照所用的測(cè)量裝置給定的公式,,根據(jù)測(cè)出的數(shù)值來計(jì)算。
8.3 精度要求
在第 5章 和附錄A中所規(guī)定的精度是:電容率精度為士1%,介質(zhì)損耗因數(shù)的精度為士(5%士
0.000 5),。這些精度至少取決于三個(gè)因素:即電容和介質(zhì)損耗因數(shù)的實(shí)測(cè)精度;所用電極裝置引起的這些量的校正精度;極間法向真空電容的計(jì)算精度(見表1).
在較 低 頻 率下,,電容的測(cè)量精度能達(dá)士(0.1 %士。02p F),,介質(zhì)損耗因數(shù)的測(cè)量精度能達(dá)士(2%士0.0000 5),。在較高頻率下,其誤差增大,,電容的測(cè)量精度為士(0.5 %士0.1 p F),,介質(zhì)損耗因數(shù)的測(cè)量精度為士(2%土。.000 2).對(duì) 于 帶 有保護(hù)電極的試樣,,其測(cè)量精度只考慮極間法向真空電容時(shí)有計(jì)算誤差,。但由被保護(hù)電極和保護(hù)電極之間的間隙太寬而引起的誤差通常大到百分之零點(diǎn)幾,而校正只能計(jì)算到其本身值的百分之幾,。如果試樣厚度的測(cè)量能精確到士,。.005 mm,則對(duì)平均厚度為1. 6 mm的試樣,,其厚度測(cè)量誤差能達(dá)到百分之零點(diǎn)幾,。圓形試樣的直徑能測(cè)定到士0. 1%的精度,但它是以平方的形式引人誤差的,,綜合這些因素,,極間法向真空電容的測(cè)量誤差為10.5%e對(duì) 表面 加 有電極的試樣的電容,若采用測(cè)微計(jì)電極測(cè)量時(shí),,只要試樣直徑比測(cè)微計(jì)電極足夠小,,則只需要進(jìn)行極間法向電容的修正。采用其他的一些方法來測(cè)量?jī)呻姌O試樣時(shí),,邊緣電容和對(duì)地電容的計(jì)算將帶來一些誤差,,因?yàn)樗鼈兊恼`差都可達(dá)到試樣電容的2%-40%。根據(jù)目前有關(guān)這些電容資料,,計(jì)算邊緣電容的誤差為10%,,計(jì)算對(duì)地電容的誤差為25 。因此帶來總的誤差是百分之幾十到百分之幾,。當(dāng)電極不接地時(shí),,對(duì)地電容誤差可大大減小。
采用 測(cè) 微 計(jì)電極時(shí),,數(shù)量級(jí)是,。.03的介質(zhì)損耗因數(shù)可測(cè)到真值的士0.0003 ,數(shù)量級(jí)0.0002 的介質(zhì)損耗因數(shù)可測(cè)到真值的士,。.000 05,。介質(zhì)損耗因數(shù)的范圍通常是,。.000 1-0. 1,,但也可擴(kuò)展到,。.1以上。頻率在10 MH:和20 MHz之間時(shí),,有可能檢測(cè)出,。.00002的介質(zhì)損耗因數(shù)。1-5的相對(duì)電容率可測(cè)到其真值的士20o,,該精度不僅受到計(jì)算極間法向真空電容測(cè)量精度的限制,,也受到測(cè)微計(jì)電極系統(tǒng)誤差的限制。
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