2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm,， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4

基于串聯(lián)諧振原理的是測(cè)試系統(tǒng)的二次儀表，其數(shù)碼化主調(diào)電容器的創(chuàng)新設(shè)計(jì)代表了行業(yè)的zui高成就,，隨之帶來了頻率,、電容雙掃描GDAT的全新搜索功能。該表具有*人機(jī)界面,，采用LCD液晶屏顯示各測(cè)量因子：Q值,、電感L、主調(diào)電容器C,、測(cè)試頻率F,、諧振趨勢(shì)指針等。高頻信源采用直接數(shù)字合成,測(cè)試頻率10KHz-60MH或200KHz-160MHz,，頻率精度高達(dá)1×10^-6,。國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006規(guī)定了用Q表法來測(cè)定電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)，把被測(cè)材料作為平板電容的介質(zhì),，與輔助電感等構(gòu)成串聯(lián)諧振因子引入Q表的測(cè)試回路,，以獲取zui高的測(cè)試靈敏度。因而Q表法的測(cè)試結(jié)果更真實(shí)地反映了介質(zhì)在高頻工作狀態(tài)下的特征,。

　　 GDAT全數(shù)字化界面和微機(jī)控制使讀數(shù)清晰穩(wěn)定,、操作簡(jiǎn)便。操作者能在任意點(diǎn)頻率或電容值的條件下檢測(cè)Q值甚至tanδ,，無須關(guān)注量程和換算,，*摒棄了傳統(tǒng)Q表依賴面板上印制的輔助表格操作的落后狀況，它無疑是電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)測(cè)量的理想工具,。

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試,。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005,，ε：±2%

工作頻率范圍：50kHz～50MHz 四位數(shù)顯,，壓控振蕩器

Q值測(cè)量范圍：1～1000三位數(shù)顯，±1Q分辨率

可調(diào)電容范圍：40～500 pF ΔC±3pF

電容測(cè)量誤差：±1%±1pF

Q表殘余電感值：約20nH

介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz～120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試,。

本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成,，平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品，配用Q表作為指示儀器,。

絕緣材料的損耗角正切值是通過被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計(jì)算得到,。

同樣,，由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化，通過公式計(jì)算得到介電常數(shù),。

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀電感器：

按測(cè)試頻率要求,，需要配置不同量的電感器。

例如：在1MHz測(cè)試頻率時(shí),，要配250μH電感器,，在50MHz測(cè)試頻率時(shí)，要配0.1μH電感器等,。

高頻介質(zhì)樣品（選購(gòu)件）：
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,，檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。

該樣品由人工藍(lán)寶石,，石英玻璃,，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯,，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,，厚1～2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購(gòu),，以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性,。

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀特點(diǎn)：

◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q,，使tanδ分辨率至0.00005 ,。

◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小,。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率,，調(diào)諧狀態(tài)等,。

◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測(cè)試信號(hào),。獨(dú)立信號(hào) 源輸出口,，所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求,。

◆儀器技術(shù)指標(biāo)：
☆Q值測(cè)量：
a．Q值測(cè)量范圍：5～999,。 b．Q值量程分檔：30、100,、300,、999、自動(dòng)換檔,。
c．標(biāo)稱誤差
頻率范圍：25kHz～10MHz,；固有誤差：≤5％±滿度值的2％,；工作誤差：≤7％±滿度值的2％；
頻率范圍：10MHz～50MHz,；固有誤差：≤7％±滿度值的2％,；工作誤差：≤10％±滿度值的2％,。
☆電感測(cè)量：
a．測(cè)量范圍：0.1μH～1H,。
b．分檔：分七個(gè)量程。
0.1～1μH,， 1～10μH,， 10～100μH，
0.1～lmH,， 1～10mH,， 10～100mH， 100 mH～1H,。
☆電容測(cè)量：
a．測(cè)量范圍：1～460pF(460pF以上的電容測(cè)量見使用規(guī)則),；
b．電容量調(diào)節(jié)范圍
主調(diào)電容器：40～500pF；準(zhǔn) 確度：150pF以下±1.5pF,；150pF以上±1％,；
微調(diào)電容量：－3pF～0～＋3pF；準(zhǔn) 確度：±0.2pF,。
☆振蕩頻率：
a．振蕩頻率范圍：25kHz～50MHz,；
b．頻率分檔
25～74kHz， 74～213kHz,， 213-700kHz,， 700kHz～1.95MHz，
1.95MHz～5.2MHz,， 5.2MHz～17MHz,， 17～50MHz。
c．頻率誤差：2×10-4±1個(gè)字,。
☆Q合格指示預(yù)置功能,，預(yù)置范圍：5～999。
☆儀器正常工作條件
a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃,； b．相對(duì)濕度：<80％,； c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz,。
☆試樣尺寸
圓片形：厚度2+0.5mm,，直徑為Φ30~40mm（ε<12時(shí)），Φ25~35mm（ε=12~30時(shí)）,，Φ15~20mm（ε>30時(shí)）
☆其他
a．消耗功率：約25W,； b．凈重：約7kg,； c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。
☆ Q合格指示預(yù)置功能
預(yù)置范圍：5～1000,。

◇主要特點(diǎn)：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,,。

◇主要技術(shù)特性：介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷,、裝置瓷、電容器等陶瓷,，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),，通過測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε)，可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,，為提高材料的性能提供依據(jù),；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了,，通用,、多用途、多量程的阻抗測(cè)試,。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù),，改進(jìn)了調(diào)諧回路,，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),，使得新儀器在使用時(shí)更為方便,，測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值,，電工材料的高頻介質(zhì)損耗,，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等,。

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