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介電常數(shù)及介質(zhì)損耗試驗儀
參考價 | 面議 |
- 型號 GDAT-A
- 品牌
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
- 所在地 北京市
更新時間:2024-08-13 17:11:16瀏覽次數(shù):1503
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2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm,, ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10
電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀電感器:
按測試頻率要求,,需要配置不同量的電感器,。
例如:在1MHz測試頻率時,要配250μH電感器,,在50MHz測試頻率時,要配0.1μH電感器等,。
高頻介質(zhì)樣品(選購件):
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,,檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測量儀提供的測量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品,。
該樣品由人工藍(lán)寶石,,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,,聚四氟乙烯,,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,,厚1~2mm測試樣品。用戶可按需訂購,,以保證測試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀主要技術(shù)指標(biāo):
2.1 tanδ和ε性能:
2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測試,。
2.1.2 tanδ和ε測量范圍:
tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50
2.1.3 tanδ和ε測量精度(1MHz):
tanδ:±5%±0.00005,,ε:±2%
工作頻率范圍:50kHz~50MHz 四位數(shù)顯,,壓控振蕩器
Q值測量范圍:1~1000三位數(shù)顯,,±1Q分辨率
可調(diào)電容范圍:40~500 pF ΔC±3pF
電容測量誤差:±1%±1pF
Q表殘余電感值:約20nH
Q值測量
.Q值測量范圍:2~1023,;
.Q值量程分檔:30,、100,、300,、1000、自動換檔或手動換檔,;
Q合格指示預(yù)置功能:預(yù)置范圍:5~1000
6.Q表正常工作條件
a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃,;
b.相對濕度:<80%,;
c.電源:220V±22V,,50Hz±2.5Hz,。
7.其他
a.消耗功率:約25W;
b.凈重:約7kg,;
c.外型尺寸:(寬×高×深)mm:380×132×280,。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀裝置:
2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm, ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4
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