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北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司>>介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試>> GDAT-C介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

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介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào) GDAT-C
  • 品牌
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市

更新時(shí)間:2024-08-13 17:07:29瀏覽次數(shù):1335

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
使用條件
①環(huán)境溫度: 0~40℃
②相對(duì)溫度:≤70%
③供電電流:交流 220V±10%50Hz
2.3 儀器可連續(xù)工作 8 小時(shí)
2.4 消耗功率:約 10W
2.5 外形尺寸:長(zhǎng)寬深 355mm×320mm×145mm
2.6 重量:約 6kg(主機(jī))

Q合格指示預(yù)置功能:預(yù)置范圍:5~1000

   6.Q表正常工作條件

   a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃,;

  b.相對(duì)濕度:<80%;

  c.電源:220V±22V,,50Hz±2.5Hz,。

   7.其他

  a.消耗功率:約25W,;

   b.凈重:約7kg,;

   c.外型尺寸:(寬×高×深)mm:380×132×280。

 

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀電感器:

按測(cè)試頻率要求,,需要配置不同量的電感器,。

例如:在1MHz測(cè)試頻率時(shí),要配250μH電感器,,在50MHz測(cè)試頻率時(shí),,要配0.1μH電感器等。

 

高頻介質(zhì)樣品(選購(gòu)件):
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,,檢定部門(mén)為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品,。

該樣品由人工藍(lán)寶石,石英玻璃,,氧化鋁陶瓷,,聚四氟乙烯,,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測(cè)試樣品,。用戶可按需訂購(gòu),以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性,。

 

介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz~120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試,。

本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品,,配用Q表作為指示儀器,。

絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。

同樣,,由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化,,通過(guò)公式計(jì)算得到介電常數(shù)。

 

 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo):

 

2.1 tanδ和ε性能:

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試,。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:

tanδ:0.1~0.00005,,ε:1~50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):

tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%

工作頻率范圍:50kHz~50MHz    四位數(shù)顯,,壓控振蕩器

Q值測(cè)量范圍:1~1000三位數(shù)顯,,±1Q分辨率

可調(diào)電容范圍:40~500 pF  ΔC±3pF

電容測(cè)量誤差:±1%±1pF

Q表殘余電感值:約20nH

 

 

 

特點(diǎn): 

◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,,使tanδ分辨率至0.00005 ,。

◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小,。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,,調(diào)諧狀態(tài)等,。

◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測(cè)試信號(hào),。獨(dú)立信號(hào)   源輸出口,,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求,。

 

裝置:

2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm,, ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4

 

 

BH916介質(zhì)損耗裝置》(測(cè)試夾具)是測(cè)試系統(tǒng)的核心檢測(cè)部件,它由一個(gè)LCD數(shù)字顯示的微測(cè)量裝置和一對(duì)經(jīng)精密加工的,、間距可調(diào)的平板電容器極片組成,。平板電容器極片用于夾持被測(cè)材料樣品,微測(cè)量裝置則顯示被測(cè)材料樣品的厚度,。通過(guò)被測(cè)材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化的量化,,測(cè)得絕緣材料的損耗角正切值,。從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。BH916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置是本公司研制的更新?lián)Q代產(chǎn)品,,精密的加工設(shè)計(jì),、精確的LCD數(shù)字讀出、一鍵式清零功能,,克服了機(jī)械刻度讀數(shù)誤差和圓筒形電容裝置不可避免的測(cè)量誤差,。

 

 

使用條件

①環(huán)境溫度: 0~40℃

②相對(duì)溫度:≤70%

③供電電流:交流 220V±10%50Hz

2.3 儀器可連續(xù)工作 8 小時(shí)

2.4 消耗功率:約 10W

2.5 外形尺寸:長(zhǎng)寬深 355mm×320mm×145mm

2.6 重量:約 6kg(主機(jī))


北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司主營(yíng)產(chǎn)品:絕緣強(qiáng)度耐電壓擊穿試驗(yàn)儀-高壓電橋法介電常數(shù)測(cè)試儀-高電壓擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀 化工儀器網(wǎng) 設(shè)計(jì)制作,未經(jīng)允許翻錄必究.Copyright(C) http://sorrent.com.cn, All rights reserved.

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