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介電常數(shù)測試儀 介電常數(shù)介質損耗測試儀

介電常數(shù)測試儀 介電常數(shù)介質損耗測試儀
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 型號 gdat-c
  • 品牌
  • 廠商性質 生產商
  • 所在地 北京市

更新時間:2024-08-12 11:32:44瀏覽次數(shù):1100

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產品簡介
介電常數(shù)介質損耗試驗儀滿足標準:GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻,、音頻,、高頻(包括米波波長在內)下電容率和介質損耗因數(shù)的推薦方法

介電常數(shù)介質損耗測試儀用于科研機關,、學校,、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究,。


 滿足標準:GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻,、音頻,、高頻(包括米波波長在內)下電容率和介質損耗因數(shù)的推薦方法


  主要技術特性  

電感測量范圍       4.5nH ~ 140mH  
電容直接測量范圍       1 ~ 200pF  
主電容調節(jié)范圍        18 ~ 220pF  
主電容調節(jié)準確度    100pF 以下 ± 1pF ,; 100pF 以上 ± 1 %  
信號源頻率覆蓋范圍  100kHz ~ 160MHz  
頻率分段 ( 虛擬 ) 100 ~ 999.999kHz ,, 1 ~ 9.99999MHz,10 ~ 99.9999MHz , 100 ~ 160MHz  
Q 值測量范圍   2 ~ 1023 ,,

 量程分檔: 30 ,、 100 、 300 ,、 1000 ,,自動換檔或手動換檔  
固有誤差     ≤ 5 % ± 滿度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz ), ≤6% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)  
工作誤差    ≤7% ± 滿度值的2% ( 200kHz ~ 10MHz ),, ≤8% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)  
頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個字  

概述

BD916介質損耗測試裝置與本公司生產的各款高頻Q表配套,,可用于測量絕緣材料的介電常數(shù)和介質損耗系數(shù)(損耗角正切值)。
BD916介質損耗測試裝置是BD916914的換代產品,,它采用了數(shù)顯微測量裝置,,因而讀數(shù)方便,數(shù)據精確。
測試裝置由一個LCD數(shù)字顯示微測量裝置和一對間距可調的平板電容器極片組成,。
平板電容器極片用于夾持被測材料樣品,,微測量裝置則顯示被測材料樣品的厚度。
BD916介質損耗測試裝置須配用Q表作為調諧指示儀器,,通過被測材料樣品放進平板電容器和不放進樣品時的Q值變化,,測得絕緣材料的損耗角正切值。
從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù),。 


BD916介質損耗測試裝置技術特性 

平板電容器: 極片尺寸:Φ50mm/Φ38mm 可選  
極片間距可調范圍:≥15mm 
2. 夾具插頭間距:25mm±0.01mm 
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 (1MHz) 
4.測微桿分辨率:0.001mm

 

本儀器測試儀方法如下: 

儀器的測試準備工作
先要詳細了解配用Q表的使用方法,,操作時,要避免人體感應的影響,。
a. 把配用的Q表主調諧電容置于較小電容量,。
 

b. 把本測試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測試回路的“電容”兩個端子上。
 

c. 配上和測試頻率相適應的高Q值電感線圈(本公司 Q表配套使用的LKI-1電感組能滿足要求),,           如:1MHz 時電感取250uH,,15MHz時電感取1.5uH。
 

d. 短按ON/OFF按鍵,,打開液晶顯示屏,。
 

e. 調節(jié)平板電容器測微桿,使平板電容器二極片相接為止,,長按SET按鍵將初始值設置為0,。


4.介電常數(shù)Σ的測試


a. 再松開二極片,把被測樣品插入二極片之間,,調節(jié)平板電容器,,到二極片夾住樣品止(注意調節(jié)時要用測微桿,以免夾得過緊或過松),,這時能讀取的測試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值,,既是樣品的厚度D2。改變Q 表上的主調電容容量,,使Q 表處于諧振點上,。


b. 取出平板電容器中的樣品,這時Q 表又失諧,,此時調節(jié)平板電容器,,使Q 表再回到諧振點上,讀取測試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為D4


c. 計算被測樣品的介電常數(shù):
                         Σ=D2 / D4

5.介質損耗系數(shù)的測試

a. 重新把測試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測試回路的“電容”兩個端上,。把被測樣品插入二極片之間,改變Q 表上的主調電容容量,,使Q 表處于諧振點上,,讀得Q 值,記為Q2。電容讀數(shù)記為C2,。

b. 取出平板電容器中的樣品,,這時Q 表又失諧,再改變Q 表上的主調電容容量,,使Q 表重新處于諧振點上,。讀得Q 值,記為Q1,。電容讀數(shù)記為C1,。


c. 然后取下測試裝置,再改變Q 表上的主調電容容量,,重新使之諧振,,電容讀數(shù)記為C3,此時可計算得到測試裝置的電容為CZ = C3 -C1


d. 計算被測樣品的介質損耗系數(shù)公式如下:



式中:CZ 為測試裝置的電容(平板電容器二極片間距為樣品的厚度D2)C0 為測試電感的分布電容(參考LKI-1 電感組的分布電容值)

 

 


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