A 類(lèi)介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀：GDAT-A
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻,、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
     GDAT-A       
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀的詳細(xì)資料：

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀的技術(shù)指標(biāo)
  1．Q值測(cè)量
   a．Q值測(cè)量范圍：2～1023,。
   b．Q值量程分檔：30,、100、300,、1000,、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
 c．標(biāo)稱(chēng)誤差
項(xiàng)    目
GDAT-A
頻率范圍  20kHz～10MHz,；                 固有誤差   ≤5％±滿(mǎn)度值的2％,；
工作誤差  ≤7％±滿(mǎn)度值的2％；            頻率范圍           10MHz～60MHz,；
固有誤差  ≤6％±滿(mǎn)度值的2％,；            工作誤差 ≤8％±滿(mǎn)度值的2％。

2．電感測(cè)量范圍： 14.5nH~8.14H
 
3．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀電容測(cè)量：1~ 460
項(xiàng)    目    GDAT-A
直接測(cè)量范圍 ：1～460pF
主電容調(diào)節(jié)范圍準(zhǔn)確度：30～500pF,；150pF以下±1.5pF,；150pF以上±1％

   注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見(jiàn)使用規(guī)則
   4．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀信號(hào)源頻率覆蓋范圍
項(xiàng)     目
10kHz～50MHz
頻率分段（虛擬）
10～99.9999kHz
100～999.999kHz
1～9.99999MHz
10～60MHz     
頻率指示誤差    3×10-5±1個(gè)字
 5．Q合格指示預(yù)置功能  預(yù)置范圍：5～1000。

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷,、裝置瓷,、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε）,，可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù),；儀器的基本原理是采用高頻諧振法,，并提供了，通用,、多用途,、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,，標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,，數(shù)值顯示等新技術(shù),，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低,，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便,，測(cè)量值更為精確,。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,，電感器的電感量和分布電容量,，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗,，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,，傳輸線(xiàn)的特性阻抗等。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀用于科研機(jī)關(guān),、學(xué)校,、工廠(chǎng)等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。

以下對(duì)比同種儀器 c 類(lèi)

  主要技術(shù)特性  
Q 值測(cè)量范圍  2 ～ 1023 ,， 量程分檔： 30 ,、 100 、 300 ,、 1000 ,，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔  
固有誤差  ≤ 5 ％ ± 滿(mǎn)度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿(mǎn)度值的2％（10MHz～160MHz）  
工作誤差  ≤7％ ± 滿(mǎn)度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）,， ≤8％ ± 滿(mǎn)度值的2％（10MHz～160MHz）  
電感測(cè)量范圍  4.5nH ～ 140mH  
電容直接測(cè)量范圍  1 ～ 200pF  
主電容調(diào)節(jié)范圍  18 ～ 220pF  
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度  100pF 以下 ± 1pF ,； 100pF 以上 ± 1 ％  
信號(hào)源頻率覆蓋范圍  100kHz ～ 160MHz  
頻率分段 （ 虛擬 ）  100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ,， 100 ～ 160MHz  
頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字  

搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用
一 . 概述

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置與本公司生產(chǎn)的各款高頻Q表配套,，可用于測(cè)量絕緣材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗系數(shù)（損耗角正切值）。
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置是BD916914的換代產(chǎn)品,，它采用了數(shù)顯微測(cè)量裝置,，因而讀數(shù)方便，數(shù)據(jù)精確,。
測(cè)試裝置由一個(gè)LCD數(shù)字顯示微測(cè)量裝置和一對(duì)間距可調(diào)的平板電容器極片組成,。
平板電容器極片用于夾持被測(cè)材料樣品，微測(cè)量裝置則顯示被測(cè)材料樣品的厚度,。
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置須配用Q表作為調(diào)諧指示儀器,，通過(guò)被測(cè)材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化，測(cè)得絕緣材料的損耗角正切值。
從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù),。 

電感：
 
線(xiàn)圈號(hào)    測(cè)試頻率    Q值    分布電容p       電感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH             
  1   25MHz,，50MHz   233，211    0.9       0.125μH