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北京介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀
參考價 | 面議 |
- 型號 gdat-a
- 品牌
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
- 所在地 北京市
更新時間:2024-08-12 11:00:04瀏覽次數(shù):1128
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介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀滿足標準:GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻,、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀概述
GDAT高頻 Q 表采用了多項技術(shù):
雙掃描技術(shù) - 測試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描,、自動調(diào)諧搜索功能,。
雙測試要素輸入 - 測試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過數(shù)字按鍵輸入。
雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧,,數(shù)碼化電容調(diào)諧,。
自動化測量技術(shù) -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量,。
全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容,、電感,、 Q 值,、信號源頻率、諧振指針,。
DDS 數(shù)字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真,,頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定,。
計算機自動修正技術(shù)和測試回路*化 —使測試回路 殘余電感減至zui低,,** Q 讀數(shù)值在不同頻率時要加以修正的困惑。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷,、裝置瓷,、電容器等陶瓷,還有復合材料等的一項重要的物理性質(zhì),,通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),,可進一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù),;儀器的基本原理是采用高頻諧振法,,并提供了,,通用、多用途,、多量程的阻抗測試,。
它以單片計算機作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,,標準頻率測試點自動設定,,諧振點自動搜索,Q值量程自動轉(zhuǎn)換,,數(shù)值顯示等新技術(shù),,改進了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測試回路的殘余電感減至zui低,,并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術(shù),,使得新儀器在使用時更為方便,測量值更為精確,。
儀器能在較高的測試頻率條件下,,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,,電容器的電容量和損耗角正切值,,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,,傳輸線的特性阻抗等,。
該儀器用于科研機關、學校,、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究,。
電感:
線圈號 測試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz,50MHz 233,,211 0.9 0.125μH
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀技術(shù)特性
平板電容器: 極片尺寸:Φ50mm/Φ38mm 可選
極片間距可調(diào)范圍:≥15mm
2. 夾具插頭間距:25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 (1MHz)
4.測微桿分辨率:0.001mm
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀主要技術(shù)特性
Q 值測量范圍 2 ~ 1023 ,,
量程分檔: 30 、 100 ,、 300 ,、 1000 ,自動換檔或手動換檔
固有誤差 ≤ 5 %
工作誤差 ≤7%
電感測量范圍 4.5nH ~ 140mH
電容直接測量范圍 1 ~ 200pF
主電容調(diào)節(jié)范圍 18 ~ 220pF
主電容調(diào)節(jié)準確度 ± 1 %
信號源頻率覆蓋范圍 100kHz ~ 160MHz
頻率分段 ( 虛擬 ) 100 kHz ~ 160MHz
頻率指示誤差 3 × 10 -5 ± 1 個字
搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用
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