TG-GP1X周波控制器
特點(diǎn):
1,、控制可控硅的導(dǎo)通周波,,進(jìn)而控制可控硅在相對運(yùn)行周期內(nèi)的導(dǎo)通率。達(dá)到連續(xù)調(diào)節(jié)可控硅負(fù)載功率之目的,。
2,、相對運(yùn)行周期為不大于1秒的變周期。在相同導(dǎo)通率的情況下,,以較短相對運(yùn)行周期工作,。控制分辨率達(dá)1%,,控制溫度時(shí),,精度高、溫度波動小,。
3,、手動/自動切換方便,“來電”或切換到“自動”時(shí)有16秒鐘的軟過渡,。手動操作時(shí),自成簡單的開環(huán)控溫系統(tǒng),。
4,、光柱直觀顯示可控硅的負(fù)載實(shí)際功率百分比大小。
5,、既有直接驅(qū)動大電流可控硅(或可控硅組)的觸發(fā)輸出端,,又有驅(qū)動“過零觸發(fā)固態(tài)繼電器”(SSR)的輸出信號??梢晫?shí)際情況選擇不同的觸發(fā)大電流可控硅(或可控硅組)的方式,。
6,、光柱閃爍提示部分異常情況及故障,,方便報(bào)警及故障排除,。
7、帶有保護(hù)用輸入端,,以便在主電路可控硅出現(xiàn)溫度過高,、過載等保護(hù)信號到來時(shí),,及時(shí)切斷控制器的輸出信號,阻止主電路大可控硅導(dǎo)通,,同時(shí)光柱閃爍報(bào)警,。
8,、控制器均可觸發(fā)雙向可控硅或反并聯(lián)可控硅,,對可控硅的觸發(fā)電流及電流、電壓上升率無需挑選,。
9、“過零觸發(fā)”,??煽毓栎敵鐾暾恼也ɑ蛲暾恼野氩ǎ漭椛涓蓴_,、傳導(dǎo)干擾及負(fù)載電流的瞬間浪涌都很小,??煽毓柽\(yùn)行時(shí)無噪聲,,壽命長。
10,、三相電路各自單獨(dú)同步,,各相可控硅都輸出完整的正弦波或完整的正弦半波。
11,、有多種輸入信號形式選擇,,有盤裝式、架裝式,、單相,、三相多種結(jié)構(gòu)的控制器供選用。
12,、拔插式的接線端子,,接線容易,拆換方便。
13,、提供SSR模塊觸發(fā)信號輸出,,以方便利用過零觸發(fā)模塊觸發(fā)三相電路主可控硅(模塊與主可控硅同置一處)。周波控制器與主可控硅相距較遠(yuǎn)的情況下,,可節(jié)省線纜根數(shù),。
型號:
型號 | 類別 | 適用電源 | 輸入信號類別 |
TG-GP1X | 單相盤裝式 | 單相220V、380V,、50Hz | X=1時(shí)為4~20mA,; |
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X=2時(shí)為1~5V; |
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TG-GP3X | 三相盤裝式 | 三相380V,、50Hz | X=3時(shí)為0~10mA,; |
TG-GJ1X | 單相架裝式 | 單相220V、380V,、50Hz | |
TG-GJ3X | 三相架裝式 | 三相380V,、50Hz | X=4時(shí)為0~10V。 |
技術(shù)參數(shù):
1,、可控硅負(fù)載功率因數(shù):COSФ=1(適用阻性負(fù)載),。
2、適用雙向可控硅范圍:5A~1000A,。
3,、適用反并聯(lián)可控硅范圍:5A~3000A。
4,、zui大輸出觸發(fā)電流:1000mA,。
5、SSR觸發(fā)脈沖寬度:10ms×N(N=0~100),。
6,、調(diào)節(jié)功率分辨率:1﹪。
7,、調(diào)節(jié)功率范圍:0﹪~100﹪,。
8、運(yùn)行周期:≦1s,。
9,、軟過渡時(shí)間:16s。
10,、輸入信號及輸入阻抗:(1),、DC4mA~20mA250Ω。
(2),、DC1V~5V10kΩ,。
(3),、DC0mA~10mA1kΩ。
(4),、DC0V~10V10kΩ,。
11、保護(hù)輸入(P+,、P-)信號:高電平(11V~20V)運(yùn)行,;低電平(0V~2V)關(guān)斷保護(hù)?;颍?ldquo;斷開”時(shí)運(yùn)行,;“短接“時(shí)關(guān)斷保護(hù)。
12,、功耗:3VA,。
13、使用環(huán)境溫度:-20℃~50℃,。
14,、體積:盤裝式96×96×110;架裝式115×90×72,。
15,、重量:0.5kg。
TG-GP1X周波控制器