關(guān)于CVD化學(xué)氣相沉積

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CVD: 化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition)

CVD: 化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition),，用含有目標(biāo)元素的氣體,，接收能量后通過(guò)化學(xué)反應(yīng),，制備固體薄膜,。CVD(化學(xué)氣相沉積)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來(lái)沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料,，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料,。從理論上來(lái)說(shuō)，它是很簡(jiǎn)單的:兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)室內(nèi),，然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng),，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上,。淀積氮化硅膜(Si3N4)就是一個(gè)很好的例子,，它是由硅烷和氮反應(yīng)形成的?；瘜W(xué)氣相沉積法是傳統(tǒng)的制備薄膜的技術(shù),，其原理是利用氣態(tài)的反應(yīng)物，通過(guò)原子,、分子間化學(xué)反應(yīng),，使得氣態(tài)前驅(qū)體中的某些成分分解，而在基體上形成薄膜,?；瘜W(xué)氣相沉積包括常壓化學(xué)氣相沉積、等離子體輔助化學(xué)沉積,、激光輔助化學(xué)沉積,、金屬有機(jī)化合物沉積等。

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