關(guān)于CVD化學(xué)氣相沉積

最近更新時間：2022-4-11

提 供 商：湘潭市三星儀器有限公司資料大小：330.8KB

文件類型：PDF 文件下載次數(shù)：97次

資料類型：未知文件瀏覽次數(shù)：884次

相關(guān)產(chǎn)品：

CVD: 化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition)

CVD: 化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition),，用含有目標元素的氣體,，接收能量后通過化學(xué)反應(yīng)，制備固體薄膜,。CVD(化學(xué)氣相沉積)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù),，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料,。從理論上來說,，它是很簡單的:兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個反應(yīng)室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng),，形成一種新的材料,，沉積到晶片表面上。淀積氮化硅膜(Si3N4)就是一個很好的例子,，它是由硅烷和氮反應(yīng)形成的,。化學(xué)氣相沉積法是傳統(tǒng)的制備薄膜的技術(shù),，其原理是利用氣態(tài)的反應(yīng)物,，通過原子,、分子間化學(xué)反應(yīng)，使得氣態(tài)前驅(qū)體中的某些成分分解,，而在基體上形成薄膜,。化學(xué)氣相沉積包括常壓化學(xué)氣相沉積,、等離子體輔助化學(xué)沉積,、激光輔助化學(xué)沉積、金屬有機化合物沉積等,。

‍

[ 打印 ] [ 返回頂部 ] [ 關(guān)閉 ]