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塞貝克系數(shù)電阻測(cè)試儀 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng)- 絕緣電阻劣化（離子遷移）評(píng)估系統(tǒng) 儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái) 空間電荷測(cè)試系統(tǒng) 電容器溫度特性評(píng)估系統(tǒng) 高頻高壓絕緣電阻、介電 多通道極化裝置 鐵電分析儀 高壓功率放大器 絕緣電阻率測(cè)試儀 高低溫冷熱臺(tái)測(cè)試系統(tǒng) 50點(diǎn)耐壓測(cè)試儀 電壓擊穿測(cè)定儀 耐電弧試驗(yàn)儀 探針臺(tái) 漏電起痕試驗(yàn)儀 多通道介電與電阻測(cè)試系統(tǒng)
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傳感器多功能綜合測(cè)試系統(tǒng) 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng) 長(zhǎng)期耐腐蝕老化試驗(yàn)平臺(tái)- 高電場(chǎng)介電,、損耗,、漏電流測(cè)試系統(tǒng) 阻抗分析儀 鐵電綜合材料測(cè)試系統(tǒng) 鐵電分析儀 高壓功率放大器 D33壓電系數(shù)測(cè)試儀 高溫介電溫譜測(cè)試儀 熱釋電測(cè)試儀 TSDC熱刺激電流測(cè)試儀 高壓極化裝置 高低溫冷熱臺(tái) 簡(jiǎn)易探針臺(tái) 高溫四探針測(cè)試儀 多通道電流采集系統(tǒng) 高真空退火爐 電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 高溫管式爐測(cè)試儀 漆包線擊穿耐壓試驗(yàn)儀 電化學(xué)遷移測(cè)試系統(tǒng) 水平垂直燃燒測(cè)定機(jī) 陶瓷材料閃燒試驗(yàn)裝置 導(dǎo)通電評(píng)估系統(tǒng) 差熱分析儀 醫(yī)用接地電阻
半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試確保惡劣溫度下汽車零部件的試驗(yàn)是其性能穩(wěn)定的關(guān)鍵？
半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試確保惡劣溫度下汽車零部件的試驗(yàn)是其性能穩(wěn)定的關(guān)鍵,？
產(chǎn)品概述：
高低溫環(huán)境下的絕緣電阻測(cè)試技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能,。電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下,，高分子聚合物材料在高溫環(huán)境下具有負(fù)阻性的特征,，電阻（率）隨著溫度的上升而下降，HTRB性能之間的相關(guān)性表明,，隨著溫度的上升電阻率越下降嚴(yán)重,，而HTRB性能越差，因此,，材料的電阻率是HTRB失效測(cè)量的一個(gè)關(guān)鍵測(cè)量手段,。關(guān)于環(huán)氧塑封料（EMC， Epoxy Molding Compound）高低溫測(cè)試技術(shù),，已證明此測(cè)試方式是有效的,，同時(shí)加速國(guó)產(chǎn)化IGBT、MOSFET等功率器件的研發(fā),。如無(wú)錫凱華,、中科科化、飛凱材料等企業(yè),。
應(yīng)用場(chǎng)景：
電子元器件：在電子產(chǎn)品中,，電容器、電阻器,、半導(dǎo)體器件等需要在不同溫度下進(jìn)行試驗(yàn),，以評(píng)估其性能和可靠性。例如,，鋰電池和太陽(yáng)能電池在高低溫環(huán)境下的表現(xiàn)直接影響其應(yīng)用效果,，因此需要進(jìn)行高低溫試驗(yàn)；新能源材料：對(duì)于新能源材料如鋰電池和太陽(yáng)能電池,，高低溫試驗(yàn)尤為重要,。這些材料在惡劣溫度下的性能表現(xiàn)直接關(guān)系到其實(shí)際應(yīng)用效果和壽命；汽車零部件：汽車零部件需要在不同的氣候條件下進(jìn)行試驗(yàn),，以評(píng)估其耐用性和可靠性,。車輛在不同氣候條件下會(huì)
遇到各種惡劣溫度，因此汽車零部件的高低溫試驗(yàn)是確保其性能穩(wěn)定的關(guān)鍵,；半導(dǎo)體材料：半導(dǎo)體材料的電阻率測(cè)試在高低溫條件下進(jìn)行,，可以用于測(cè)量硅（Si）,、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）,、銻化銦（InSb）等材料的電阻率,。這種測(cè)試方法廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的研發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中。
1,、消除電網(wǎng)諧波對(duì)采集精度的影響
在超高阻,、弱信號(hào)測(cè)量過(guò)程中、輸入偏置電流和泄漏電流都會(huì)引起測(cè)量誤差,。同時(shí)電網(wǎng)中大量使用變頻器等高頻,、高功率設(shè)備，將對(duì)電網(wǎng)造成諧波干擾,。以致影響弱信號(hào)的采集,，華測(cè)儀器公司推出的抗干擾模塊以及用最新測(cè)試分析技術(shù),實(shí)現(xiàn)了高達(dá)1fA(10-15 A)的測(cè)量分辨率,從而滿足了很多半導(dǎo)體,功能材料和納米器件的測(cè)試需求。
2,、消除不規(guī)則輸入的自動(dòng)平均值功能,更強(qiáng)數(shù)據(jù)處理及內(nèi)部屏蔽
自動(dòng)平均值是檢測(cè)電流的變化,，并自動(dòng)將其進(jìn)行平均化的功能， 在查看測(cè)量結(jié)果的同時(shí)不需要改變?cè)O(shè)置,。通過(guò)自動(dòng)排除充電電流的過(guò)渡響應(yīng)時(shí)或接觸不穩(wěn)定導(dǎo)致偏差較大,。電流輸入端口全新采用大口徑三軸連接器，是將內(nèi)部屏蔽連接至GUARD(COM)線,，外部屏蔽連接至GROUND的3層同軸設(shè)計(jì),。兼顧抗干擾的穩(wěn)定性和高壓檢查時(shí)的安全性。
3,、強(qiáng)大的操作軟件
測(cè)試系統(tǒng)的軟件平臺(tái) Huacepro ,，基于labview系統(tǒng)開發(fā)，符合功能材料的各項(xiàng)測(cè)試需求,，具備強(qiáng)大的穩(wěn)定性與操作安全性,，并具備斷電資料的保存功能，圖像資料也可保存恢復(fù),。支持最新的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),，兼容XP、win7,、win10系統(tǒng),。
產(chǎn)品參數(shù)：
設(shè)備型號(hào)：SIR-450
溫度范圍：-185 ~ 350 °C
控溫精度：0.5 °C
升溫斜率：10°C/min（可設(shè)定）
電阻：1×1016Ω
電阻率：1×103 Ω ~ 1×1016Ω
輸入電壓：220V
樣品尺寸：φ＜25mm，d＜4mm
電極材料：黃銅或銀
夾具輔助材料：99氧化鋁陶瓷
絕緣材料：99氧化鋁陶瓷
測(cè)試功能：高低溫電阻率
數(shù)據(jù)傳輸：RS-232
設(shè)備尺寸：180 x 210 x 50mm