產(chǎn)品簡介:
100C型200型的的zui大區(qū)別只是紅外激光管的功率大了一倍，加了個紅外地光照破除陷進效應(yīng)
τ:1～6000μs ρ＞0.1Ω·cm太陽能硅片壽命,，配已知壽命樣片,、配數(shù)字示波器，
本設(shè)備是按照標準GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計制造,。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國半導(dǎo)體集成電路,、晶體管、整流器件,、核探器行業(yè)已運用了三十多年,，積累了豐富的使用經(jīng)驗，經(jīng)過數(shù)次十多個單位巡回測試的考驗,，證明是一種成熟的測試方法,，適合于硅塊、硅棒的少子體壽命測量,；也可對硅片進行測量,，給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面,，因此制樣簡便,。
產(chǎn)品特點：
可測量太陽能多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命,。表面拋光,，直接對切割面或研磨面進行測量，儀器可按需方提供的有標稱值的校準樣品調(diào)試壽命值,。
可測量太陽能單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命,，表面拋光、鈍化,。
液晶屏上直接顯示少子壽命值,，同時在線顯示光電導(dǎo)衰退波形,。
配置的紅外光源：0.904～0.905μm波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,，但光強較強,，有利于測量低阻太陽能硅晶體少數(shù)載流子體壽命，脈沖功率30W,。
為消除陷進效應(yīng)增加了紅外低光照,。
測量范圍寬廣
測試儀可直接測量：
a、研磨或切割面：電阻率≥0.5Ω?cm的單晶硅棒,、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命,，切割片的少子相對壽命。
b,、拋光面：電阻率在0.5～0.01Ω?cm范圍內(nèi)的硅單晶,、鍺單晶拋光片。
范 圍：0.5μs~6000μs
電 阻 率：ρ﹥0.1Ω·cm（非回爐料）
測試速度：1分鐘/片
紅外光源波長： 0.904～0.905μm
高頻振蕩源：用石英諧振器,，振蕩頻率：30MHZ
前置放大器,，放大倍數(shù)約25，頻寬2HZ-2MHZ
可測單晶尺寸：斷面豎測：
直徑25mm-150mm,；厚度2mm-500mm
縱向臥測：直徑5mm-20mm,；長度50mm-200mm
測量方式：采用數(shù)字示波器直接讀數(shù)方式
測試分辨率：數(shù)字存儲示波器zui小分辨率0.01μs
設(shè)備重量：20 Kg
儀器電源：電源電壓類型：單相210～230V,50Hz,帶電源隔離、濾波,、穩(wěn)壓,，不能與未做保護措施的大功率、高頻設(shè)備共用電源,。
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