高頻光電導(dǎo)少子壽命測(cè)試儀/高頻光電壽命測(cè)試儀 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω•cm 型號(hào)：GDW3-LT1C 貨號(hào)：ZH410 
太陽能 硅片壽命 配已知壽命樣片、配示波器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介 
1,、用途
用于硅,、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，除需要有一個(gè)測(cè)量平面外,，對(duì)樣塊體形嚴(yán)格要求,，可測(cè)塊狀和片狀單晶壽命,。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶的重要檢測(cè)項(xiàng)目,。
2,、  設(shè)備組成
2.1、光脈沖發(fā)生裝置
重復(fù)頻率＞25次/s      脈寬＞60μｓ          光脈沖關(guān)斷時(shí)間＜1μｓ
紅外光源波長(zhǎng)：1.06～1.09μm（測(cè)量硅單晶）   脈沖電流：～20A
如測(cè)量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長(zhǎng)的光源
2.2,、高頻源
頻率：30MHz       低輸出阻抗      輸出功率＞1W
2.3,、放大器和檢波器
頻率響應(yīng)：2Hz～2MHz
2.4、配用示波器
配用示波器：頻帶寬度不低于10MHz,，Y軸增益及掃描速度均應(yīng)連續(xù)可調(diào),。
3、測(cè)量范圍
可測(cè)硅單晶的電阻率范圍：ρ≥0.1Ω·㎝（歐姆·厘米）
壽命值的測(cè)量范圍：5～6000μｓ（微秒）