高頻光電導少子壽命測試儀/高頻光電壽命測試儀 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω•cm 型號：GDW3-LT1C 貨號：ZH410 
太陽能 硅片壽命 配已知壽命樣片、配示波器

產(chǎn)品簡介 
1,、用途
用于硅,、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外,，對樣塊體形嚴格要求,，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況,，是單晶的重要檢測項目,。
2、  設(shè)備組成
2.1,、光脈沖發(fā)生裝置
重復(fù)頻率＞25次/s      脈寬＞60μｓ          光脈沖關(guān)斷時間＜1μｓ
紅外光源波長：1.06～1.09μm（測量硅單晶）   脈沖電流：～20A
如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源
2.2,、高頻源
頻率：30MHz       低輸出阻抗      輸出功率＞1W
2.3、放大器和檢波器
頻率響應(yīng)：2Hz～2MHz
2.4,、配用示波器
配用示波器：頻帶寬度不低于10MHz,，Y軸增益及掃描速度均應(yīng)連續(xù)可調(diào)。
3,、測量范圍
可測硅單晶的電阻率范圍：ρ≥0.1Ω·㎝（歐姆·厘米）
壽命值的測量范圍：5～6000μｓ（微秒）