射頻CCP薄膜沉積裝置 型號：YQ-DHDP-1 貨號：ZH5494 
產(chǎn)品簡介
   本裝置主要由薄膜沉積室,、真空抽氣系統(tǒng)、氣源進(jìn)氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)、襯底加熱溫度控制系統(tǒng)等部分組成。
   通過本實驗裝置可以掌握CVD（化學(xué)氣相沉積）,；理解CVD的成膜過程及要求，化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)的原理，等離子體CVD的原理,、特點及等離子體的激勵方式,；了解該在電學(xué)、光學(xué),、微電子學(xué)等領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用前景,。
可開設(shè)的實驗
1、P型微晶硅材料及在薄膜太陽能電池上的應(yīng)用,；
2,、硅系納米復(fù)合薄膜材料PCVD法制備；
3,、電容耦合/電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積制備種功能薄膜,。
主要參數(shù)
1、薄膜沉積室：由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成,；尺寸：Φ220×H230mm；
2,、薄膜沉積室本底真空： ≤1Pa,；
3、射頻耦合方式：電容耦合/電感耦合,；射頻源功率：帶500W  13.56MHz,；
4、氣路系統(tǒng)：由三路轉(zhuǎn)子流量計控制（可選配流量計）,；
5,、襯底加熱溫度：室溫至300℃可控；
6,、平行板電：Φ70mm,；
7、工作反應(yīng)氣體：由電板上微孔均勻?qū)耄?br />8,、真空抽氣系統(tǒng)：2XZ-4型旋片機(jī)械泵,，4L/S，單相220V交流電源供電,；
9,、管道、閥門：材質(zhì)使用不銹鋼和金屬波紋管,；
10,、對過流過壓、斷路等異常情況進(jìn)行報警,，并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)措施,；
11、供電電源：AC220V，50Hz,，整機(jī)功率2KW,。