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德國festo真空技術(shù)簡介上?,F(xiàn)貨

時(shí)間:2016-9-23閱讀:661
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德國festo真空技術(shù)簡介上海現(xiàn)貨
采用液氮(77K)或液控制冷的冷阱或檔板,,能大幅度減少擴(kuò)散泵的返流,。這種低溫與真空相結(jié)合的形式,,在真空獲得方面長期占主導(dǎo)地位,乞今還在沿用,。
采用低溫泵可以獲得高抽速(103~104m/s)與高真空(10-9Pa以下),,是干凈而連續(xù)的抽真空手段。在20K的低溫下,,可以凝聚氖,、氫和氨以外的其他任何氣體,使它們的蒸汽壓降到10-9Pa以下,。如果凝聚上述三種氣體,,并使其蒸氣壓降到10-9Pa以下,則必須達(dá)到下列的溫度條件:氖,,T≈6K,;氫,T≈2.5K,;氦,,T≈0.3K。若利用低溫吸附,,可以在T≤4.2K時(shí)排氦,,在T≤20K時(shí)排氫,在T≤77K時(shí)排氮,。常用的吸氣劑有固態(tài)二氧化碳(深冷霜)、活性炭和分子篩等,。采用低溫捕集可以束縛不凝性氣體(如在4.2K的低溫面上10-4PA的氫氣)在通入可凝氣體(例如氬),,可形成混合凝聚物(AR-H2)而沉積。低溫吸氣是通過金屬薄膜的化學(xué)吸附而向金屬膜內(nèi)擴(kuò)散化學(xué)性氣體,,例如鈦對氫有較大的低溫吸氣能力,。
采用低溫泵是建造大型環(huán)境模擬室的*方案。它是在原有80K的冷壁上,,再加上一個(gè)T≤20k的氦氣冷卻低溫面,,兩者組合起來就可以了。
用低溫吸附(例如用活性炭吸氣劑)維持低溫容器絕熱夾層的真空度,,有力地促進(jìn)了低溫液體的生產(chǎn),、儲存和應(yīng)用。
總之,,低溫與真空兩者互相依托和互相促進(jìn),,缺一不可,并形成一門邊緣學(xué)科---低溫真空學(xué),。
真空技術(shù)干燥的優(yōu)勢,比起常規(guī)干燥技術(shù)具備以下優(yōu)勢:
1,、真空環(huán)境大大降低了需要驅(qū)除的液體的沸點(diǎn),,所以真空干燥可以輕松應(yīng)用于熱敏性物質(zhì)。
2,、對于不容易干燥的樣品,,例如粉末或其他顆粒狀樣品,使用真空干燥法可以有效縮短干燥時(shí)間,。
3,、各種構(gòu)造復(fù)雜的機(jī)械部件或其他多孔樣品經(jīng)過清洗后使用真空干燥法,*干燥后不留任何殘余物質(zhì),。
4,、使用更安全----在真空或惰性條件下,*消除氧化物遇熱爆炸的可能,。
5,、與依靠空氣循環(huán)的普通干燥相比,粉末狀樣品不會(huì)被流動(dòng)空氣吹動(dòng)或移動(dòng),。
控制特點(diǎn):具有因停電,,死機(jī)狀態(tài)數(shù)據(jù)丟失而保護(hù)的參數(shù)記憶,來電恢復(fù)功能,。
性能特點(diǎn):
1,、采用國內(nèi)*流線圓弧型設(shè)計(jì),外殼采用冷軋鋼板制造,,表面靜電噴塑,。
2、本機(jī)溫控系統(tǒng)采用微電腦單片機(jī)技術(shù),,控溫,,定時(shí),超溫報(bào)警,。
3,、顯示為雙屏高亮度數(shù)碼管顯示,示值準(zhǔn)確直觀,,性能*,,觸摸式按鍵設(shè)定調(diào)節(jié)參數(shù)。
4,、溫控傳感器采用的是電容式*部件,。
5、采用進(jìn)口電機(jī)及風(fēng)葉,;具有定時(shí)和計(jì)時(shí)功能,。
6、內(nèi)膽均為不銹鋼材料制成,;半圓形四角易清潔,。
7,、本機(jī)箱門*松緊可由用戶任意調(diào)節(jié),整體成形的硅橡膠門封圈,,確保箱內(nèi)高真空度,。
8、本機(jī)工作室為長方體結(jié)構(gòu),,使有效容積達(dá)到zui大,,箱門采用鋼化、防彈雙層玻璃門,,使觀察工作室培養(yǎng)物品能讓用戶一目了然,。
真空技術(shù)的典型應(yīng)用:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)離不開真空技術(shù)。生產(chǎn)半導(dǎo)體元件:(1)要在硅片上摻入相應(yīng)的其他元素;(2)在生產(chǎn)集成電路時(shí)要形成復(fù)雜的金屬薄膜和絕緣膜;(3)要進(jìn)行表面的刻蝕處理等復(fù)雜的工序,。如果生產(chǎn)過程中的真空度不夠,,表面上沾了灰塵或油滴之后會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的后果。集成電路中細(xì)線的寬度是吸煙時(shí)吐出的煙霧顆粒直徑的1/3,,是一?;覊m直徑的近萬分之一。對集成電路而言,,哪怕落有一顆煙霧的顆粒,,就好像大路上停了一架大型飛機(jī)一樣,使電子無法通過或造成短路,。
新材料開發(fā)離不開真空,。以分子束外延為代表的薄膜生長技術(shù)是新材料開發(fā)的重要手段,薄膜材料放到蒸發(fā)源中之后被蒸發(fā)或升華,,在超高真空環(huán)境中,,薄膜材料的原子或分子可以長距離飛行,到達(dá)襯底成膜;而且由于殘留氣體少,,襯底表面形成的薄膜純度高。
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